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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SML4744HE3_A/I | 0.1434 |  | 5796 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4744 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | MBRB15H60CThe3_A/P | - | | 8913 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB15 | Schottky | Un 263ab | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 7.5a | 730 MV @ 7.5 A | 50 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||
 | BZX85C75-TAP | 0.3800 | | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Cinta de Corte (CT) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85C75 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 56 V | 75 V | 135 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | BZT52B10-G3-18 | 0.0483 | | 9007 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT52-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52B10 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 7.5 V | 10 V | 5.2 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | VS-SD1100C12C | 73.6800 | | 23 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Apretar | DO-200AA, A-PUK | SD1100 | Estándar | B-43, hockey puk | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.31 V @ 1500 A | 35 Ma @ 1200 V | 1400A | - | ||||||||||||||||||||
 | BZT03D11-TR | - | | 1947 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT03 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5.45% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | BZT03 | 1.3 W | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 4 µA @ 8.2 V | 11 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||
| ES1D/1 | - | | 5546 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | ES1 | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.600 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 920 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
 | MMBZ5251C-G3-18 | - | | 2846 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5251 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 17 V | 22 V | 29 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | VS-HFA04SD60SRHM3 | 0.9590 | | 4969 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | HFA04 | Estándar | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSHFA04SD60SRHM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.8 V @ 4 A | 42 ns | 3 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 4A | - | |||||||||||||||||
 | S5khe3_a/h | 0.2162 | | 8927 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S5K | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.15 v @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 40pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
| SML4750A-E3/61 | 0.5000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4750 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 20.6 V | 27 V | 35 ohmios | |||||||||||||||||||||
| MMBZ5256C-E3-18 | - | | 9712 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5256 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 23 V | 30 V | 49 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | TZM5259B-GS08 | 0.2300 | | 8888 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5259 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||
| BZT03D200-TAP | - | | 4043 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT03 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 6% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | BZT03 | 1.3 W | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 150 V | 200 V | 500 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | 1N5265B-T | - | | 4567 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5265 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1N5265B-TGI | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 47 V | 62 V | 1400 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | VS-GB300AH120N | - | | 2164 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (5) | GB300 | 2500 W | Estándar | Doble int-a-pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB300AH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Soltero | - | 1200 V | 620 A | 1.9V @ 15V, 300A (typ) | 5 Ma | No | 21 NF @ 25 V | |||||||||||||||
| VS-74-7704 | - | | 7593 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | 74-7704 | - | 112-VS-74-7704 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMSZ4696-HE3_A-18 | 0.0533 | | 5472 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | 112-MMSZ4696-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 6.9 V | 9.1 V | ||||||||||||||||||||||||
| BZX85C7V5-TR | 0.0475 | | 3402 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85C7V5 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 1 µA @ 4.5 V | 7.5 V | 3 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | SMBZ5924B-E3/52 | 0.2617 | | 5031 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBZ5924 | 3 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 1.5 V @ 200 Ma | 25 µA @ 7 V | 9.1 V | 4 ohmios | ||||||||||||||||||||
| 1N4753A-TAP | 0.3600 | | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta de Corte (CT) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4753 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||||||
| AZ23B33-G3-08 | 0.0594 | | 1476 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B33 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 25 V | 33 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||
| MMSZ5260B-HE3_A-18 | - | | 7868 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | 112-MMSZ5260B-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 33 V | 43 V | 93 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| TLZ3V6B-GS08 | 0.2500 | | 25 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ3V6 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 60 ohmios | ||||||||||||||||||||
| TZMC6V8-M-08 | 0.0324 | | 2229 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tzmc6v8 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 3 V | 6.8 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | ZGL41-130A-E3/96 | 0.5600 | | 7823 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | ZGL41 | 1 W | GL41 (DO-213AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 98.8 V | 130 V | 450 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | MBRB735-E3/45 | - | | 9887 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB7 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 840 MV @ 15 A | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 7.5a | - | |||||||||||||||||||
| TZM5223C-GS08 | - | | 7390 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5223 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 75 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||
| VS-S1407 | - | | 8223 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | S1407 | - | 112-VS-S1407 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UF1005-M3/54 | 0.1167 | | 5618 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | UF1005 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 180 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz |
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