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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
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![]() | BAS56 BK | - | ![]() | 8070 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | BAS56 | Estándar | SOT-143 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 1,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Independientes | 60 V | 200MA (DC) | 1 V @ 200 Ma | 6 ns | 100 na @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5194 | - | ![]() | 6975 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 40 W | A-126 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2N5194CS | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 60 V | 4 A | 1mera | PNP | 1.4v @ 1a, 4a | 25 @ 1.5a, 2v | 2MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cxt5551e bk | - | ![]() | 4591 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 1.2 W | Sot-89 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 220 V | 600 mA | 50NA | NPN | 100mv @ 5 mm, 50 Ma | 120 @ 10mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N4237 PBFree | 3.4600 | ![]() | 132 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 6 W | To-39 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 40 V | 3 A | 700 µA | NPN | 600mv @ 100 mm, 1a | 30 @ 250 Ma, 1V | 2MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP206-2N4393-WN | - | ![]() | 4399 | 0.00000000 | Central de semiconductores | * | Una granela | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP206-2N4393 WN | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5228B BK | - | ![]() | 4099 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 3 Independientes | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CWDM305PD TR13 PBFree | 0.1675 | ![]() | 8037 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CWDM305 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 5.3a | 72mohm @ 2.7a, 10v | 3V @ 250 µA | 7NC @ 5V | 590pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPD24-CMR1F-06M-CT | - | ![]() | 8527 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Activo | Montaje en superficie | Morir | CPD24 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5614 BK | - | ![]() | 5187 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | R-1, axial | 1N5614 | Estándar | GPR-1A | - | Alcanzar sin afectado | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 V @ 10 Ma | 2 µs | 500 na @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | 35pf @ 12V, 130kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP245-CEN1309A-CM | - | ![]() | 7240 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | 1514-CP245-CEN1309A-CM | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPT4403 TR PBFREE | 1.0500 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPT4403 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 600 mA | - | PNP | 750mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 10mA, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ5221B TR | - | ![]() | 8840 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMHZ5221BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP32B PBFree | 0.6296 | ![]() | 1160 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | TIP32 | 40 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 3 A | 300 µA | PNP | 1.2V @ 375MA, 3A | 25 @ 1a, 4v | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2n686a | - | ![]() | 5915 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-208AA, TO-48-3, Stud | A-48 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 100 | 50 Ma | 250 V | 25 A | 2 V | 200a @ 60Hz | 40 Ma | 2 V | 11 MA | Recuperación | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4626 BK | - | ![]() | 7954 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMHZ4626BK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 µA @ 4 V | 5.6 V | 1400 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5064 PBFree | 0.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2.500 | 5 Ma | 200 V | 800 Ma | 800 MV | - | 200 µA | 1.7 V | 1 µA | Puerta sensible | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5339C TR | - | ![]() | 2338 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | T-18, axial | 5 W | Ax-5W | - | 1514-1N5339CTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 1 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP48 | - | ![]() | 8424 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 40 W | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | TIP48CS | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 400 V | 1 A | 1mera | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 30 @ 300mA, 10V | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CRSH2-4 BK | - | ![]() | 3929 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Schottky | Do-15 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 2 A | 500 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 2a | 170pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N2722 | - | ![]() | 1244 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N272 | 600MW | Un 78-6 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45V | 40mera | - | 2 NPN (dual) | - | 50 @ 1 µA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSHD3-60 TR13 PBFREE | 0.8800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | CSHD3 | Schottky | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 3 A | 30 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP327V-MPSA13-CT | - | ![]() | 5406 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | CP327 | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CP327V-MPSA13-CT | EAR99 | 8541.21.0040 | 400 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4058 PBFree | 0.3381 | ![]() | 3992 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 30 V | 200 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 100 µA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMOZ4L3 TR PBFREE | 0.6600 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | CMOZ4 | 250 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 1.5 V | 4.3 V | 1600 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CXT3019 TR PBFREE | 0.9700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | CXT3019 | 1.2 W | Sot-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 V | 1 A | 10NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZT900K TR | - | ![]() | 4216 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 2 W | SOT-223 | descascar | 1514-CZT900KTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 25 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 900000 @ 100 mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP36C SL | - | ![]() | 3699 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 218-3 | TIP36 | 125 W | Un 218 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 V | 25 A | - | PNP | - | 10 @ 15a, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CQ220-16B | - | ![]() | 7838 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | Soltero | 25 Ma | Interano de activado | 200 V | 16 A | 2.5 V | - | 75 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMJ1000 TR PBFREE | 6.2200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Efecto de Campo de Silicio | Montaje en superficie | SOD-123F | CMJ1000 | 500MW | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100V | 1.32MA | 1.7V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CXTA27 TR PBFREE | 0.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | CXTA27 | 1.2 W | Sot-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 500 mA | 500NA | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125MHz |
Volumen de RFQ promedio diario
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