SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
PLZ11A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ11A-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 7031 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, PLZ Tape & Reel (TR) Activo ± 3% 150 ° C Montaje en superficie DO-219AC PLZ11 500 MW DO-219AC (microsmf) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.500 900 MV @ 10 Ma 200 na @ 8 V 11 V 10 ohmios
M2045S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division M2045S-E3/4W -
RFQ
ECAD 7170 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 M2045 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 700 MV @ 20 A 200 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
SS8P3LHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8P3LHM3/86A -
RFQ
ECAD 8965 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Ss8p3 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 570 MV @ 8 A 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 330pf @ 4V, 1 MHz
MMSZ5267B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5267B-G3-08 0.0409
RFQ
ECAD 5676 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5267 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 56 V 75 V 270 ohmios
SML4754A-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4754A-E3/61 0.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA SML4754 1 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 5 µA @ 29.7 V 39 V 60 ohmios
BYS12-90HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS12-90HE3_A/I 0.1175
RFQ
ECAD 6651 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Bys12 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 750 MV @ 1 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a -
VS-8EWF06STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF06STRR-M3 2.0160
RFQ
ECAD 8419 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 8EWF06 Estándar D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS8EWF06Strm3 EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 v @ 8 a 55 ns 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 8A -
MURB1020CT Vishay General Semiconductor - Diodes Division Murb1020ct -
RFQ
ECAD 8062 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Murb1020 Estándar To-263ab (d²pak) - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 5A 990 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 200 V -
GF1A/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1A/67A -
RFQ
ECAD 4044 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214BA GF1 Estándar DO-214BA (GF1) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
EGL41CHE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL41CHE3/96 -
RFQ
ECAD 6539 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) EGL41 Estándar DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 150 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
SB530-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB530-E3/51 -
RFQ
ECAD 6676 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial SB530 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 480 MV @ 5 A 500 µA @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C 5A -
VS-VSKL300-08PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKL300-08PBF -
RFQ
ECAD 9195 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Monte del Chasis Int-a-pak VSKL300 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSVSKL30008PBF EAR99 8541.30.0080 6 600 mA 800 V 116 A 3 V 6500A, 6900A 200 MA 300 A 1 scr, 1 diodo
BZX84B24-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B24-HE3_A-18 0.0498
RFQ
ECAD 8281 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX84 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23-3 descascar 112-BZX84B24-HE3_A-18TR EAR99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 16.8 V 24 V 70 ohmios
16CTQ080STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 16CTQ080Strr -
RFQ
ECAD 8347 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 16CTQ Schottky To-263ab (d²pak) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 8A 720 MV @ 8 A 550 µA @ 80 V -55 ° C ~ 175 ° C
BZT52C6V2-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C6V2-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 8768 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZT52-G Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52C6V2 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 2 V 6.2 V 4.8 ohmios
VS-16F120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16F120M 11.4300
RFQ
ECAD 9884 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 16F120 Estándar DO-203AA (DO-4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.23 V @ 50 A 29 ns -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
AU1PKHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Au1pkhm3/85a 0.1914
RFQ
ECAD 9523 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO220AA Au1 Avalancha DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.85 v @ 1 a 75 ns 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 7.5pf @ 4V, 1 MHz
V30KM45HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30km45hm3/h 0.9900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powertdfn Schottky Flatpak (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 610 MV @ 30 A 200 µA @ 45 V -40 ° C ~ 165 ° C 5.2a 4300pf @ 4V, 1MHz
VS-305URA250 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-305ura250 -
RFQ
ECAD 6104 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto Montaje DO-205AB, DO-9, Semento 305ura250 Polaridad Inversa Estándar DO-205AB (DO-9) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS305ura250 EAR99 8541.10.0080 12 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2500 V 1.46 V @ 942 A -40 ° C ~ 180 ° C 300A -
VSKTF200-12HK Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKTF200-12HK -
RFQ
ECAD 5133 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis 3-MAGN-A-PAK ™ VSKTF200 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2 600 mA 1.2 kV 444 A 3 V 7600A, 8000A 200 MA 200 A 2 SCRS
GDZ15B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ15B-HE3-08 0.2800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, GDZ Tape & Reel (TR) Activo ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 GDZ15 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 11 V 15 V 42 ohmios
FEPB6DTHE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Fepb6dthe3/81 -
RFQ
ECAD 2854 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Fepb6 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 6A 975 MV @ 3 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
VS-T85HFL20S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T85HFL20S02 40.6380
RFQ
ECAD 8359 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Monte del Chasis D-55 T-Módulo T85 Estándar D-55 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 200 ns 20 Ma @ 200 V 85a -
MMBZ4694-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4694-HE3-18 -
RFQ
ECAD 4161 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4694 350 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 10 µA @ 6.2 V 8.2 V
VS-305U250 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-305U250 -
RFQ
ECAD 9139 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto Montaje DO-205AB, DO-9, Semento 305U250 Estándar DO-205AB (DO-9) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 12 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2500 V 1.46 V @ 942 A -40 ° C ~ 180 ° C 300A -
VS-P405KW Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-P405KW 49.5920
RFQ
ECAD 7478 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis 8 ritmo-pak P405 Puente, solo Fase - SCR/Diodos (Diseño 1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 10 130 Ma 1.2 kV 2 V 385a, 400a 60 Ma 2 scr, 2 diodos
VB30100C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30100C-E3/8W 1.8100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab VB30100 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 15A 800 MV @ 15 A 500 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
SMPZ3935B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3935B-E3/84A -
RFQ
ECAD 3317 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO220AA SMPZ39 500 MW DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.5 V @ 200 Ma 500 na @ 20.6 V 27 V 23 ohmios
VS-S1039 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1039 -
RFQ
ECAD 9108 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre S1039 - 112-VS-S1039 1
BYW72-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byw72-tap 1.0900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Sod-64, axial BYW72 Avalancha Sod-64 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 3 a 200 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock