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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N4948GP-M3/73	-	RFQ	3498	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4948	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	1 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-73-4790	-	RFQ	7282	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto									-				112-VS-73-4790	Obsoleto		1
1N3292	-	RFQ	6994	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	DO-205AA, DO-8, Semento	1N3292	Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.5 V @ 100 A		21 Ma @ 500 V	-40 ° C ~ 200 ° C	100A	-
Byt53b-tap	0.2772	RFQ	7016	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	ByT53	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 1 a	50 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.9a	-
60APU02	-	RFQ	5558	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	60APU02	Estándar		To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.08 V @ 60 A	35 ns	50 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	60A	-
V15KM100C-M3/H	0.4211	RFQ	4971	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-V15KM100C-M3/HTR	EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	4.5a	740 MV @ 7.5 A		400 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VSB1545-M3/54	-	RFQ	6353	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	P600, axial	B1545	Schottky		P600	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		590 MV @ 15 A		800 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	15A	1290pf @ 4V, 1MHz
60cpf10	-	RFQ	7946	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	60cpf10	Estándar		To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.4 V @ 60 A	480 ns	100 µA @ 1000 V	-40 ° C ~ 150 ° C	60A	-
BZX55F30-TR	-	RFQ	3207	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 1%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55		500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 22 V				30 V	80 ohmios
Byg21m/54	-	RFQ	3000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg21	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.6 V @ 1.5 A	120 ns	1 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
TLZ20C-GS18	0.0335	RFQ	8726	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ20		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		40 na @ 18.3 V				20 V	28 ohmios
V20PWM60C-M3/I	1.0200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V20PWM60	Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	10A	660 MV @ 10 A		600 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-5EWH06FNTRL-M3	0.3652	RFQ	8082	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	5ewh06	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS5EWH06FNTRLM3	EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.85 v @ 5 a	25 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	-
VS-SD600N16PC	158.6317	RFQ	7319	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	B-8	SD600	Estándar		B-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V		1.31 V @ 1500 A		35 mA @ 1600 V	-40 ° C ~ 180 ° C	600A	-
SS25HE3/5BT	-	RFQ	2173	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS25	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		700 MV @ 2 A		400 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
1N4002GP-E3/54	0.4900	RFQ	43	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4002	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
VB60100C-E3/4W	2.6900	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB60100	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	30A	790 MV @ 30 A		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BZD27C62P-HM3-18	0.0990	RFQ	9923	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6.45%	175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-219AB			800 MW	DO-219AB (SMF)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-BZD27C62P-HM3-18TR	EAR99	8541.10.0050	10,000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 47 V				62 V	80 ohmios
VS-HFA08TA60CSL-M3	0.4648	RFQ	8499	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	HFA08	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	4A (DC)	2.2 v @ 8 a	42 ns	3 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
TZM5267B-GS18	0.0303	RFQ	7059	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5267		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 56 V				75 V	270 ohmios
AZ23B6V8-E3-18	0.0509	RFQ	6752	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B6V8		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 3 V				6.8 V	8 ohmios
VS-SD1500C30L	145.4900	RFQ	3806	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Apretar	Do-200ab, B-PUK	SD1500	Estándar		Do-200ab, B-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		3000 V		1.64 V @ 3000 A		50 mA @ 3000 V		1600A	-
RGP10BE-E3/54	0.4800	RFQ	9414	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-HFA08SD60SL-M3	1.1844	RFQ	4217	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	HFA08	Estándar		TO-252, (D-Pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSHFA08SD60SLM3	EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.7 V @ 8 A	55 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
SB5H90-E3/54	0.7500	RFQ	7168	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SB5H90	Schottky		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		90 V		800 MV @ 5 A		200 µA @ 90 V	175 ° C (Máximo)	5A	-
VS-20ETF02-M3	2.0048	RFQ	2472	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	20etf02	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs20etf02m3	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 20 A	60 ns	100 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
VS-MUrB1520TRL-M3	1.1600	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Murb1520	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.05 v @ 15 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
40L15cts	-	RFQ	9838	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	40L15	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	15 V	20A	410 MV @ 19 A		10 Ma @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C
VSKC250-16	-	RFQ	3068	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKC250	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	1600 V	250a			50 mA @ 1600 V
SS3P3LHM3_A/H	0.2362	RFQ	2928	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Ss3p3	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		470 MV @ 3 A		250 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-