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Productos de semiconductoros discretos (13)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Tecnología	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f
IV1D12020T3	17.9500	RFQ	120	Inventchip	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	TO-247-3	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	4084-IV1D12020T3	EAR99		30	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)												1 par Cátodo Común	1200 V	30A (DC)	1.8 V @ 20 A	0 ns	100 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
IV1D12010O2	11.0300	RFQ	190	Inventchip	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	Un 220-2	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	Un 220-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	4084-IV1D12010O2	EAR99	8541.10.0080	50	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)													1200 V		1.8 V @ 10 A	0 ns	50 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	28A	575pf @ 1V, 1 MHz
IV1D06006P3	4.2300	RFQ	2	Inventchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	Un 252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)		EAR99	8541.10.0080	2.500	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)													650 V		1.65 v @ 6 a	0 ns	10 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	16.7a	224pf @ 1v, 1 MHz
IV1D12020T2	17.9500	RFQ	120	Inventchip	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	To-247-2	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	To-247-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	4084-IV1D12020T2	EAR99		30	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)													1200 V		1.8 V @ 20 A	0 ns	120 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	54A	1114pf @ 1v, 1 MHz
IV1Q12050T4	38.5000	RFQ	4491	Inventchip	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-4	Sicfet (CARBURO DE SILICIO)	TO-247-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	4084-IV1Q12050T4	EAR99	8541.29.0095	30		N-canal	1200 V	58a (TC)	20V	65mohm @ 20a, 20V	3.2V @ 6MA	120 NC @ 20 V	+20V, -5V	2750 pf @ 800 V	-	344W (TC)
IV1Q12050T3	37.4900	RFQ	3	Inventchip	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Sicfet (CARBURO DE SILICIO)	TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	4084-IV1Q12050T3	EAR99	8541.29.0095	30		N-canal	1200 V	58a (TC)	20V	65mohm @ 20a, 20V	3.2V @ 6MA	120 NC @ 20 V	+20V, -5V	2770 pf @ 800 V	-	327W (TC)
IV1D12030U3	23.8500	RFQ	110	Inventchip	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	TO-247-3	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	4084-IV1D12030U3	EAR99		30	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)												1 par Cátodo Común	1200 V	44a (DC)	1.8 V @ 15 A	0 ns	80 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
IV1D12015T2	13.6300	RFQ	120	Inventchip	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	To-247-2	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	To-247-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	4084-IV1D12015T2	EAR99		30	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)													1200 V		1.8 V @ 15 A	0 ns	80 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	44a	888pf @ 1v, 1 MHz
IV1D12010T2	11.0300	RFQ	110	Inventchip	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	To-247-2	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	To-247-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	4084-IV1D12010T2	EAR99		30	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)													1200 V		1.8 V @ 10 A	0 ns	50 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	575pf @ 1V, 1 MHz
IV1D12005O2	6.1300	RFQ	164	Inventchip	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	Un 220-2	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	Un 220-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	4084-IV1D12005O2	EAR99	8541.10.0080	50	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)													1200 V		1.8 V @ 5 A	0 ns	30 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	17A	320pf @ 1V, 1 MHz
IV1D12040U2	27.8300	RFQ	120	Inventchip	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	To-247-2	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	To-247-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	4084-IV1D12040U2	EAR99		30	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)												1 par Cátodo Común	1200 V	102a (DC)	1.8 V @ 40 A	0 ns	200 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
IV1Q12160T4	18.7400	RFQ	106	Inventchip	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-4	Sicfet (CARBURO DE SILICIO)	TO-247-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	4084-IV1Q12160T4	EAR99		30		N-canal	1200 V	20A (TC)	20V	195mohm @ 10a, 20V	2.9V @ 1.9MA	43 NC @ 20 V	+20V, -5V	885 pf @ 800 V	-	138W (TC)
IV1D06006O2	4.0900	RFQ	136	Inventchip	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	Un 220-2	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	Un 220-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	4084-IV1D06006O2	EAR99	8541.10.0080	50	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)													650 V		1.65 v @ 6 a	0 ns	10 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	17.4a	212pf @ 1V, 1 MHz