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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 16CTQ100-1 | - |  | 8349 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | 16CTQ | Schottky | Un 262-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *16CTQ100-1 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 8A | 720 MV @ 8 A | 550 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
 | VS-1EFH02-M3/I | 0.3800 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | 1EFH02 | Estándar | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 930 MV @ 1 A | 16 ns | 2 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||
| VS-40CTQ150-1PBF | - | | 3783 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | 40ctq150 | Schottky | Un 262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS40CTQ1501PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 20A | 1.16 V @ 40 A | 50 µA @ 150 V | 175 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5399GPHE3/73 | - | | 6730 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5399 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.4 V @ 1.5 A | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| By127mgphe3/54 | - | | 6043 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | BY127 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1250 V | 1.5 V @ 5 A | 2 µs | 5 µA @ 1250 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.75a | - | |||||||||||||||||||||||||||
| Ss1f4hm3/i | 0.0924 | | 8854 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS1F4 | Schottky | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 520 MV @ 1 A | 150 µA @ 40 V | 175 ° C (Máximo) | 1A | 85pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZG05C10-HE3-TR3 | - | | 2360 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 7 V | 10 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | UG4A-M3/73 | - | | 1090 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | UG4 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | VS-85HFLR60S05 | 14.6345 | | 7532 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 85HFLR60 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.75 V @ 266.9 A | 500 ns | 100 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 85a | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | VLZ2V4A-GS08 | - | | 8793 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ2V4 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 70 µA @ 1 V | 2.43 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MBRB2550CT-E3/45 | - | | 6411 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB25 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 15A | 750 MV @ 15 A | 1 ma @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84C6V2-HE3_A-18 | 0.0498 | | 1564 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-BZX84C6V2-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5241C-TR | 0.0288 | | 2781 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5241 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 8.4 V | 11 V | 22 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5402-E3/51 | - | | 8495 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | 1N5402 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 v @ 3 a | 5 µA @ 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Irke56/12a | - | | 8252 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Add-a-pak (2) | Irke56 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 10 Ma @ 1200 V | 60A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SSA23L-M3/61T | 0.1041 | | 7362 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SSA23 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 450 MV @ 2 A | 200 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BYM10-1000HE3/96 | - | | 5927 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | Bym10 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | BYM10-1000HE3_A/H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | 115CNQ015A | - | | 7408 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D-61-8 | 115CNQ015 | Schottky | D-61-8 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 15 V | 55a | 370 MV @ 55 A | 20 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RGP02-16EHE3/53 | - | | 2960 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP02 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.8 V @ 100 Ma | 300 ns | 5 µA @ 1600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | |||||||||||||||||||||||||||
| AZ23C3V6-HE3_A-18 | - | | 6682 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-AZ23C3V6-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBZ4691-G3-08 | - | | 8941 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4691 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10 µA @ 5 V | 6.2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-VSKN26/08 | 35.8170 | | 1615 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKN26 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKN2608 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 800 V | 60 A | 2.5 V | 400a, 420a | 150 Ma | 27 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||||||
| VS-GB200TH120U | - | | 9330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (3 + 4) | GB200 | 1316 W | Estándar | Doble int-a-pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB200TH120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio puente | - | 1200 V | 330 A | 3.6V @ 15V, 200a | 5 Ma | No | 16.9 NF @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||
| MMBZ4624-E3-18 | - | | 2572 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4624 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 µA @ 3 V | 4.7 V | 1550 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-10MQ040NTRPBF | 0.6400 | | 169 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 10MQ040 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 540 MV @ 1 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 38pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| VS-15eth03Strlpbf | - | | 1757 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 15eth03 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vs15eth03Strlpbf | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.25 V @ 15 A | 40 ns | 40 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | VS-6F120 | 8.2100 | | 2429 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 6f120 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.1 v @ 19 a | 12 Ma @ 1200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| VS-40HFL60S02 | 11.9500 | | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 40HFL60 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.95 V @ 40 A | 200 ns | 100 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 40A | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | VS-90SQ045TR | - | | 4410 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204ar, axial | 90SQ045 | Schottky | Do-204ar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 480 MV @ 9 A | 1.75 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 9A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5263B-TAP | 0.2300 | | 46 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5263 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 43 V | 56 V | 150 ohmios |
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