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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - Salida | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Ganar | Voltaje | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) | Voltaje - Offset (VT) | Fuga de Corriente a la Puerta Al Ánodo (IGAO) | Corriente - valle (iv) | Corriente - Pico |
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![]() | 1N965B BK PBFree | 0.0734 | ![]() | 3323 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 16 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N965B TR PBFREE | 0.0734 | ![]() | 8766 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 16 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N971B BK PBFree | 0.0734 | ![]() | 8463 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 20.6 V | 27 V | 41 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N972B TR PBFREE | 0.0734 | ![]() | 1628 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 22.8 V | 30 V | 49 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSICD10-1200 BK | - | ![]() | 9684 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 150 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 250 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 500pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1U-D020S TR13 H | - | ![]() | 3926 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | CBR1U | Estándar | 4-smdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | CBR1U-D020STR13H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.05 v @ 1 a | 5 µA @ 200 V | 1 A | Fase única | 200 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CBR1U-D010S | - | ![]() | 4256 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | 4-smdip | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.05 v @ 1 a | 5 µA @ 100 V | 1 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5384C BK | - | ![]() | 2589 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | 5 W | DO-2010 | descascar | 1 (ilimitado) | CZ5384CBK | EAR99 | 8541.10.0050 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 122 V | 160 V | 350 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5386B BK | - | ![]() | 8077 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | 5 W | DO-2010 | descascar | 1 (ilimitado) | CZ5386BBK | EAR99 | 8541.10.0050 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 137 V | 180 V | 430 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5335B TR | - | ![]() | 8481 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | 5 W | DO-2010 | descascar | 1 (ilimitado) | CZ5335BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.400 | 1.2 v @ 1 a | 50 µA @ 1 V | 3.9 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5385B TR | - | ![]() | 1023 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | 5 W | DO-2010 | descascar | 1 (ilimitado) | CZ5385BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.400 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 129 V | 170 V | 380 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZDM1003N BK | - | ![]() | 5706 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | 1 (ilimitado) | CZDM1003NBK | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 3a (TA) | 10V | 150mohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | 20V | 975 pf @ 25 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1A-020 | - | ![]() | 8413 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-Circular, Un Estuche | Estándar | Un Caso | descascar | 1 (ilimitado) | CBR1A-020 PBFree | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 200 V | 1.5 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1A-040 | - | ![]() | 1444 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-Circular, Un Estuche | Estándar | Un Caso | descascar | 1 (ilimitado) | CBR1A-040 PBFree | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 1.5 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1A-060 | - | ![]() | 1725 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-Circular, Un Estuche | Estándar | Un Caso | descascar | 1 (ilimitado) | CBR1A-060 PBFree | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 600 V | 1.5 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR2-010 | - | ![]() | 3806 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-Circular, Un Estuche | Estándar | Un Caso | descascar | 1 (ilimitado) | CBR2-010 PBFree | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1 v @ 2 a | 10 µA @ 100 V | 2 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR2-100 | - | ![]() | 6376 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-Circular, Un Estuche | Estándar | Un Caso | descascar | 1 (ilimitado) | CBR2-100 PBFree | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1 v @ 2 a | 10 µA @ 1000 V | 2 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7002A-M621 TR | - | ![]() | 4103 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Powervfdfn | Mosfet (Óxido de metal) | TLM621 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 280MA (TA) | 5V, 10V | 2ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.592 NC @ 4.5 V | 40V | 50 pf @ 25 V | - | 900MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR35-100PW | - | ![]() | 6969 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, FPW | Estándar | Fpw de 4 casos | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.2 V @ 17.5 A | 10 µA @ 1000 V | 35 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM8120-M621H BK | - | ![]() | 7213 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-xfdfn almohadilla exposición | Mosfet (Óxido de metal) | TLM621H | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | Canal P | 20 V | 950 mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 150MOHM @ 950MA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 3.56 NC @ 4.5 V | 8V | 200 pf @ 16 V | - | 1.6w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLSH1-40M621H BK | - | ![]() | 1056 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 6-xfdfn almohadilla exposición | Schottky | TLM621H | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 500 Ma | 15 ns | 200 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLT7410-M621 TR | - | ![]() | 7364 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Powervfdfn | 900 MW | TLM621 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 450mv @ 100 mm, 1a | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPP6028R TR | - | ![]() | 4904 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | CMPP6028RTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 6V | 40V | 167 MW | 600 MV | 10 na | 25 µA | 150 na | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPFJ310 BK | - | ![]() | 1142 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23 | descascar | Vendedor indefinido | Cmpfj310bk | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 25 V | 5PF @ 10V | 25 V | 24 Ma @ 10 V | 2 V @ 1 Na | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP617-CM4957-CM | - | ![]() | 1789 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | - | Morir | - | 1514-CP617-CM4957-CM | Obsoleto | 500 | 25db | 25V | 30mera | PNP | 20 @ 2mA, 10V | 2.5 GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP616-CM5160 WN | - | ![]() | 6013 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | - | Morir | - | 1514-CP616-CM5160 WN | Obsoleto | 500 | - | 40V | 400mA | PNP | 10 @ 50mA, 5V | 500MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP616-2N5160-CT | - | ![]() | 9165 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | - | Morir | - | 1514-CP616-2N5160-CT | Obsoleto | 500 | - | 40V | 400mA | PNP | 10 @ 50mA, 5V | 500MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP223-2N3866 WN | - | ![]() | 3930 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | - | Morir | - | 1514-CP223-2N3866 WN | Obsoleto | 500 | 10dB | 30V | 400mA | NPN | 10 @ 50mA, 5V | 500MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP229-2N5109-CT | - | ![]() | 2601 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | - | Morir | - | 1514-CP229-2N5109-CT | Obsoleto | 500 | 11db | 20V | 400mA | NPN | 40 @ 50 mm, 15V | 1.2GHz | 3DB @ 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2n6073b lata/plomo | - | ![]() | 1474 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | A-126 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-2N6073BTIN/Plomo | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | Soltero | 15 Ma | Lógica - Puerta sensible | 400 V | 4 A | 2 V | 30A @ 60Hz | 5 Ma |
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