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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | Smaz5932b-e3/5a | 0.1150 | ![]() | 1328 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz5932 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 15.2 V | 20 V | 14 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGP10KEHE3/54 | - | ![]() | 5867 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | SBYV27-200-E3/54 | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Sbyv27 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.07 v @ 3 a | 15 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-80PFR140W | 5.2553 | ![]() | 5841 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 80pFr140 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS80PFR140W | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 1.46 V @ 220 A | -55 ° C ~ 150 ° C | 80A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Ss3p4lhm3_a/i | 0.2393 | ![]() | 7820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ss3p4 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 470 MV @ 3 A | 250 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | GP10BE-075E3/93 | - | ![]() | 3740 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Una granela | Obsoleto | - | - | GP10 | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | V20DM120-M3/I | 1.0500 | ![]() | 3463 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V20DM120 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 120 V | 10A | 930 MV @ 10 A | 600 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | RGP02-17E-M3/54 | - | ![]() | 6255 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP02 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1700 V | 1.8 V @ 100 Ma | 300 ns | 5 µA @ 1700 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 5PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-40HFL10S02 | 8.5510 | ![]() | 9394 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 40HFL10 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.95 V @ 40 A | 200 ns | 100 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 40A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 10ETF04FP | - | ![]() | 7517 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | 10etf04 | Estándar | To20ac paqueto entero | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 10 a | 145 ns | 100 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5397-E3/54 | 0.3300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5397 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.4 V @ 1.5 A | 2 µs | 5 µA @ 600 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST303C12CCL1 | 145.3983 | ![]() | 9556 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | TO-200AB, E-PUK | ST303 | TO-200AB (E-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST303C12CCL1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 1.2 kV | 1180 A | 3 V | 6690a, 7000A | 200 MA | 2.16 V | 620 A | 50 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||
![]() | VS-SD453N25S20PC | - | ![]() | 2640 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | B-8 | SD453 | Estándar | B-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2500 V | 2.2 V @ 1500 A | 2 µs | 50 Ma @ 2500 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 400A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | SS5P6-M3/87A | 0.6200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS5P6 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 690 MV @ 5 A | 150 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 200pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRB745HE3/45 | - | ![]() | 6752 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB7 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 840 MV @ 15 A | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 7.5a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Bzg03b130tr3 | - | ![]() | 7210 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG03B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1.25 W | DO-214AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 100 V | 130 V | 300 ohmios | |||||||||||||||||||||||
183NQ080 | - | ![]() | 3365 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D-67 Half-Pak | 183NQ080 | Schottky | D-67 Half-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *183NQ080 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 950 MV @ 180 A | 4.5 Ma @ 80 V | 180A | 4150pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
DZ23C3V3-E3-18 | 0.0415 | ![]() | 8386 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | DZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Cátodo Común | 3.3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SS2PH9-M3/85A | 0.4400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | SS2PH9 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 800 MV @ 2 A | 1 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 65pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
ZMY7V5-GS18 | 0.4200 | ![]() | 68 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZMY7V5 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 5 V | 7.5 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-16CTQ060STRRHM3 | 0.9832 | ![]() | 2210 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 16CTQ060 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 8A | 720 MV @ 8 A | 550 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | GI250-1-E3/73 | - | ![]() | 9475 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GI250 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 3.5 V @ 250 Ma | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 250 Ma | 3PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
BAS70-04-HE3-08 | 0.4200 | ![]() | 71 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS70 | Schottky | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 70 V | 200MA (DC) | 1 V @ 15 Ma | 5 ns | 100 na @ 50 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5227B-HE3-08 | 0.0378 | ![]() | 9757 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5227 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 15 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | Esh2bhe3_a/h | 0.1576 | ![]() | 6710 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | ESH2 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 930 MV @ 2 A | 25 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-T40HF60 | 26.2700 | ![]() | 186 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | D-55 T-Módulo | T40 | Estándar | D-55 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 15 Ma @ 600 V | 40A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5265C-HE3-18 | 0.0454 | ![]() | 2712 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5265 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 47 V | 62 V | 185 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-111RKI120M | 113.6556 | ![]() | 2268 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-209AC, TO-94-4, Stud | 111RKI120 | TO-209AC (TO-94) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS111RKI120M | EAR99 | 8541.30.0080 | 25 | 200 MA | 1.2 kV | 172 A | 2 V | 1750a, 1830a | 120 Ma | 1.57 V | 110 A | 20 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||
![]() | VS-22RIA120M | 17.1757 | ![]() | 3353 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-208AA, TO-48-3, Stud | 22ria120 | TO-208AA (TO-48) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vs22ria120m | EAR99 | 8541.30.0080 | 100 | 130 Ma | 1.2 kV | 35 A | 2 V | 335A, 355A | 60 Ma | 1.7 V | 22 A | 10 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||
![]() | VSSC8L45-M3/9AT | 0.5800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | SC8L45 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 420 MV @ 4 A | 1.85 Ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 4.9a | 1216pf @ 4V, 1MHz |
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