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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
3N251-M4/51	-	RFQ	4471	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Banda	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBPM	3N251	Estándar		KBPM	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	600															1 V @ 1 A		5 µA @ 800 V		1.5 A		Fase única	800 V
V10P45-M3/87A	0.3444	RFQ	1256	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V10P45	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V		570 MV @ 5 A		800 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	4.4a	-
GI914-E3/54	-	RFQ	2982	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	GI914	Estándar		Do-201ad	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.25 v @ 3 a	750 ns	10 µA @ 400 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	-
SBL1630CThe3/45	-	RFQ	3210	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	SBL1630	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	30 V	8A	550 MV @ 8 A		500 µA @ 30 V	-40 ° C ~ 125 ° C
VS-25TTS12S-M3	2.1700	RFQ	4484	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	25TTS12			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	50		150 Ma	1.2 kV	25 A	2 V	350A @ 50Hz	45 Ma	1.25 V	16 A	10 Ma	Recuperación
LL4154-M-08	0.0305	RFQ	3576	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	LL4154	Estándar		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	12,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												35 V		1 V @ 30 Ma	4 ns	100 na @ 25 V	175 ° C (Máximo)	300mA	4PF @ 0V, 1MHz
30BQ100TR	-	RFQ	9019	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	30BQ100	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		790 MV @ 3 A		500 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
BYW29-200HE3/45	-	RFQ	5807	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	BYW29	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.3 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	8A	45pf @ 4V, 1MHz
VS-20MQ040HM3/5AT	0.0932	RFQ	8065	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	20MQ040	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		690 MV @ 2 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	38pf @ 10V, 1 MHz
BAT54S-G3-08	0.3800	RFQ	57	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAT54	Schottky		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad											Conexión de la Serie de 1 par	30 V		800 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	125 ° C (Máximo)
GBPC1510-E4/51	5.3000	RFQ	196	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC	GBPC1510	Estándar		GBPC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	GBPC1510E451	EAR99	8541.10.0080	100															1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 1000 V		15 A		Fase única	1 kV
GBU4G-E3/51	1.9500	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU4	Estándar		Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	250															1 v @ 4 a		5 µA @ 400 V		3 A		Fase única	400 V
Murs340she3_a/h	0.1518	RFQ	6708	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Murs340	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.45 v @ 3 a	75 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	-
SSA33LHE3_A/H	0.4400	RFQ	1333	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SSA33	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												30 V		450 MV @ 3 A		500 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
BYV26EGPHE3/54	-	RFQ	7326	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	BYV26	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1000 V		2.5 v @ 1 a	75 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-VSKD91/16	43.2900	RFQ	7351	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKD91	Estándar		Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	1600 V	50A			10 Ma @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5249B-G3-18	0.0409	RFQ	9337	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5249		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																	100 na @ 14 V						19 V	23 ohmios
Ss29he3_a/i	0.1942	RFQ	2755	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q100	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS29	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												90 V		950 MV @ 3 A		30 µA @ 90 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
MMSZ5261C-G3-08	0.0483	RFQ	9975	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5261		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																	100 na @ 36 V						47 V	105 ohmios
VS-HFA16TB120STRP	-	RFQ	1300	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	HFA16	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1200 V		3 V @ 16 A	135 ns	20 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	-
B340LB-M3/5BT	0.5300	RFQ	4097	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	B340	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		450 MV @ 3 A		400 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
TLZ4V7B-GS08	0.0335	RFQ	7357	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ4V7		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500															1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 1 V						4.7 V	25 ohmios
GF1GHE3/5CA	-	RFQ	5688	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214BA	GF1	Estándar		DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
TZMC18-M-08	0.0324	RFQ	7234	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMC18		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500															1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 13 V						18 V	50 ohmios
1N4003GPEHE3/54	-	RFQ	1523	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4003	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
SL13-E3/5AT	0.5000	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SL13	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												30 V		445 MV @ 1 A		200 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1.5a	-
FES8FT-E3/45	0.5429	RFQ	6431	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	Fes8	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												300 V		1.3 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
BZG05B51-M3-08	0.1980	RFQ	9198	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05B51		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000															1.2 v @ 200 ma		500 na @ 39 V						51 V	115 ohmios
Rs1bhe3/5at	-	RFQ	6846	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Rs1	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
VS-1N5820	-	RFQ	5398	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	1N5820	Schottky		DO-201AD (C-16)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VS1N5820	EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												20 V		475 MV @ 3 A		2 Ma @ 20 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	350pf @ 5V, 1 MHz