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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Drenaje real (ID) - Max |
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![]() | CP375-CWDM3011N-CT | - | ![]() | 8904 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP375-CWDM3011N-CT | EAR99 | 8541.29.0040 | 340 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 11a, 10v | 3V @ 250 µA | 6.3 NC @ 5 V | ± 20V | 860 pf @ 15 V | - | 2.5w | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP406-CWDM3011N-CT | - | ![]() | 4426 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CP406-CWDM3011N-CT | EAR99 | 8541.29.0040 | 340 | N-canal | 30 V | 9.93a (TA) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 1a, 10v | 3V @ 250 µA | ± 20V | - | 1.15W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3725 PBFree | - | ![]() | 5317 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 800 MW | To-39 | descascar | 1514-2N3725PBFree | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | 50 V | 1.2 A | 10 µA | NPN | 950mv @ 100 mm, 1a | 60 @ 100mA, 1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3725A LATA/PLOMO | - | ![]() | 5977 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | To-39 | descascar | 1514-2N3725ATIN/Plomo | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 50 V | 1.2 A | 10 µA | NPN | 900mv @ 100 mm, 1a | 60 @ 100mA, 1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP337V-2N3725-CT20 | - | ![]() | 2853 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 800 MW | Morir | descascar | 1514-CP337V-2N3725-CT20 | EAR99 | 8541.29.0040 | 20 | 50 V | 1.2 A | 10 µA | NPN | 950mv @ 100 mm, 1a | 60 @ 100mA, 1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE | 0.4300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | SMC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 5 A | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN3646 Tre Tin/Plomo | - | ![]() | 3327 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | 1514-PN3646Tretin/Leadtr | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN3646 APM PBFree | - | ![]() | 4626 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | 1514-PN3646APMPBFREETB | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1-D060S | 0.8800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | CBR1 | Tubo | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | 4-smdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CBR1-D060S | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 600 V | 1 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP246-PN3646 WN | - | ![]() | 6375 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | 1514-CP246-PN3646 WN | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4764 BK Tin/Plomo | 0.4500 | ![]() | 8607 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N486B BK Tin/Plomo | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 250 V | 1 V @ 100 Ma | 50 na @ 250 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5194 LATA/PLOMO | 1.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 40 W | A-126 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 4 A | 1mera | PNP | 1.4v @ 1a, 4a | 25 @ 1.5a, 2v | 2MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1-100 ESTARO/PLOMO | 1.4800 | ![]() | 218 | 0.00000000 | Central de semiconductores | CBR1 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-Circular, Un Estuche | Estándar | Un Caso | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 1000 V | 1.5 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N982B BK Tin/Plomo | - | ![]() | 2915 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 56 V | 75 V | 270 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6719 TRC TIN/Plomo | - | ![]() | 7861 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | Un 237AA | 2 W | Un 237 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 300 V | 500 mA | - | NPN | - | - | 30MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4731A BK Tin/Plomo | 0.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5559B BK Tin/Plomo | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | T-18, axial | 5 W | Ax-5W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 v @ 1 a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP206-2N4393-CM | - | ![]() | 1929 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 1.8 W | Morir | descascar | 1 (ilimitado) | 1514-CP206-2N4393-CM | Obsoleto | 1 | N-canal | 400 MV | 14pf @ 20V | 40 V | 5 Ma @ 20 V | 500 MV @ 1 Na | 100 ohmios | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CQ39DS | - | ![]() | 1604 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | To-39 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CQ39DS | EAR99 | 8541.30.0080 | 500 | Soltero | 5 Ma | Estándar | 400 V | 4 A | 2 V | 35A @ 50Hz | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CET3906EVL TR | - | ![]() | 4338 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-883vl | - | 1 (ilimitado) | 1514-CET3906EVLTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 450mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 460mohm @ 200Ma, 4.5V | 1V @ 250 µA | 0.792 NC @ 4.5 V | 8V | 43 pf @ 25 V | - | 100MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CET3904EVL TR | - | ![]() | 1214 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | 250 MW | Sot-883vl | - | 1 (ilimitado) | 1514-CET3904EVLTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 40 V | 200 MA | - | NPN | 200 MV a 5 mm, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEDM8001VL BK | - | ![]() | 2551 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-883vl | descascar | 1 (ilimitado) | 1514-CEDM8001VLBK | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal P | 20 V | 200MA (TA) | 1.5V, 4V | 8ohm @ 10mA, 4V | 1.1V @ 250 µA | 0.658 NC @ 4.5 V | 10V | 45 pf @ 3 V | - | 100MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP216-2N4392-CT20 | - | ![]() | 1546 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 350 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP216-2N4392-CT20 | Obsoleto | 20 | N-canal | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 25 Ma @ 20 V | 2 V @ 1 Na | 60 ohmios | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP647-CEN1359-CM | - | ![]() | 4759 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | 1 (ilimitado) | 1514-CP647-CEN1359-CM | Obsoleto | 1 | 120 V | 30 A | 1mera | PNP - Darlington | 4V @ 300 Ma, 30a | 1000 @ 20a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP647-HPMD19K100-CM | - | ![]() | 9856 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | 1 (ilimitado) | 1514-CP647-HPMD19K100-CM | Obsoleto | 1 | 120 V | 30 A | 1mera | PNP - Darlington | 4V @ 300 Ma, 30a | 1000 @ 20a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5993C TR | - | ![]() | 7177 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-1N5993CTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5993C BK | - | ![]() | 3406 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-1N5993CBK | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 100 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP403-CZDM0605N-CT | - | ![]() | 4105 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CP403-CZDM0605N-CT | 340 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP372-CT | - | ![]() | 2043 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP372-CT | Obsoleto | 340 |
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