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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-MBR1045-N3	-	RFQ	9985	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	MBR10	Schottky			TO20AC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSMBR1045N3	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									45 V		840 MV @ 20 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	600pf @ 5V, 1MHz
UG4A-E3/73	-	RFQ	3719	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	UG4	Estándar			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									50 V		950 MV @ 4 A	30 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	4A	20pf @ 4V, 1 MHz
Es1bhe3_a/i	0.3900	RFQ	2103	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	ES1	Estándar			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									100 V		920 MV @ 1 A	25 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
VS-HFA16TB120SR-M3	1.5103	RFQ	9409	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	HFA16	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									1200 V		3.93 V @ 32 A	135 ns	20 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	-
1N4003GPEHE3/53	-	RFQ	1463	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4003	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									200 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
RGP02-16EHE3/54	-	RFQ	9996	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP02	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									1600 V		1.8 V @ 100 Ma	300 ns	5 µA @ 1600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	-
BZX84C36-HE3-18	0.0323	RFQ	8922	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C36		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															50 na @ 25.2 V					36 V	90 ohmios
S1bhe3_a/i	0.0641	RFQ	1730	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	S1B	Estándar			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									100 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
Irkd91/04a	-	RFQ	2473	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	Irkd91	Estándar			Add-a-pak®	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)								Conexión de la Serie de 1 par	400 V	100A			10 Ma @ 400 V
VX80M60PW-M3/P	2.0059	RFQ	5859	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3		Schottky			Un 247ad	descascar			Alcanzar sin afectado	112-VX80M60PW-M3/P	EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	60 V	40A	660 MV @ 40 A		800 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-SD200N16PC	65.9388	RFQ	4915	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AC, DO-30, Stud	SD200	Estándar			DO-205AC (DO-30)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSSD200N16PC	EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									1600 V		1.4 V @ 630 A			-40 ° C ~ 180 ° C	200a	-
VS-T110HF80	34.5980	RFQ	2416	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	D-55 T-Módulo	T110	Estándar			D-55	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									800 V				20 Ma @ 800 V		110A	-
GI1-1400GPHE3/54	-	RFQ	7925	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	Gi1	Estándar			DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									1400 V		1.1 v @ 1 a	1.5 µs	10 µA @ 1400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
VS-VSKD56/16	36.0820	RFQ	8849	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKD56	Estándar			Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKD5616	EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	1600 V	30A			10 Ma @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
SSB44HE3/5BT	-	RFQ	9149	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SSB44	Schottky			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									40 V		490 MV @ 4 A		400 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	4A	-
DZ23C16-E3-08	0.3100	RFQ	15	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Cátodo Común														100 na @ 12 V					16 V	40 ohmios
Bywb29-150he3_a/i	0.9264	RFQ	4134	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Bywb29	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									150 V		1.3 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C	8A	-
Murb1520-1	-	RFQ	7518	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Murb1520	Estándar			Un 262-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									200 V		1.05 v @ 15 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
30cph03	-	RFQ	3562	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	30cph	Estándar			To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	300 V	15A	1.25 V @ 15 A	40 ns	40 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-VSKV71/08	45.0910	RFQ	5656	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 4)	VSKV71			Ánodo Común: Todos los SCRS		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKV7108	EAR99	8541.30.0080	10			250 Ma	800 V	115 A	2.5 V	1300a, 1360a	150 Ma	75 A										2 SCRS
1N4004GPE-E3/93	-	RFQ	9547	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4004	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									400 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
BZT55C18-GS08	0.2100	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BZT55C18		500 MW		Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500													1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 13 V					18 V	50 ohmios
VF20100S-E3/4W	1.4100	RFQ	932	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	VF20100	Schottky			ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									100 V		900 MV @ 20 A		500 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
VS-S1091	-	RFQ	8443	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					S1091					-				112-VS-S1091			1
BZD27C15P-HE3-18	0.1520	RFQ	8861	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27C	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27		800 MW		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000													1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 11 V					15 V	10 ohmios
UHF5JT-E3/4W	-	RFQ	9041	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	UHF5	Estándar			ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									600 V		3 V @ 5 A	40 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-
VS-32CTQ030STRL-M3	1.6400	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	32CTQ030	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	30 V	15A	490 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Murs360he3_a/i	0.2932	RFQ	1829	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Murs360	Estándar			DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									600 V		1.28 v @ 3 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
VS-307UA200	-	RFQ	4322	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	307UA200	Estándar			DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS307UA200	EAR99	8541.10.0080	12		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									2000 V		1.46 V @ 942 A			-40 ° C ~ 180 ° C	330A	-
BZX384C3V6-HE3-08	0.2600	RFQ	2111	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C3V6		200 MW		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000															5 µA @ 1 V					3.6 V	90 ohmios