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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ACT108-600E, 412 | 0.1606 | ![]() | 7809 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | ACT108 | Un 92-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 5,000 | Soltero | 25 Ma | Lógica - Puerta sensible | 600 V | 800 Ma | 1 V | 8a, 8.8a | 10 Ma | |||||||||||||||||
![]() | BT151-500RT, 127 | 0.7000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BT151 | Un 220b | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 20 Ma | 500 V | 12.5 A | 1.5 V | 120a, 132a | 15 Ma | 1.75 V | 8 A | 500 µA | Recuperación | |||||||||||||||
BTA208X-1000C0,127 | 0.8500 | ![]() | 9976 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | BTA208 | Un 220F | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | Soltero | 50 Ma | Estándar | 1 kV | 8 A | 1.5 V | 65a, 71a | 35 Ma | ||||||||||||||||||
![]() | BYV34-400,127 | 1.6700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BYV34 | Estándar | Un 220b | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 20A | 1.35 V @ 20 A | 60 ns | 50 µA @ 400 V | - | |||||||||||||||||
BT137X-800,127 | 0.2753 | ![]() | 6113 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | BT137 | Un 220F | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | Soltero | 20 Ma | Estándar | 800 V | 8 A | 1.5 V | 65a, 71a | 35 Ma | ||||||||||||||||||
![]() | Byv10-600pq | 0.7400 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYV10 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 10 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 10A | - | |||||||||||||||||
![]() | Tyn40-800tq | 1.7000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Tyn40 | Un 220b | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 934072023127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 60 Ma | 800 V | 40 A | 1.2 V | 450a, 495a | 15 Ma | 1.6 V | 25 A | Recuperación | |||||||||||||||
![]() | WNS20S100CBJ | 0.7400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | WNS20 | Schottky | D2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 950 MV @ 10 A | 50 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||
![]() | WNS20H100CBJ | 0.8500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | WNS20 | Schottky | D2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 750 MV @ 10 A | 50 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||
![]() | WNS20H100CQ | 0.8100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | WNS20 | Schottky | TO20E | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 934072010127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 750 MV @ 10 A | 50 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||
![]() | NXPSC06650B6J | 3.7000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | D2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 6A | 190pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | NXPSC06650D6J | 3.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 6A | 190pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | NXPSC10650D6J | 6.0000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 10A | 300pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | NXPSC046506Q | 2.6700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | Un 220-2 | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | 1 (ilimitado) | 934072071127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 4 a | 0 ns | 170 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 4A | 130pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | BT153B-1200T-AJ | 0.8690 | ![]() | 5307 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | BT153 | D2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 800 | 80 Ma | 1.2 kV | 47 A | 1 V | 350a, 385a | 50 Ma | 1.3 V | 30 A | 2 MA | Recuperación | |||||||||||||||
BTA206X-800CT/DGQ | 0.8400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | BTA206 | Un 220F | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Soltero | 35 Ma | Estándar | 800 V | 6 A | 1 V | 60a, 66a | 35 Ma | ||||||||||||||||||
![]() | Murs360bj | 0.4600 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Murs3 | Estándar | SMB | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 3 A | 50 ns | 3 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||||||||
![]() | WNSC021200Q | 1.5147 | ![]() | 2967 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | Un 220-2 | WNSC0 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.6 v @ 2 a | 0 ns | 20 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | 2A | 109pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | BYV430W-600PQ | 2.6000 | ![]() | 528 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | BYV430 | Estándar | TO-247-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 60A | 2 V @ 30 A | 90 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||
![]() | WND08P16DJ | 0.8800 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | WND08 | Estándar | Dpak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.25 v @ 8 a | 50 µA @ 1600 V | 150 ° C | 8A | - | ||||||||||||||||||
![]() | NXPSC20650W-AQ | 6.1465 | ![]() | 9940 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | TO-247-3 | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 650 V | 20A | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 60 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||
BYC405X-400PQ | 0.4257 | ![]() | 9709 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | BYC405 | Estándar | Un 220F | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.5 V @ 5 A | 40 ns | 10 µA @ 400 V | 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||
![]() | WND60P16WQ | 3.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | WND60 | Estándar | To-247-2 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.12 v @ 60 a | 50 µA @ 1600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 60A | - | ||||||||||||||||||
![]() | WNSC051200Q | 2.8875 | ![]() | 1127 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | Un 220-2 | WNSC0 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.6 v @ 5 a | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | 5A | 250pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||
Tyn20x-800tfq | 0.4445 | ![]() | 2253 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Tyn20 | Un 220F | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 40 Ma | 800 V | 20 A | 1.3 V | 210a, 231a | 32 Ma | 1.5 V | 12.7 A | 1 MA | Recuperación | ||||||||||||||||
![]() | BYV29G-600,127 | 0.4620 | ![]() | 5838 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | BYV29 | Estándar | I2pak (TO-262) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 934063969127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 v @ 8 a | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 9A | - | ||||||||||||||||
![]() | NXPSC12650B6J | 3.6300 | ![]() | 7568 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 80 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 12A | 380pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D16650CWQ | 2.6160 | ![]() | 1862 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | 1740-WNSC2D16650CWQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 650 V | 16A | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 40 µA @ 650 V | 175 ° C | |||||||||||||||||
![]() | WNSC2D16650CJQ | 4.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 3pf | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 650 V | 16A | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 40 µA @ 650 V | 175 ° C | ||||||||||||||||||
WNSC2D301200CWQ | 7.3439 | ![]() | 8131 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 30A | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 150 µA @ 1200 V | 175 ° C |
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