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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-20ETS12STRLPBF | - | ![]() | 1685 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 20ets12 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.1 V @ 20 A | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||||
![]() | BYT28-300HE3/45 | - | ![]() | 2413 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | ByT28 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 300 V | 5A | 1.3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | ZMM5244B-13 | - | ![]() | 7430 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | ZMM5244B-13GI | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 10 V | 14 V | 15 ohmios | ||||||||||||||
![]() | VS-20CTQ040-N3 | - | ![]() | 6794 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 20CTQ040 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS-20CTQ040-N3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 20A | 760 MV @ 20 A | 2 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | BZT03C16-TR | 0.7200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT03 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.63% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | BZT03C16 | 1.3 W | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 12 V | 16 V | 15 ohmios | ||||||||||||||
![]() | VS-305ura250p4 | - | ![]() | 5095 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 305ura250 | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2000 V | 1.46 V @ 942 A | -40 ° C ~ 180 ° C | 300A | - | ||||||||||||||||
![]() | VS-91MT160KPBF | 96.3207 | ![]() | 1321 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo mt-k | 91MT160 | Estándar | MT-K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS91MT160KPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 90 A | Fase triple | 1.6 kV | |||||||||||||||
![]() | SE20NJ-M3/I | 0.5300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | 2-vdfn | Estándar | DFN3820A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 2 a | 1.2 µs | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 12PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | SMPZ3937B-E3/85A | - | ![]() | 3502 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | SMPZ39 | 500 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 25.1 V | 33 V | 33 ohmios | ||||||||||||||
![]() | UB16CCT-E3/8W | - | ![]() | 9807 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | UB16 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 8A | 1.1 v @ 8 a | 80 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
MMBZ4712-G3-18 | - | ![]() | 7418 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4712 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 na @ 21.2 V | 28 V | |||||||||||||||||
![]() | EGL41GHE3/96 | - | ![]() | 4936 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | EGL41 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 14PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
MMBZ5257B-E3-18 | - | ![]() | 3598 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5257 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 25 V | 33 V | 58 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | VS-UFL200FA60P | - | ![]() | 1637 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | UFL200 | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | VSUFL200FA60P | EAR99 | 8541.10.0080 | 180 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 600 V | 144a | 1.44 V @ 100 A | 141 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | VB30120S-E3/8W | 0.8529 | ![]() | 3010 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VB30120 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 120 V | 1.1 V @ 30 A | 500 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | |||||||||||||
AZ23B4V7-HE3-18 | 0.0534 | ![]() | 5938 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B4V7 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Ánodo Común | 4.7 V | 78 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZT55A5V6-GS18 | - | ![]() | 1659 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 1% | 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | BZT55 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||||||||||||
![]() | SML4753AHE3/5A | - | ![]() | 8060 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4753 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 50 ohmios | |||||||||||||||
![]() | VS-MBRB20100CT-M3 | 1.6000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB20100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 800 MV @ 10 A | 100 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | Es3dhe3/9at | - | ![]() | 6721 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 3 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 900 MV @ 3 A | 30 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N4937GPHE3/73 | - | ![]() | 3908 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4937 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | 52mt140kb | - | ![]() | 6545 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Mtk | 52MT140 | Estándar | Mtk | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | 55 A | Fase triple | 1.4 kV | ||||||||||||||||
![]() | SE20PDHM3/84A | 0.1048 | ![]() | 6339 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | SE20 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 2 a | 1.2 µs | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.6a | 13PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
BY299P-E3/54 | - | ![]() | 1219 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | BY299 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA @ 800 V | -50 ° C ~ 125 ° C | 2A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | MBRB15H45CThe3/81 | - | ![]() | 1566 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB15 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 7.5a | 630 MV @ 7.5 A | 50 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
![]() | MBRB20H100CThe3/81 | - | ![]() | 3088 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 770 MV @ 10 A | 4.5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
![]() | V15pm10hm3/i | 0.4620 | ![]() | 4068 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V15pm10 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 750 MV @ 15 A | 400 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | |||||||||||||||
![]() | MBRB1090-E3/8W | 0.6655 | ![]() | 2502 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB1090 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 800 MV @ 10 A | 100 µA @ 90 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||
![]() | Fep16gthe3/45 | - | ![]() | 1119 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | FEP16 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 16A | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | NSF8KThe3/45 | - | ![]() | 3543 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | NSF8 | Estándar | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - |
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