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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
SS29HE3/52T	-	RFQ	2389	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS29	Schottky			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									90 V		750 MV @ 1 A		30 µA @ 90 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
MBRB10H50HE3/45	-	RFQ	3164	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB10	Schottky			Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									50 V		710 MV @ 10 A		100 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	10A	-
MMBZ4683-G3-18	-	RFQ	2161	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4683		350 MW		Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															800 na @ 1 V					3 V
TLZ30C-GS08	0.2500	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ30		500 MW		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500													1.5 V @ 200 Ma		40 na @ 26.9 V					30 V	80 ohmios
VS-MBRS130TRPBF	-	RFQ	7797	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	MBRS1	Schottky			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									30 V		420 MV @ 1 A		1 ma @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
BZX55B36-TR	0.2200	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55B36		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000													1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 27 V					36 V	80 ohmios
GP15Ghe3/73	-	RFQ	8130	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	GP15	Estándar			DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									400 V		1.1 V @ 1.5 A	3.5 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	-
EGP30F-E3/73	-	RFQ	7586	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL	EGP30	Estándar			GP20	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									300 V		1.25 v @ 3 a	50 ns	5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
15CTQ045	-	RFQ	8817	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	15ctq	Schottky			Un 220-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	45 V	7.5a	550 MV @ 7.5 A		800 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-43CTQ100HN3	1.6833	RFQ	7378	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	43ctq100	Schottky			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	100 V	20A	810 MV @ 20 A		1 ma @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
BZX84B62-HE3-18	0.0341	RFQ	4961	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B62		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															50 na @ 43.4 V					62 V	215 ohmios
BZX384B10-E3-08	0.2700	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B10		200 MW		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000															200 na @ 7 V					10 V	20 ohmios
BAS70-05-HE3-08	0.4200	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAS70	Schottky			Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad								1 par Cátodo Común	70 V	200 MMA	1 V @ 15 Ma	5 ns	100 na @ 50 V	125 ° C (Máximo)
BAT54A-DEL-E3-18	-	RFQ	8904	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-	-	BAT54	-			-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0070	10,000		-								-		-				-
V20100R-E3/4W	-	RFQ	3635	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	V20100	Schottky			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	100 V	10A	900 MV @ 10 A		150 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
MBRB1545CT-E3/81	1.4100	RFQ	206	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB1545	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	45 V	7.5a	840 MV @ 15 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-12CWQ03FNTRLPBF	-	RFQ	9738	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	12CWQ03	Schottky			D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	30 V	6A	470 MV @ 6 A		3 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-CPU6006L-M3	-	RFQ	3337	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	CPU600	Estándar			TO-247-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	300		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	600 V	30A	1.75 v @ 30 a	42 ns	30 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C
TZMB24-GS18	0.0411	RFQ	7288	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMB24		500 MW		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000													1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 18 V					24 V	80 ohmios
EGP30C-E3/54	-	RFQ	9370	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL	EGP30	Estándar			GP20	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									150 V		950 MV @ 3 A	50 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
DZ23C51-G3-08	0.0483	RFQ	5662	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Cátodo Común														100 na @ 38 V					51 V	100 ohmios
Bzw03d12-tap	-	RFQ	8648	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZW03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BZW03		1.85 W		Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500													1.2 v @ 1 a		10 µA @ 9.1 V					12 V	2.5 ohmios
1N4002GPHM3/54	-	RFQ	1178	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4002	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									100 V		1.1 v @ 1 a		5 µA @ 100 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
RGP10M-E3/73	0.3900	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									1000 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
10etf04	-	RFQ	6935	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	10etf04	Estándar			TO20AC	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*10etf04	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									400 V		1.2 v @ 10 a	145 ns	100 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
VS-88HF120	9.9469	RFQ	8627	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	88HF120	Estándar			DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS88HF120	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									1200 V		1.2 V @ 267 A			-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-
PLZ16B-HG3_A/H	0.3600	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, PLZ	Tape & Reel (TR)	Activo	± 3%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ16		500 MW		DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500													900 MV @ 10 Ma		200 na @ 12 V					16 V	18 ohmios
SS14HE3/61T	-	RFQ	7151	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SS14	Schottky			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									40 V		500 MV @ 1 A		200 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
BZD27B22P-M3-08	0.1190	RFQ	21	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27b-m	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27B22		800 MW		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000													1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 16 V					22 V	15 ohmios
VS-VSKH91/06	42.2390	RFQ	5759	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 4)	VSKH91			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKH9106	EAR99	8541.30.0080	10			250 Ma	600 V	210 A	2.5 V	2000a, 2094a	150 Ma	95 A										1 scr, 1 diodo