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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-305UA250P4	-	RFQ	5980	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	305ua250	Estándar			DO-205AB (DO-9)	descascar					EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												2000 V		1.46 V @ 942 A			-40 ° C ~ 180 ° C	300A	-
VS-10MQ040NTRPBF	0.6400	RFQ	169	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	10MQ040	Schottky			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		540 MV @ 1 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	38pf @ 10V, 1 MHz
VS-80PF160	7.0519	RFQ	2455	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	80pf160	Estándar			DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS80PF160	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1600 V		1.46 V @ 220 A			-55 ° C ~ 150 ° C	80A	-
VS-8ETL06STRR-M3	0.5166	RFQ	3240	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8etl06	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.05 v @ 8 a	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
S3JHE3_A/H	0.4800	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S3J	Estándar			DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.15 V @ 2.5 A	2.5 µs	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
MBRB3035CT-E3/81	-	RFQ	8974	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB30	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	35 V	15A	600 MV @ 20 A		1 ma @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C
30WQ04FNTRL	-	RFQ	6320	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	30WQ04	Schottky			D-Pak (TO-252AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		530 MV @ 3 A		2 Ma @ 40 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3.5a	-
AR3PJ-M3/87A	0.3185	RFQ	3483	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	AR3	Avalancha			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.6 v @ 3 a	140 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.8a	44pf @ 4V, 1 MHz
1N5222C-TAP	0.0373	RFQ	3018	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5222		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000															1.1 V @ 200 Ma		100 µA @ 1 V					2.5 V	30 ohmios
EGP10B-E3/73	-	RFQ	7485	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	EGP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	22pf @ 4V, 1 MHz
ESH2C-E3/5BT	0.1576	RFQ	7569	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ESH2	Estándar			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		930 MV @ 2 A	35 ns	2 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	-
VS-VSKH230-08PBF	212.2650	RFQ	8169	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Magn-a-pak (3)	VSKH230			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKH23008PBF	EAR99	8541.30.0080	2		500 mA	800 V	510 A	3 V	7500a, 7850a	200 MA		230 A												1 scr, 1 diodo
VS-HFA08SD60S-M3	2.1800	RFQ	9629	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	HFA08	Estándar			D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-HFA08SD60S-M3GI	EAR99	8541.10.0080	75	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.7 V @ 8 A	55 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
VBT3045CBP-M3/4W	1.2527	RFQ	4338	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT3045	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	15A	570 MV @ 15 A		2 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Gf1ghe3/67a	-	RFQ	8980	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214BA	GF1	Estándar			DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
SL22-E3/5BT	0.2030	RFQ	1913	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SL22	Schottky			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												20 V		440 MV @ 2 A		400 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	-
TZMC13-GS08	0.2300	RFQ	486	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMC13		500 MW		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500															1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 10 V					13 V	26 ohmios
BZM55C51-TR	0.0368	RFQ	7987	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BZM55C51		500 MW		Micromo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500															1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 39 V					51 V	700 ohmios
VS-ST333S04PFM0P	164.6533	RFQ	9688	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AE, TO-118-4, Stud	ST333				TO-209AE (TO-118)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST333S04PFM0P	EAR99	8541.30.0080	6		600 mA	400 V	518 A	3 V	9250a, 9700a	200 MA	1.96 V	330 A	50 Ma	Recuperación
BZG05C20-HE3-TR	-	RFQ	7433	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000															1.2 v @ 200 ma		500 na @ 15 V					20 V	24 ohmios
BZX584C6V2-VG-08	-	RFQ	4996	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzx584c-vg	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	Bzx584c		200 MW		Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																	3 µA @ 4 V					6.2 V	10 ohmios
VS-SD1100C22L	112.9167	RFQ	2964	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-200AA, A-PUK	SD1100	Estándar			B-43, hockey puk	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSSD1100C22L	EAR99	8541.10.0080	3	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												2200 V		1.44 V @ 1500 A			-40 ° C ~ 150 ° C	1100A	-
VS-41HF80	7.2536	RFQ	7729	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	41HF80	Estándar			DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.3 V @ 125 A		9 Ma @ 800 V	-65 ° C ~ 190 ° C	40A	-
Ar1fg-m3/i	0.4500	RFQ	20	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB		Avalancha			DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.25 v @ 1 a	140 ns	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	12.6pf @ 4V, 1MHz
SE15PGHM3/84A	0.3600	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	SE15	Estándar			DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.05 V @ 1.5 A	900 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5a	9.5pf @ 4V, 1MHz
VS-10ETF12FPPBF	-	RFQ	9093	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	10ETF12	Estándar			To20ac paqueto entero	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1200 V		1.33 v @ 10 a	310 ns		-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
MB10H90CThe3_A/P	-	RFQ	8069	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MB10H90	Schottky			Un 263ab	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	90 V	5A	760 MV @ 5 A		3.5 µA @ 90 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-3EMU06-M3/5AT	0.4200	RFQ	81	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	3emu06	Estándar			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.7 v @ 3 a	41 ns	3 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
VS-8ETH06SHM3	0.7425	RFQ	8165	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8eth06	Estándar			TO-263 (D2PAK)	descascar			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		2.4 v @ 8 a	22 ns	50 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-
GP15MHE3/54	-	RFQ	8851	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	GP15	Estándar			DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.1 V @ 1.5 A	3.5 µs	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	-