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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | AS3PDHM3/86A | - | ![]() | 2512 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | AS3 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 920 MV @ 1.5 A | 1.2 µs | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2.1a | 37pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
SB520-E3/54 | 0.6200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SB520 | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 480 MV @ 5 A | 500 µA @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||
VS-18TQ040-N3 | - | ![]() | 1733 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 18TQ040 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS-18TQ040-N3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 720 MV @ 36 A | 2.5 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 18A | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BYM07-100HE3/98 | - | ![]() | 5966 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | BYM07 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.25 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-MBRD340TR-M3 | 0.6500 | ![]() | 8502 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MBRD340 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 3 A | 200 µA @ 20 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 189pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | S5jhe3_a/i | 0.5400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S5J | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 v @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 40pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZG03C11-M3-08 | 0.5000 | ![]() | 2419 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG03C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.45% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03C11 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 V @ 500 Ma | 4 µA @ 8.2 V | 11 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SE07PG-M3/84A | 0.0696 | ![]() | 8526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | SE07 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.05 V @ 700 Ma | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 700mA | 5PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | ST3230C16R0 | - | ![]() | 9528 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | Monte del Chasis | R-PUK | ST3230 | R-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *ST3230C16R0 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 1.6 kV | 5970 A | 4 V | 61200A, 64000A | 400 mA | 1.3 V | 2785 A | 250 Ma | Recuperación | ||||||||||||||||||||
![]() | Byt28b-300he3_a/p | - | ![]() | 3450 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | ByT28 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 300 V | 5A | 1.3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-T40HF20 | 23.8060 | ![]() | 9868 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | D-55 T-Módulo | T40 | Estándar | D-55 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 15 Ma @ 200 V | 40A | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRB3045CThe3/81 | - | ![]() | 8290 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB30 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 15A | 600 MV @ 20 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | TZMC4V3-M-18 | 0.0324 | ![]() | 7776 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tzmc4v3 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Tzx36c-tr | 0.0292 | ![]() | 5656 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | TZX36 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 27 V | 36 V | 140 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-95PF40T | 6.8868 | ![]() | 3266 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 95pf40t | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS95PF40T | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.4 V @ 267 A | -55 ° C ~ 180 ° C | 95a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | BA158GPE-E3/54 | 0.1754 | ![]() | 2802 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BA158 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST230S16P0 | 118.9617 | ![]() | 3397 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-209AB, TO-93-4, Stud | ST230 | TO-209AB (TO-93) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 1.6 kV | 360 A | 3 V | 5700a, 5970a | 150 Ma | 1.55 V | 230 A | 30 Ma | Recuperación | ||||||||||||||||||||
BZX84C30-E3-08 | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C30 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TVR06J-5700E3/73 | - | ![]() | 8170 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | TVR06 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.4 V @ 600 Ma | 300 µs | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 600mA | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
BYW29-200HE3/45 | - | ![]() | 5807 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYW29 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 8A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
DZ23C36-HE3-18 | 0.0436 | ![]() | 9577 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 27 V | 36 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Gp10khm3/54 | - | ![]() | 7713 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 7pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SE20FJHM3/I | 0.1058 | ![]() | 7786 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SE20 | Estándar | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 2 a | 920 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.7a | 13PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
BZX84B43-E3-08 | 0.0324 | ![]() | 4964 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B43 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-MUrB1620CTL-M3 | 0.5666 | ![]() | 4436 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Murb1620 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 8A | 975 MV @ 8 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4007GPHE3/73 | - | ![]() | 8607 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4007 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | In4007gphe3/73 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | GLL4738-E3/97 | 0.2970 | ![]() | 6875 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | GLL4738 | 1 W | Melf do-213ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Irkl27/12a | - | ![]() | 3091 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 2) | Irkl27 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1.2 kV | 60 A | 2.5 V | 400a, 420a | 150 Ma | 27 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-40HF60 | 8.2200 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 40HF60 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 125 A | 9 Ma @ 600 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 40A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | EGP10B-M3/54 | - | ![]() | 5406 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | EGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 22pf @ 4V, 1 MHz |
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