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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-65APS16LHM3	5.6200	RFQ	8070	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	65APS16	Estándar		TO-247AD (TO-3P)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V		1.17 V @ 65 A		100 µA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	65a	-
SML4761HE3/61	-	RFQ	3236	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4761		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800							5 µA @ 56 V						75 V	175 ohmios
UF5408-E3/54	0.6000	RFQ	27	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	UF5408	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.7 v @ 3 a	75 ns	10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	36pf @ 4V, 1 MHz
MBRF1635-E3/45	1.5000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF1635	Schottky		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		630 MV @ 16 A		200 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
US1J-M3S/61T	-	RFQ	4250	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC (SMA)	-		1 (ilimitado)		112-US1J-M3S/61TTR	EAR99	8541.10.0080	14,400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.7 V @ 1 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
MMSZ5251C-G3-08	0.0483	RFQ	1023	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5251		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							100 na @ 17 V						22 V	29 ohmios
VS-HFA04TB60SR-M3	0.3635	RFQ	9344	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	HFA04	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.2 v @ 8 a	42 ns	3 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	4A	-
Se50paghm3/i	0.5000	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221BC, Almohadilla Expunesta de Cables Planos de Sma	SE50	Estándar		DO-221BC (SMPA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.16 v @ 5 a	2 µs	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5A	32pf @ 4V, 1MHz
ESH1PB-M3/84A	0.4600	RFQ	1504	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	ESH1	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		900 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1 MHz
RMPG06B-E3/54	0.1016	RFQ	7900	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	RMPG06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6.6pf @ 4V, 1MHz
ESH3C-M3/57T	0.2454	RFQ	9820	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	ESH3	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		900 MV @ 3 A	40 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	70pf @ 4V, 1MHz
SS1H9HE3/5AT	-	RFQ	9297	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SS1H9	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		90 V		770 MV @ 1 A		1 µA @ 90 V	175 ° C (Máximo)	1A	-
VI20202C-M3/4W	2.2300	RFQ	8567	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	VI20202	Schottky		Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	10A	900 MV @ 10 A		150 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-10MQ040HM3/5AT	0.4300	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	10MQ040	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		540 MV @ 1 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	38pf @ 10V, 1 MHz
VS-80PFR80	6.6000	RFQ	89	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	80pFr80	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS80PFR80	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.4 V @ 220 A			-55 ° C ~ 180 ° C	80A	-
VS-8eth06Strlpbf	-	RFQ	3661	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8eth06	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs8eth06strlpbf	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.4 v @ 8 a	25 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
TZMC12-GS08	0.2300	RFQ	21	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMC12		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 9.1 V						12 V
SL23HM3_A/H	0.1779	RFQ	4906	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SL23	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-SL23HM3_A/HTR	EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		440 MV @ 2 A		400 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	2a	-
EGF1DHE3/5CA	-	RFQ	1041	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214BA	EGF1	Estándar		DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-51MT120KPBF	105.5500	RFQ	1758	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo mt-k	51MT120	Estándar		MT-K	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS51MT120KPBF	EAR99	8541.10.0080	15									55 A		Fase triple	1.2 kV
BZX884B15L-HG3-08	0.3600	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX884L	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	0402 (1006 Métrica)			300 MW	DFN1006-2A	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 10.5 V						15 V	30 ohmios
BZG03C82-HM3-08	0.5200	RFQ	5968	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG03C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6.1%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03C82		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 62 V						82 V	100 ohmios
BZW03C120-TAP	-	RFQ	2072	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZW03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BZW03		1.85 W	Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.2 v @ 1 a		2 µA @ 91 V						120 V	170 ohmios
BAV100-GS08	0.2100	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	BAV100	Estándar		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 50 V	175 ° C (Máximo)	250 Ma	1.5pf @ 0v, 1 MHz
BZX84B4V7-HE3_A-08	0.0498	RFQ	2352	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-BZX84B4V7-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000							3 µA @ 2 V						4.7 V	80 ohmios
VS-STPS30L30CGTRRP	-	RFQ	5515	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Stps30	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VSSTPS30L30CGTRRP	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	15A	460 MV @ 15 A		1.5 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SB360S-E3/54	-	RFQ	9174	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	SB360	Schottky		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		700 MV @ 3 A		500 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
BZG03B20-M3-08	0.2228	RFQ	4359	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG03B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03B20		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 15 V						20 V	15 ohmios
RGP10M-7008E3/72	-	RFQ	8882	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
RGL41AHE3/97	-	RFQ	3348	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	RGL41	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	RGL41AHE3_A/I	EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz