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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZG05C18-HE3-TR | - | ![]() | 6483 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 13 V | 18 V | 20 ohmios | ||||||||||||
![]() | GLL4758A-E3/97 | 0.3168 | ![]() | 7176 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | GLL4758 | 1 W | Melf do-213ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 42.6 V | 56 V | 110 ohmios | |||||||||||||
![]() | ZMM5222B-13 | - | ![]() | 8276 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 0.5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.5 V | 30 ohmios | |||||||||||||
![]() | MURS120-E3/5BT | 0.4500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Murs120 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 875 MV @ 1 A | 35 ns | 2 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 2a | - | ||||||||||
VS-HFA08TB120-M3 | 1.4500 | ![]() | 3892 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | HFA08 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 4.3 V @ 12 A | 95 ns | 10 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||
BZX84C11-HE3-08 | 0.0323 | ![]() | 1216 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C11 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | ||||||||||||||
![]() | SMZJ3798BHE3/5B | - | ![]() | 9550 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ37 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 19 ohmios | |||||||||||||
![]() | S07M-GS08 | 0.4700 | ![]() | 175 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S07 | Estándar | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 4PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
UG4D-M3/54 | 0.2307 | ![]() | 9522 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | UG4 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
DZ23C39-HE3_A-08 | - | ![]() | 4307 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-DZ23C39-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 29 V | 39 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | VB40100C-E3/8W | 2.8100 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VB40100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 730 MV @ 20 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | VS-AF3006HN3 | 1.8492 | ![]() | 2940 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | APH3006 | Estándar | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSAPH3006HN3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.65 V @ 30 A | 30 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | ||||||||||
![]() | MBRB20H45CThe3/45 | - | ![]() | 7357 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB20 | Schottky | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 10A | 630 MV @ 10 A | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | 1N4743A-TAP | 0.3600 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta de Corte (CT) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4743 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||
![]() | PTV4.7B-E3/85A | - | ![]() | 9732 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV4.7 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 20 µA @ 1 V | 4.7 V | 10 ohmios | ||||||||||||
![]() | ZMM5223B-7 | - | ![]() | 5578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 75 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios | |||||||||||||
![]() | VS-88CNQ060AMSPBF | - | ![]() | 2326 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | D-61-8-SM | 88CNQ060 | Schottky | D-61-8-SM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS88CNQ060AMSPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 40A | 580 MV @ 40 A | 640 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | ZMM5260B-13 | - | ![]() | 8791 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | ZMM5260B-13GI | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 33 V | 43 V | 93 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZT52B39-HE3-08 | 0.0436 | ![]() | 4207 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52B39 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 29 V | 39 V | 87 ohmios | |||||||||||||
![]() | TZM5240C-GS08 | - | ![]() | 5615 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5240 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 8 V | 10 V | 17 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-10MQ100-M3/5at | 0.3900 | ![]() | 105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 10MQ100 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 780 MV @ 1 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 38pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||
MMBZ5228B-G3-18 | - | ![]() | 1504 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5228 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZG04-160-HM3-08 | 0.2079 | ![]() | 6202 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG04-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG04-160 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 5 µA @ 160 V | 200 V | |||||||||||||
150LR5A | - | ![]() | 9127 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Montaje | DO-205AC, DO-30, Stud | 150LR5 | Estándar | DO-205AC (DO-30) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *150LR5A | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.33 v @ 471 a | 35 Ma @ 50 V | -40 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | |||||||||||
![]() | V35PWM153-M3/I | 1.1500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Schottky | Delgada | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.05 V @ 35 A | 200 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 35a | 1420pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | VLZ9V1B-GS08 | - | ![]() | 1388 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ9V1 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 8.14 V | 8.76 V | 8 ohmios | ||||||||||||
![]() | MBRB2060CThe3/81 | - | ![]() | 8785 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 800 MV @ 10 A | 150 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | RGP02-12E-M3/73 | - | ![]() | 5050 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP02 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.8 V @ 100 Ma | 300 ns | 5 µA @ 1200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | ||||||||||
![]() | TZQ5221B-GS08 | 0.0411 | ![]() | 6728 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | TZQ5221 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 30 ohmios | ||||||||||||
![]() | MMSZ5244B-HE3_A-18 | 0.0549 | ![]() | 2040 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | 112-MMSZ5244B-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 10 V | 14 V | 15 ohmios |
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