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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
V40DL63CHM3/I	2.4600	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Cinta de Corte (CT)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	V40DL63	Schottky			TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado				2,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	60 V	20A	590 MV @ 20 A		600 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BZT52B4V7-HE3_A-08	0.0533	RFQ	7150	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			300 MW		SOD-123	descascar				112-BZT52B4V7-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000															500 na @ 1 V					4.7 V	78 ohmios
MPG06KHE3/73	-	RFQ	3113	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	Mpg06	Estándar			Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									800 V		1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
BA158GPHE3/54	-	RFQ	9077	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BA158	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									600 V		1.3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
1N5257B-T	-	RFQ	2385	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5257		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	10,000													1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 25 V					33 V	700 ohmios
VS-UFB201FA40	46.9368	RFQ	9332	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	UFB201	Estándar			Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSUFB201FA40	EAR99	8541.10.0080	160		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								2 Independientes	400 V	120a	1.59 v @ 100 a	80 ns	50 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C
BZX384C6V2-G3-08	0.2900	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C6V2		200 MW		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000															3 µA @ 4 V					6.2 V	10 ohmios
V3pal45hm3_a/i	0.5300	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221BC, Almohadilla Expunesta de Cables Planos de Sma	V3PAL45	Schottky			DO-221BC (SMPA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									45 V		540 MV @ 3 A		450 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	450pf @ 4V, 1 MHz
SMZG3803BHE3/52	0.1980	RFQ	9371	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMZG3803		1.5 W		SMBG (DO-215AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	750															5 µA @ 29.7 V					39 V	45 ohmios
SS2PH10HE3/84A	-	RFQ	6990	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q100, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	SS2PH10	Schottky			DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									100 V		800 MV @ 2 A		1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	65pf @ 4V, 1 MHz
AZ23C5V1-E3-18	0.3100	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C5V1		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común														100 na @ 800 MV					5.1 V	60 ohmios
1N5408-E3/54	0.4700	RFQ	219	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	1N5408	Estándar			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									1000 V		1.2 v @ 3 a		5 µA @ 1000 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1 MHz
VS-VSKH162/12PBF	75.8607	RFQ	7360	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Int-a-pak (3 + 4)	VSKH162			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKH16212PBF	EAR99	8541.30.0080	15			200 MA	1.2 kV	355 A	2.5 V	4870a, 5100a	150 Ma	160 A										1 scr, 1 diodo
8eth03	-	RFQ	8935	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	8eth03	Estándar			TO20AC	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									300 V		1.25 v @ 8 a	35 ns	20 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
Fepb6dthe3/81	-	RFQ	2854	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Fepb6	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	200 V	6A	975 MV @ 3 A	35 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SL12-M3/5AT	0.0860	RFQ	5939	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SL12	Estándar			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									20 V		445 MV @ 1 A		200 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1.5a	-
VS-S162A	-	RFQ	8324	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					S162A					-				112-VS-S162A			1
Sx073h045a4ot	-	RFQ	4112	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	Morir	SX073	Schottky			Morir	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									45 V		630 MV @ 7.5 A		50 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-VSKT105/08	44.8440	RFQ	9005	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 4)	VSKT105			Conexión de la Serie: Todos los SCRS		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKT10508	EAR99	8541.30.0080	10			250 Ma	800 V	235 A	2.5 V	2000a, 2094a	150 Ma	105 A										2 SCRS
VS-20ETF06STRLPBF	-	RFQ	9955	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20etf06	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									600 V		1.05 v @ 15 a	120 ns	100 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
VS-EPH3006-F3	-	RFQ	7255	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To-247-2	EPH300	Estándar			To47ac modificado	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vseph3006f3	EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									600 V		2.65 V @ 30 A	26 ns	30 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	-
SS10P2CL-M3/86A	0.9100	RFQ	636	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS10P2	Schottky			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	20 V	5A	520 MV @ 5 A		850 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKD166/14PBF	62.8913	RFQ	6084	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Int-a-pak	VSKD166	Estándar			Int-a-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsvskd16614pbf	EAR99	8541.10.0080	15		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	1400 V	82.5a			20 Ma @ 1400 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Bzx55c6v2-tap	0.2300	RFQ	52	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55C6V2		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000													1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 2 V					6.2 V	10 ohmios
Rs07g-m-08	0.4700	RFQ	25	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	Rs07	Estándar			DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									400 V		1.15 V @ 700 Ma	150 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	500mA	9PF @ 4V, 1MHz
SBL1040HE3/45	-	RFQ	7043	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	SBL1040	Schottky			TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									40 V		600 MV @ 10 A		1 ma @ 40 V	-40 ° C ~ 125 ° C	10A	-
AR4PDHM3/87A	-	RFQ	3607	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Ar4	Avalancha			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									200 V		1.6 v @ 4 a	140 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	77pf @ 4V, 1 MHz
AZ23C47-E3-08	0.0415	RFQ	4237	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C47		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común														100 na @ 35 V					47 V	100 ohmios
DZ23C36-G3-18	0.0483	RFQ	4239	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Cátodo Común														100 na @ 27 V					36 V	90 ohmios
B150-E3/5AT	0.0752	RFQ	2969	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	B150	Schottky			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									50 V		750 MV @ 1 A		200 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-