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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | MBRB2045CT-E3/45 | 1.6100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB2045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 10A | 650 MV @ 10 A | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5267B-TR | 0.2300 | ![]() | 57 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5267 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 56 V | 75 V | 270 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PLZ2V0A-HG3_A/H | 0.3600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.53% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ2V0 | 960 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 120 µA @ 500 MV | 1.99 V | 140 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU6B-E3/51 | 2.2100 | ![]() | 655 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU6 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 6 a | 5 µA @ 100 V | 3.8 A | Fase única | 100 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SS12P4CHM3/87A | - | ![]() | 5545 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS12P4 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 6A | 520 MV @ 6 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||||||||||||||||
BAT54C-E3-08 | 0.3200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 30 V | 200MA (DC) | 800 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||
UF5401-E3/73 | 0.6200 | ![]() | 8988 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | UF5401 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-110RKI120M | 113.4428 | ![]() | 5864 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 140 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-209AC, TO-94-4, Stud | 110RKI120 | TO-209AC (TO-94) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS110RKI120M | EAR99 | 8541.30.0080 | 25 | 200 MA | 1.2 kV | 172 A | 2 V | 2080a, 2180a | 120 Ma | 1.57 V | 110 A | 20 Ma | Recuperación | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-18TQ045SPBF | - | ![]() | 8475 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 18TQ045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 600 MV @ 18 A | 2.5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 18A | 1400pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLZ5V6-GS18 | 0.0335 | ![]() | 5387 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ5V6 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 5.6 V | 13 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZG04-18-HM3-18 | 0.2079 | ![]() | 7570 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG04-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG04 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 5 µA @ 18 V | 22 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Suf30J-E3/73 | - | ![]() | 5910 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | P600, axial | Suf30 | Estándar | P600 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 300 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C5V6-HE3-08 | 0.2800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52C5V6 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 1 V | 5.6 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGL41K-E3/97 | 0.1284 | ![]() | 3872 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | RGL41 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-HFA25TB60STLHM3 | 2.3503 | ![]() | 6644 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Hexfred® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | HFA25 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSHFA25TB60STLHM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 25 A | 50 ns | 20 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 25A | 600pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | VSKDL240-06S10 | - | ![]() | 2807 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | 3-MAGN-A-PAK ™ | VSKDL240 | Estándar | Magn-A-Pak® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 600 V | 250a | 1.57 V @ 800 A | 1 µs | 50 mA @ 600 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UH6PJ-M3/87A | - | ![]() | 9880 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | UH6 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 3 V @ 6 A | 45 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | GI812HE3/54 | - | ![]() | 7358 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | GI812 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 v @ 1 a | 750 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VBT1045C-M3/4W | 0.7192 | ![]() | 5123 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VBT1045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 5A | 580 MV @ 5 A | 500 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
VS-VSKH91/06 | 42.2390 | ![]() | 5759 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKH91 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKH9106 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 600 V | 210 A | 2.5 V | 2000a, 2094a | 150 Ma | 95 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||
![]() | SD500N45PSC | - | ![]() | 4462 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Chasis, Soporte de semento | B-8 | SD500 | Estándar | B-8 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *SD500N45PSC | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 4500 V | 1.66 V @ 1000 A | 50 Ma @ 4500 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 475a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | ES1PBHM3/85A | 0.1673 | ![]() | 1823 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | ES1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 920 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Fepb6cthe3/45 | - | ![]() | 9723 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Fepb6 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 6A | 975 MV @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | Fep16ft-e3/45 | 1.5700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | FEP16 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 300 V | 16A | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VSKC236/16PBF | 67.2460 | ![]() | 6275 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Int-a-pak | VSKC236 | Estándar | Int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsvskc23616pbf | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1600 V | 115a | 20 Ma @ 1600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BYM10-400-E3/97 | 0.4500 | ![]() | 5157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | Bym10 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF16H45HE3/45 | - | ![]() | 1102 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | MBRF16 | Schottky | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 660 MV @ 16 A | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMY33-GS08 | 0.4200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZMY33 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 25 V | 33 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | V2PL45HM3/H | 0.3500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | MicroSMP | V2PL45 | Schottky | MicroSMP (DO-219AD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 560 MV @ 2 A | 350 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 2a | 300pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1PJ-M3/85A | 0.0795 | ![]() | 5626 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | Rs1p | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz |
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