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Productos de semiconductoros discretos (2357)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AO4862 | 0.1473 |  | 4389 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Alfamos | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AO486 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.7w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.5a | 50mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 10nc @ 10V | 200pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||
 | AO8804L | - | | 7218 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | AO880 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5w | 8-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 20V | - | 13mohm @ 8a, 10v | 1V @ 250 µA | 17.9NC @ 4.5V | 1810pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||
 | AONR21357 | 0.7100 | | 8 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | AONR213 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN-EP (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | Canal P | 30 V | 21a (TA), 34A (TC) | 4.5V, 10V | 7.8mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 25V | 2830 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||
 | AO3409L | - | | 1920 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, Variante Sot-23-3 | AO34 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.6a (TA) | 4.5V, 10V | 130mohm @ 2.6a, 10V | 3V @ 250 µA | 9 NC @ 10 V | ± 20V | 370 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||||
| AO4800L | - | | 6580 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AO480 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6.9a | 27mohm @ 6.9a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 7NC @ 4.5V | 630pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||
 | AON6484 | 0.3969 | | 5736 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Pistas Plans | AON648 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 3.3a (TA), 12a (TC) | 4.5V, 10V | 79mohm @ 7.5a, 10v | 2.7V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 942 pf @ 50 V | - | 2W (TA), 25W (TC) | |||||||||||||||
| AON6444 | - | | 2741 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Sdmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Pistas Plans | AON644 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 14a (TA), 81a (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 96 NC @ 10 V | ± 20V | 5800 pf @ 30 V | - | 2.3W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||
| AON6516_151 | - | | 7288 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Pistas Plans | AON651 | 8-DFN (5x6) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 4.5V, 10V | ± 20V | |||||||||||||||||||||||||||
 | AOB5B60D | 0.9144 | | 7399 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Alpha IGBT ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | AOB5B60 | Estándar | 82.4 W | TO-263 (D2PAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 5A, 60OHM, 15V | 98 ns | - | 600 V | 23 a | 20 A | 1.8v @ 15V, 5a | 140 µJ (Encendido), 40 µJ (apaguado) | 9.4 NC | 12ns/83ns | |||||||||||||||
| Aon7404g | 0.5800 | | 2201 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | AON740 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN-EP (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 20 V | 20A (TA), 20A (TC) | 2.5V, 4.5V | 5.3mohm @ 20a, 4.5V | 1.25V @ 250 µA | 45 NC @ 4.5 V | ± 12V | 3300 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 28W (TC) | |||||||||||||||
| Ao4924l | - | | 5327 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Srfet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AO492 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 30V | - | 15.8mohm @ 9a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 31NC @ 10V | 1885pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||
 | AON7810 | 0.5700 | | 51 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Pistas Plans | AON781 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-DFN (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6A | 14mohm @ 6a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 12.2NC @ 10V | 542pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||
 | AOTF262L | - | | 1277 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | AOTF262 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 17.5a (TA), 85A (TC) | 6V, 10V | 3.6mohm @ 20a, 10v | 3.2V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 8140 pf @ 30 V | - | 2.1W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||
 | AOD210 | - | | 2062 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | AOD21 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252 (DPAK) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 23a (TA), 70A (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 4300 pf @ 15 V | - | 2.7W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||||
| AOSP21357 | 1.2300 | | 6826 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AOSP213 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 16a (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 16a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 25V | 2830 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||||
| AON7401 | - | | 2158 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | AON740 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN-EP (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | Canal P | 30 V | 12A (TA), 35A (TC) | 6V, 10V | 14mohm @ 9a, 10v | 3V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 25V | 2600 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 29W (TC) | |||||||||||||||
 | AONR32320 | - | | 2446 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | - | AONR323 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 12a (TC) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
| AON7804_102 | - | | 2939 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Pistas Plans | AON780 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-DFN (3x3) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 9A | 21mohm @ 8a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 18NC @ 10V | 888pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||
 | AOI950A70 | 1.3900 | | 3 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Amos5 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | AOI950 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251a | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 785-1820 | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | N-canal | 700 V | 5A (TC) | 10V | 950mohm @ 1a, 10v | 4.1V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 461 pf @ 100 V | - | 56.5W (TC) | ||||||||||||||
 | Aou7s65 | - | | 1718 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Amos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Aou7 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 650mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 9.2 NC @ 10 V | ± 30V | 434 pf @ 100 V | - | 89W (TC) | ||||||||||||||||
| AON6418 | - | | 4267 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Sdmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Pistas Plans | AON641 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 14a (TA), 36a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 20a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 1229 pf @ 15 V | - | 6W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||||
| Ao4813l | - | | 6773 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AO481 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 7.1a (TA) | 25mohm @ 7.1a, 10v | 2.7V @ 250 µA | 30.9NC @ 10V | 1573pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||
| AOTF260L | 1.6993 | | 1892 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | AOTF260 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 19A (TA), 92A (TC) | 6V, 10V | 2.6mohm @ 20a, 10v | 3.2V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 11800 pf @ 30 V | - | 1.9W (TA), 46.5W (TC) | |||||||||||||||
 | AON7418_002 | - | | 9689 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | AON741 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN-EP (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 46a (TA), 50A (TC) | 1.7mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | 2994 pf @ 15 V | - | ||||||||||||||||||
| Ao9926bl | - | | 9975 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AO9926 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 7.6a | 23mohm @ 7.6a, 10V | 1.1V @ 250 µA | 12.5nc @ 10V | 630pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||
 | AOC2412 | - | | 5507 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | AOC24 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-Alphadfn (1.57x1.57) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 4.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 23mohm @ 1.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 32 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1842 pf @ 10 V | - | 550MW (TA) | ||||||||||||||||
 | AON6932A | 0.5439 | | 7661 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | AON693 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.6W, 4.3W | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 22a, 36a | 5mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 22nc @ 10V | 1037pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||
 | AOW10T60P | - | | 5617 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Aow10 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 785-1654-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 10a (TC) | 10V | 700mohm @ 5a, 10v | 5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1595 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | |||||||||||||||
| AO4405 | - | | 2775 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AO44 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 30 V | 6a (TA) | 50mohm @ 6a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | 520 pf @ 15 V | - | ||||||||||||||||||
| AOD512 | - | | 3325 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | AOD51 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 27a (TA), 70A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 3430 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 83W (TC) |
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