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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | CP229-2N5109-CT | - | ![]() | 2601 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | - | Morir | - | 1514-CP229-2N5109-CT | Obsoleto | 500 | 11db | 20V | 400mA | NPN | 40 @ 50 mm, 15V | 1.2GHz | 3DB @ 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2n6073b lata/plomo | - | ![]() | 1474 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | A-126 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-2N6073BTIN/Plomo | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | Soltero | 15 Ma | Lógica - Puerta sensible | 400 V | 4 A | 2 V | 30A @ 60Hz | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6073A PBFree | - | ![]() | 9613 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | A-126 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-2N6073APBFree | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | Soltero | 15 Ma | Lógica - Puerta sensible | 400 V | 4 A | 2 V | 30A @ 60Hz | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2n6075b lata/plomo | - | ![]() | 1650 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | A-126 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-2N6075BTIN/Plomo | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | Soltero | 15 Ma | Lógica - Puerta sensible | 600 V | 4 A | 2 V | 30A @ 60Hz | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5920B TR | - | ![]() | 7030 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-1N5920BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3324RB PBFree | - | ![]() | 7447 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N3324 | 50 W | DO-203AB (DO-5) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-1N3324RBPBFree | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 10 A | 5 µA @ 22.8 V | 30 V | 3 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP147-MJ11016-CT | - | ![]() | 1277 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 200 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP147-MJ11016-TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 V | 30 A | 1mera | NPN - Darlington | 4V @ 300 Ma, 30a | 1000 @ 20a, 5V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP147-MJ11016 WN | - | ![]() | 8628 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 200 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP147-MJ11016 WN | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 V | 30 A | 1mera | NPN - Darlington | 4V @ 300 Ma, 30a | 1000 @ 20a, 5V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPSH1-4L TR PBFREE | - | ![]() | 6727 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOT-23-3 Platos Platos | Schottky | SOT-23F | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1514-CMPSH1-4LTRPBFREETR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 390 MV @ 1 A | 1.5 Ma @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 50pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cmpsh1-4le bk pbfree | - | ![]() | 2000 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SOT-23-3 Platos Platos | Schottky | SOT-23F | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1514-CMPSH1-4LEBKPBFREE | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 400 MV @ 1 A | 900 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 50pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP775-CWDM3011P-Wn | - | ![]() | 1859 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CP775-CWDM3011P-WN | Obsoleto | 8,000 | Canal P | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 11a, 10v | 3V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 8 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP805-CXDM4060P-WN | - | ![]() | 6882 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | CP805 | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CP805-CXDM4060P-WN | EAR99 | 8541.29.0040 | 1,000 | Canal P | 40 V | 6.4a (TA) | 31mohm @ 1a, 10v | 3V @ 250 µA | ± 20V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP805-CXDM4060P-CT | - | ![]() | 5213 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | CP805 | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CP805-CXDM4060P-CT | EAR99 | 8541.29.0040 | 400 | Canal P | 40 V | 6.4a (TA) | 31mohm @ 1a, 10v | 3V @ 250 µA | ± 20V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1235 TR | - | ![]() | 5256 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-cen1235tr | Obsoleto | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL4625 TRA/PLOMO | 0.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | CLL4625 | 500 MW | Sod-80 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 3 V | 5.1 V | 1500 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL5227B BK Tin/Plomo | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | CLL5227 | 500 MW | Sod-80 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.25 V @ 200 Ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1U-D020S TIN/Plomo | 4.2000 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tubo | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | CBR1U-D020 | Estándar | 4-smdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CBR1U-D020stin/Plomo | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.05 v @ 1 a | 5 µA @ 200 V | 1 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4729A TR Tin/Plomo | 0.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.6 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP375-CWDM3011N-WN | - | ![]() | 9854 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP375-CWDM3011N-Wn | EAR99 | 8541.29.0040 | 18,670 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 11a, 10v | 3V @ 250 µA | 6.3 NC @ 5 V | ± 20V | 860 pf @ 15 V | - | 2.5w | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP337V-2N4013-CT20 | - | ![]() | 3343 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 360 MW | Morir | descascar | 1514-CP337V-2N4013-CT20 | EAR99 | 8541.21.0040 | 20 | 30 V | 1 A | 10 µA | NPN | 750mv @ 100 mm, 1a | 60 @ 100mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3725A PBFree | - | ![]() | 2483 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | To-39 | descascar | 1514-2N3725APBFree | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 50 V | 1.2 A | 10 µA | NPN | 900mv @ 100 mm, 1a | 60 @ 100mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N2270 PBFree | 2.2900 | ![]() | 7424 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | To-39 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 45 V | 1 A | 50NA (ICBO) | NPN | 900mv @ 15 Ma, 150 Ma | 50 @ 150mA, 10V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPD5001 TR PBFREE | 0.6900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPD5001 | Estándar | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 120 V | 900 MV @ 100 Ma | 60 ns | 100 na @ 90 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 400mA | 35pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLDM8005 TR PBFREE | 0.7600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | CMLDM8005 | Mosfet (Óxido de metal) | 350MW | SOT-563 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 650 mm | 360mohm @ 350mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 1.2NC @ 4.5V | 100pf @ 16V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4470 BK PBFree | 0.3465 | ![]() | 6651 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 50 na @ 12.8 V | 16 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL5222B TR | - | ![]() | 4936 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | 1514-CLL5222BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.25 V @ 200 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.5 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEDM7004 TR PBFREE | 0.6100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | CEDM7004 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-883 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | N-canal | 30 V | 1.78a (TA) | 1.8V, 4.5V | 460mohm @ 200Ma, 4.5V | 1V @ 250 µA | 0.79 NC @ 4.5 V | 8V | 43 pf @ 25 V | - | 100MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP36C TO-247 | - | ![]() | 2075 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 125 W | To-247 | descascar | 1514-tip36cto-247 | Obsoleto | 1 | 100 V | 25 A | 1mera | NPN | 4V @ 5a, 25a | 25 @ 1.5a, 4V | 2MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMUD2836 TR | - | ![]() | 6319 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | Estándar | SOT-523 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMUD2836TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 75 V | 200 MMA | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLT3474 TR | - | ![]() | 3899 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | CMLT3474 | 350MW | SOT-563 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMLT3474TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 25V | 1A | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 450mv @ 100 mm, 1a | 100 @ 500 mA, 1V | 100MHz |
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