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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | 1N5334B BK | - | ![]() | 9157 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | T-18, axial | 5 W | Ax-5W | descascar | 1514-1N5334BBK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 1 a | 150 µA @ 1 V | 3.6 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMXZ39VTO BK | - | ![]() | 9115 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | 350 MW | Sot-26 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Cmxz39vtobk | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 3 Independientes | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc846bt tr pbfree | 0.4300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | BC846 | 250 MW | SOT-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLT5088E TR PBFREE | 0.7300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | CMLT5088 | 350MW | SOT-563 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100mA | 50NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 400mv @ 10 Ma, 100 Ma | 300 @ 100 µA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CQ92B | - | ![]() | 4463 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Un 92-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | Soltero | 5 Ma | Interano de activado | 200 V | 1 A | 2 V | - | 5 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4715 BK PBFree | 0.2190 | ![]() | 6685 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 na @ 27.3 V | 36 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CUD10-02 TR13 | - | ![]() | 6279 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Estándar | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | CUD10-02TR13 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | 62pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMDZ5236B TR PBFREE | 0.3600 | ![]() | 913 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | CMDZ5236 | 250 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 6 V | 7.5 V | 6 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1-D060S TR13 PBFree | 0.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | CBR1-D060 | Estándar | 4-smdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 600 V | 1 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4099 BK PBFree | 0.2175 | ![]() | 6952 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 250 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4683 BK | - | ![]() | 9239 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMHZ4683BK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 800 na @ 1 V | 3 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5341B BK | - | ![]() | 8571 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | T-18, axial | 5 W | Ax-5W | descascar | 1514-1N5341BBK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 1 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSICD05-1200 BK | - | ![]() | 2331 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 150 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 190 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | 240pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMST3906 TR PBFREE | 0.4000 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | CMST3906 | 275 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 200 MA | - | PNP | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR3-100 BK | - | ![]() | 6239 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | 1514-CR3-100BK | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 3 a | 10 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5416 BK Tin/Plomo | 0.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | R-4, axial | Estándar | GPR-4AM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 3 a | 150 ns | 1 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 3A | 175pf @ 12V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Cmr2u-02 bk pbfree | 0.1425 | ![]() | 5653 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | CMR2U-02 | Estándar | SMB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 2 a | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR3-010 TR | - | ![]() | 5005 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | 1514-CR3-010TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 3 a | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CJD3055 TR13 LATA/PLOMO | - | ![]() | 7229 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 1.75 W | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CJD3055TR13TIN/Leadtr | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 60 V | 10 A | 50 µA | NPN | 8V @ 3.3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | 2MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS3P-40PB | - | ![]() | 6399 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | descascar | Vendedor indefinido | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 80 Ma | 1.2 kV | 40 A | 1.5 V | 40A @ 50Hz | 6 MA | 1.5 V | 20 µA | Recuperación | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N87A TR | - | ![]() | 4863 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | Estándar | Do-7 | descascar | 1514-1N87ATR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 23 V | 250 mV A 100 µA | 10 µA @ 1.5 V | -50 ° C ~ 75 ° C | 50mera | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPZ59X-1N968B-WN | - | ![]() | 3730 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | 1514-CPZ59X-1N968B WN | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPZ58X-1N4692-CT | - | ![]() | 2645 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | 1514-CPZ58X-1N4692-CT | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 µA @ 5.1 V | 6.8 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPZ58X-BZX55C3V3-CM | - | ![]() | 8009 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | 1514-CPZ58X-BZX55C3V3-CM | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 100 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.3 V | 85 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6071B Estare/Plomo | - | ![]() | 2208 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | A-126 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-2n6071btin/Plomo | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | Soltero | 15 Ma | Lógica - Puerta sensible | 200 V | 4 A | 2 V | 30A @ 60Hz | 5 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3595 TR | - | ![]() | 1042 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | Do-35 | - | 1514-1N3595TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 150 V | 920 MV @ 100 Ma | 3 µs | 1 na @ 125 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 150 Ma | 8pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM8002A-M621 BK | - | ![]() | 6174 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Powervfdfn | Mosfet (Óxido de metal) | TLM621 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | Canal P | 50 V | 280MA (TA) | 5V, 10V | 2.5ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.72 NC @ 4.5 V | 20V | 70 pf @ 25 V | - | 900MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N533333B TR | - | ![]() | 1401 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | T-18, axial | 5 W | Ax-5W | descascar | 1514-1N5333BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 1 a | 300 µA @ 1 V | 3.3 V | 3 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP208-2N3054 WN | - | ![]() | 1533 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 25 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP208-2N3054 WN | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 55 V | 4 A | 500 µA | NPN | 6V @ 1a, 3a | 25 @ 500 Ma, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5384B TR | - | ![]() | 4449 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | 5 W | DO-2010 | descascar | 1 (ilimitado) | CZ5384BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.400 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 122 V | 160 V | 350 ohmios |
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