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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | CP647-2N6287 WN | - | ![]() | 1674 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 | 100 V | 20 A | 1mera | PNP - Darlington | 3V @ 200Ma, 20a | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP647-MJ11013-WS | - | ![]() | 5114 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | CP647 | Morir | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 | 90 V | 30 A | 1mera | PNP - Darlington | 4V @ 300 Ma, 30a | 200 @ 30a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP647-PMD19K100-WS | - | ![]() | 7637 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | CP647 | Morir | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 | 100 V | 30 A | - | PNP - Darlington | 2.8V @ 60 mm, 15a | 800 @ 15a, 3V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP547-2N6287-CM | - | ![]() | 4810 | 0.00000000 | Central de semiconductores | CP547 | Banda | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 49 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP547-2N6287 WN | - | ![]() | 2695 | 0.00000000 | Central de semiconductores | CP547 | Banda | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 400 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3563 | - | ![]() | 4390 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | To-106-3 abovedado | Un 106 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | 12 V | 50NA (ICBO) | NPN | - | 20 @ 8 mm, 10v | 600MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3646 | - | ![]() | 7724 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-106-3 abovedado | 200 MW | Un 106 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.500 | 15 V | 200 MA | 500NA | NPN | 500mv @ 30 mA, 300 mA | 30 @ 30mA, 400mv | 350MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLSH-4 TR | - | ![]() | 5837 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Schottky | SOT-563 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Independientes | 40 V | 200MA (DC) | 330 MV @ 2 Ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N2905A PBFree | 2.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 600 MW | To-39 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | 60 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
2N4858A | 5.2200 | ![]() | 274 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 360 MW | Un 18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N-canal | 10pf @ 10V (VGS) | 40 V | 8 Ma @ 15 V | 800 MV @ 0.5 na | 60 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cmpd914e tr pbfree | 0.4200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPD914 | Estándar | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 970 MV @ 100 Ma | 4 ns | 100 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 250 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPSH-3AE TR PBFREE | 0.5600 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPSH-3 | Schottky | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 40 V | 200 MMA | 1 V @ 200 Ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPT5089 TR PBFREE | 0.4400 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPT5089 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 25 V | 50 Ma | 50NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 400 @ 100 µA, 5V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cmpzda24v tr pbfree | 0.3700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Cmpzda24 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24.2 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CXDM4060N TR PBFREE | 0.9000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | CXDM4060 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 6a (TA) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 6a, 10v | 3V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | 20V | 730 pf @ 20 V | - | 1.2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
2N6052 PBFree | - | ![]() | 2592 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 150 W | A 3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 100 V | 12 A | 1mera | PNP | 3V @ 120mA, 12A | 750 @ 6a, 3V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5308 PBFree | 1.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 40 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.4V @ 200 µA, 200 mA | 7000 @ 2mA, 5V | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5551 LATA/PLOMO | 1.0600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 160 V | 600 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 200 MV a 5 mm, 50 Ma | 80 @ 10mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJE13005 PBFree | 2.8700 | ![]() | 459 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MJE13005 | 2 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 4 A | - | NPN | 1v @ 1a, 4a | 8 @ 2a, 5v | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N754A TR PBFREE | 0.4600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 6.8 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N759A TR PBFree | 0.4000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 12 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMR1-06M TR13 PBFree | 0.6200 | ![]() | 77 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | CMR1-06 | Estándar | SMA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
CMR1U-02 TR13 PBFree | 0.7600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | CMR1U-02 | Estándar | SMB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5342B TR PBFREE | 1.0300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | CZ5342 | 5 W | DO-2010 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.400 | 1.2 v @ 1 a | 100 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 1 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5344B TR PBFREE | 1.0300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | CZ5344 | 5 W | DO-2010 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.400 | 1.2 v @ 1 a | 100 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 1.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEDM8001 TR PBFREE | 0.5600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | CEDM8001 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-883 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | Canal P | 20 V | 100 mA (TA) | 1.5V, 4V | 8ohm @ 10mA, 4V | 1.1V @ 250 µA | 0.66 NC @ 4.5 V | 10V | 45 pf @ 3 V | - | 100MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMAD4448 TR PBFREE | 0.5100 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sod-923 | CMAD4448 | Estándar | Sod-923 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 120 V | 910 MV @ 100 Ma | 4 ns | 500 na @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 250 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMDZ5230B TR PBFREE | 0.3800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | CMDZ5230 | 250 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cmdz5l6 tr pbfree | 0.6200 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | Cmdz5 | 250 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 325 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ5251B TR PBFREE | 0.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | CMHZ5251 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 17 V | 22 V | 29 ohmios |
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