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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-ST1280C06K0L | 269.5300 |  | 1692 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | A 200ac, K-PUK, A-24 | ST1280 | A-24 (K-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST1280C06K0L | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 600 mA | 600 V | 4150 A | 3 V | 35700A, 37400A | 200 MA | 1.44 V | 2310 A | 100 mA | Recuperación | ||||||||||||||||||||||
 | 1N4749A-TR | 0.3700 | | 54 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4749 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | ES1C-E3/61T | 0.4000 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | ES1 | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 920 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | Irkh105/06a | - | | 5646 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 2) | Irkh105 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 600 V | 235 A | 2.5 V | 1785a, 1870a | 150 Ma | 105 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||
 | MMBZ4702-E3-08 | - | | 9640 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4702 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 11.4 V | 15 V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | V35pw45hm3/i | 1.3600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | V35PW45 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 620 MV @ 35 A | 2.5 Ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 35a | 4230pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | V8P15HM3/H | 0.7100 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V8P15 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.08 v @ 8 a | 150 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||||||||||||||||||
| BZX85C3V9-TR | 0.3800 | | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85C3V9 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 10 µA @ 1 V | 3.9 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4934GP-E3/54 | 0.5000 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4934 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | VS-VSKT105/14 | 46.2060 | | 9805 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKT105 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKT10514 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 1.4 kV | 235 A | 2.5 V | 2000a, 2094a | 150 Ma | 105 A | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||||||
 | VS-U5FH150FA60 | 24.4400 | | 158 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | VS-U5FH | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VS-U5FH150FA60 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 600 V | 75a (DC) | 1.7 V @ 75 A | 70 ns | 50 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||
| BZG03B18TR3 | - | | 4417 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG03B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1.25 W | DO-214AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 13 V | 18 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| GBU8DL-6088E3/51 | - | | 2923 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU8 | Estándar | Gbu | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 8 a | 5 µA @ 200 V | 3.9 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | GL41A-E3/96 | 0.4500 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | GL41 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | TZMC3V3-M-08 | 0.0324 | | 8385 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tzmc3v3 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.3 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | VS-VSKL41/10 | 39.1360 | | 5515 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKL41 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKL4110 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1 kV | 100 A | 2.5 V | 850a, 890a | 150 Ma | 45 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||||
 | SS1P6LHM3/85A | 0.0990 | | 4937 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | SS1P6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 590 MV @ 1 A | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| Byg24dhe3_a/i | 0.1447 | | 2946 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Byg24 | Avalancha | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.25 V @ 1.5 A | 140 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||||||||||||||||||
| VS-P435 | 44.9280 | | 7791 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 8 ritmo-pak | P435 | Puente, solo Fase: Todos SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSP435 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 130 Ma | 1.2 kV | 40 A | 2 V | 385a, 400a | 60 Ma | 4 SCRS | |||||||||||||||||||||||||
 | V30DM150C-M3/I | 1.5400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V30DM150 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 15A | 1.3 V @ 15 A | 200 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||
 | VS-16CTQ060-M3 | 0.8123 | | 5412 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 16CTQ060 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 8A | 880 MV @ 16 A | 550 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||
| TZMC5V1-M-18 | 0.0324 | | 3285 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tzmc5v1 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 5.1 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | 12TQ035Strr | - | | 1864 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 12TQ035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 560 MV @ 15 A | 1.75 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | Tzx6v2e-tr | 0.2300 | | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Tzx6v2 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384C16-HG3-08 | 0.2800 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 200 MW | Sod-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 700 mv | 16 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
| VS-1ENH02HM3/84A | 0.4800 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | 1enh02 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 920 MV @ 1 A | 28 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||
 | 20etf12 | - | | 2542 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 20etf12 | Estándar | TO20AC | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.31 v @ 20 a | 400 ns | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||
| VS-MBRB3045CTTRRP | - | | 5889 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB30 | Schottky | To-263ab (d²pak) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSMBRB3045CTTRRP | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 15A | 760 MV @ 30 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||
 | BA783-HE3-08 | - | | 3819 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 125 ° C (TJ) | SOD-123 | BA783 | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 mA | 1.2pf @ 3V, 1MHz | PIN - Single | 35V | 1.2ohm @ 3mA, 1 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| VS-VSKH91/16 | 47.1120 | | 7558 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKH91 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKH9116 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 1.6 kV | 210 A | 2.5 V | 2000a, 2094a | 150 Ma | 95 A | 1 scr, 1 diodo |
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