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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Ganar | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | CLLSH1-20 BK | - | ![]() | 2911 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | SMA | - | 1514-CLLSH1-20BK | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 20 V | - | 1A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | CTLSH1-40M832DS TR | - | ![]() | 4402 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-tdfn | Schottky | TLM832DS | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 1 A | 200 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N755A TR PBFree | 0.4600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 7.5 V | 6 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | CLL5233B BK Tin/Plomo | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.25 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3.5 V | 6 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | CMSZ5237B BK | - | ![]() | 5851 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | CMSZ5237 | 275 MW | Sot-323 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.2 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | CPZ58X-BZX55C3V3-CM | - | ![]() | 8009 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | 1514-CPZ58X-BZX55C3V3-CM | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 100 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.3 V | 85 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | CTLSH3-30M833 TR | - | ![]() | 3232 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | Schottky | TLM833 | descascar | 1514-CTLSH3-30M833TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 450 MV @ 3 A | 1 ma @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||
CMZ5954B TR13 | 0.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | CMZ5954 | 500 MW | SMA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 121.6 V | 160 V | 700 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | 2N918 PBFree | 6.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | 200MW | TO-72 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | - | 15V | 50mera | NPN | 20 @ 3mA, 1V | 600MHz | 6dB @ 60khz | |||||||||||||||||
![]() | CMPZ5264B TR PBFREE | 0.4800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPZ5264 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 46 V | 60 V | 170 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | 2N6318 | - | ![]() | 4734 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 90 W | TO-66 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-2N6318 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 7 A | 500 µA | 2V @ 1.75a, 7a | 35 @ 500 mA, 4V | 4MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CEN867 BK Tin/Plomo | - | ![]() | 6403 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1514-cen867bktin/plomo | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZT900K BK | - | ![]() | 4382 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 2 W | SOT-223 | descascar | 1514-CZT900KBK | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 25 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 900000 @ 100 mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CMSH3-150MFL TR13 PBFree | 0.5200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | CMSH3 | Schottky | Smaflat | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 900 MV @ 3 A | 50 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 90pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | CLL4711 TR | - | ![]() | 4998 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | 1514-CLL4711TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 na @ 20.4 V | 27 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4717 BK | - | ![]() | 2200 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMHZ4717BK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 na @ 32.6 V | 43 V | |||||||||||||||||||||
![]() | CMSZDA33V TR PBFREE | 0.5100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | CMSZDA33 | 275 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | 2N6315 PBFree | - | ![]() | 1121 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1514-2N6315PBFree | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
2N3501 PBFree | 7.9100 | ![]() | 552 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | To-39 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 150 V | 300 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 100 @ 150mA, 10V | 150MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CMOZ33L TR PBFREE | 0.1725 | ![]() | 4713 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | CMOZ33 | 250 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 30 V | 33 V | 250 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | 1N975B TR PBFREE | 0.0734 | ![]() | 8631 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 29.7 V | 39 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4687 TR PBFREE | 0.2190 | ![]() | 4313 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 Ma | 4 µA @ 2 V | 4.3 V | |||||||||||||||||||||
![]() | CTLSH1-50M832DS BK | - | ![]() | 7061 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-tdfn | Schottky | TLM832DS | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 550 MV @ 1 A | 500 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | CMDZ5239B TR PBFREE | 0.3600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | CMDZ5239 | 250 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 7 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||
CMZ5938B BK PBFree | 0.2315 | ![]() | 8660 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | CMZ5938 | 500 MW | SMA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 27.4 V | 36 V | 38 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | CMOZ3V3 TR PBFREE | 0.5800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | CMOZ3 | 300 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||
1N4762A TR | - | ![]() | 1930 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | CP219-2N5339-WN | - | ![]() | 4120 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 6 W | Morir | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 100 V | 5 A | 100 µA | NPN | 1.2V @ 500 Ma, 5a | 60 @ 2a, 2v | 30MHz | |||||||||||||||||||
![]() | Cyt5551d bk | - | ![]() | 8880 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-228 | Cyt5551 | 2W | Sot-228 | descascar | 1514-cyt5551dbk | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 160V | 600mA | 50NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 200 MV a 5 mm, 50 Ma | 80 @ 10mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CMDZ5250B TR PBFREE | 0.7000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | CMDZ5250 | 250 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 15 V | 20 V | 25 ohmios |
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