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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | CMHD2003 BK PBFree | 0.1710 | ![]() | 3607 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | CMHD2003 | Estándar | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 250 V | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR3-080GPP BK | - | ![]() | 7982 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | 1 (ilimitado) | CR3-080GPPBK | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 3 a | 10 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bu408 pbfree | 1.1223 | ![]() | 6261 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BU408 | 60 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 200 V | 7 A | 100na | NPN | 1V @ 1.2a, 6a | - | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6426 PBFree | 0.1623 | ![]() | 3079 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4001G BK | - | ![]() | 3366 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CQ202-4BS-LF02 | - | ![]() | 4115 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | A las plagas largas de 202 | A-202 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 500 | Soltero | 5 Ma | Interano de activado | 200 V | 4 A | 1.75 V | 40a, 35a | 9 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP100 | - | ![]() | 3480 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 80 W | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | TIP100CS | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 60 V | 8 A | 50 µA | NPN - Darlington | 2.5V @ 80MA, 8A | 1000 @ 3a, 4v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPT5551E TR | - | ![]() | 5506 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 220 V | 600 mA | 50NA | NPN | 100mv @ 5 mm, 50 Ma | 120 @ 10mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBRHD-10 BK PBFree | 0.2430 | ![]() | 7948 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | CBRHD-10 | Estándar | Salón de 4 HD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 350 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 1000 V | 500 mA | Fase única | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N5195 SL H | - | ![]() | 5425 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 40 W | A-126 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 4 A | 1mera | PNP | 1.4v @ 1a, 4a | 20 @ 1.5a, 2v | 2MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CQ220i-100 | - | ![]() | 3547 | 0.00000000 | Central de semiconductores | * | Una granela | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5993D BK | - | ![]() | 7236 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-1N5993DBK | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 100 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CWDM3011N TR13 PBFree | 0.6500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CWDM3011 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 11a, 10v | 3V @ 250 µA | 6.3 NC @ 5 V | 20V | 860 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL4733A TR | - | ![]() | 6168 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1 W | Asignar | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPD6001C TR PBFREE | 0.6600 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPD6001 | Estándar | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 75 V | 250 Ma | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µs | 500 Pa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5990B BK PBFree | 0.0494 | ![]() | 2775 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5253B TR | - | ![]() | 9408 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 Independientes | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 19 V | 25 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5268B AP | - | ![]() | 5063 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 62 V | 82 V | 330 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZT3055 TR PBFREE | - | ![]() | 6288 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1514-CZT3055TRPBFREETR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CJD122 BK Tin/Plomo | - | ![]() | 9040 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 1.75 W | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-cjd122bktin/plomo | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | 100 V | 8 A | 10 µA | NPN - Darlington | 4V @ 80MA, 8A | 1000 @ 4a, 4V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cmdz39l tr pbfree | 0.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | CMDZ39 | 250 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 36 V | 39 V | 350 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CR6AF2GPP BK | - | ![]() | 3701 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | 106, axial | Estándar | 106 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CR6AF2GPPBK | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 6 A | 200 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bf244c | - | ![]() | 1213 | 0.00000000 | Central de semiconductores | * | Una granela | Obsoleto | - | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP773-CMPDM302PH-CT | - | ![]() | 5995 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 | Canal P | 30 V | 2.4a (TA) | 2.5V, 4.5V | 91mohm @ 1.2a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 9.6 NC @ 5 V | 12V | 800 pf @ 10 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bf246c | - | ![]() | 9640 | 0.00000000 | Central de semiconductores | * | Una granela | Activo | BF246 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | Bf246c pbfree | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA64 PBFree | 0.5100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MPSA64 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.500 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100MA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMEDA-6I TR | - | ![]() | 3914 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Sot-28 | Estándar | Sot-28 | descascar | 1514-CMEDA-6ITR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 4 Independientes | 60 V | 250 mA (DC) | 1 V @ 10 Ma | 100 ns | 25 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLT2222AG TR PBFREE | 1.0100 | ![]() | 2118 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | CMLT2222 | 150MW | SOT-563 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 600mA | 10NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cmoz11l tr pbfree | 0.2250 | ![]() | 2262 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | CMOZ11 | 250 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 8 V | 11 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6071A PBFree | - | ![]() | 2049 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | A-126 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-2N6071APBFree | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | Soltero | 15 Ma | Lógica - Puerta sensible | 200 V | 4 A | 2 V | 30A @ 60Hz | 10 Ma |
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