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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Irkd91/04a	-	RFQ	2473	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	Irkd91	Estándar			Add-a-pak®	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											Conexión de la Serie de 1 par	400 V	100A			10 Ma @ 400 V
VFT1045-M3/4W	0.4274	RFQ	1492	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	VFT1045	Schottky			ITO-220AB	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	5A	580 MV @ 5 A		500 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
SB160A-E3/73	-	RFQ	5439	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	SB160	Schottky			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		650 MV @ 1 A		500 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
SS1H10HE3_A/H	-	RFQ	7559	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SS1H10	Schottky			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		770 MV @ 1 A		1 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
VSSA36S-M3/5AT	0.0972	RFQ	4874	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SA36	Schottky			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSSA36SM35AT	EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		630 MV @ 3 A		900 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2.4a	245pf @ 4V, 1 MHz
VS-2MH01-M3/5AT	0.4500	RFQ	7707	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	2MH01	Estándar			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		950 MV @ 2 A	25 ns	2 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	-
FESB16DT-E3/45	1.7400	RFQ	169	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FESB16	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		975 MV @ 16 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	175pf @ 4V, 1MHz
VS-4EWH02FN-M3	0.8200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	4ewh02	Estándar			D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-4EWH02FN-M3GI	EAR99	8541.10.0080	75		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		950 MV @ 4 A	20 ns	3 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	4A	-
VS ST330C16C3	123.5833	RFQ	1593	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	TO-200AB, E-PUK	ST330				TO-200AB (E-PUK)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST330C16C3	EAR99	8541.30.0080	12			600 mA	1.6 kV	1420 A	3 V	7570a, 7920a	200 MA	1.96 V	720 A	50 Ma	Recuperación
Ss3p4lhm3_a/i	0.2393	RFQ	7820	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Ss3p4	Schottky			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		470 MV @ 3 A		250 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
VS-MUrB820-1PBF	-	RFQ	3538	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Murb820	Estándar			Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsmurb8201pbf	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		975 MV @ 8 A	20 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
VS-111RKI120M	113.6556	RFQ	2268	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AC, TO-94-4, Stud	111RKI120				TO-209AC (TO-94)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS111RKI120M	EAR99	8541.30.0080	25			200 MA	1.2 kV	172 A	2 V	1750a, 1830a	120 Ma	1.57 V	110 A	20 Ma	Recuperación
VS-22RIA120M	17.1757	RFQ	3353	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-208AA, TO-48-3, Stud	22ria120				TO-208AA (TO-48)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs22ria120m	EAR99	8541.30.0080	100			130 Ma	1.2 kV	35 A	2 V	335A, 355A	60 Ma	1.7 V	22 A	10 Ma	Recuperación
Irkl41/04a	-	RFQ	2609	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 2)	Irkl41			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	10			200 MA	400 V	100 A	2.5 V	850a, 890a	150 Ma		45 A												1 scr, 1 diodo
VS-43CTQ100-1HM3	1.6926	RFQ	6120	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	43ctq100	Schottky			Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	20A	810 MV @ 20 A		1 ma @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-ST230C14C1L	74.7233	RFQ	7366	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	A-200ab, A-PUK	ST230				A-200ab, A-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST230C14C1L	EAR99	8541.30.0080	12			600 mA	1.4 kV	780 A	3 V	4800A, 5000A	150 Ma	1.69 V	410 A	30 Ma	Recuperación
VT1060C-M3/4W	0.6331	RFQ	8855	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	VT1060	Schottky			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VT1060CM34W	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	60 V	5A	700 MV @ 5 A		700 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BZD17C18P-E3-18	0.1482	RFQ	7386	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD17		800 MW		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000																1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 13 V					18 V
VS-111RKI40PBF	37.7004	RFQ	6558	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AC, TO-94-4, Stud	111RKI40				TO-209AC (TO-94)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS111RKI40PBF	EAR99	8541.30.0080	25			200 MA	400 V	172 A	2 V	1750a, 1830a	120 Ma	1.57 V	110 A	20 Ma	Recuperación
IRKD236/12	-	RFQ	7490	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Int-a-pak (3)	Irkd236	Estándar			Módulo	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											Conexión de la Serie de 1 par	1200 V	230A			20 Ma @ 1200 V
VBT10202C-M3/4W	1.6300	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT10202	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	5A	880 MV @ 5 A		150 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-SD603C14S15C	99.1350	RFQ	5473	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Montaje	DO-200AA, A-PUK	SD603	Estándar			B-43, hockey puk	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1400 V		2.97 V @ 1885 A	1.5 µs	45 Ma @ 1400 V		600A	-
V20M120M-E3/4W	0.5145	RFQ	8393	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	V20M120	Schottky			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	120 V	10A	1.01 v @ 10 a		500 µA @ 120 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-15EVU06-M3/I	1.2200	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	15Evu06	Estándar			Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.8 V @ 15 A	40 ns	20 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	15A	-
SE40PJ-M3/86A	0.2228	RFQ	8518	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SE40	Estándar			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V		920 MV @ 2 A	2.2 µs	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.4a	28pf @ 4V, 1MHz
DZ23C3V3-E3-18	0.0415	RFQ	8386	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Cátodo Común																						3.3 V	95 ohmios
GP10GE-167E3/93	-	RFQ	7575	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Una granela	Obsoleto			-	-	GP10				-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	1		-																	-	-	-
Esh2bhe3_a/h	0.1576	RFQ	6710	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ESH2	Estándar			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		930 MV @ 2 A	25 ns	10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	30pf @ 4V, 1 MHz
VS-T40HF60	26.2700	RFQ	186	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	D-55 T-Módulo	T40	Estándar			D-55	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V				15 Ma @ 600 V		40A	-
MMSZ5265C-HE3-18	0.0454	RFQ	2712	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5265		500 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		100 na @ 47 V					62 V	185 ohmios