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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Irkh57/14a	-	RFQ	8484	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 2)	Irkh57			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	10		200 MA	1.4 kV	135 A	2.5 V	1310a, 1370a	150 Ma		60 A												1 scr, 1 diodo
MPG06J-E3/54	0.4400	RFQ	656	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	Mpg06	Estándar			Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
BZT52B3V0-G3-08	0.0501	RFQ	9074	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52B3V0		410 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																						3 V	80 ohmios
VLZ24D-GS08	-	RFQ	7933	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ24		500 MW		Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500															1.5 V @ 200 Ma		40 µA @ 22.4 V					24.85 V	35 ohmios
Fepb16dthe3_a/p	1.1550	RFQ	5197	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FEPB16	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	8A	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
8ewf12str	-	RFQ	3978	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	8EWF12	Estándar			D-Pak (TO-252AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1200 V		1.3 V @ 8 A	270 ns	100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
SMPZ3931B-M3/84A	0.1027	RFQ	8318	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	SMPZ3931		500 MW		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000															1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 13.7 V					18 V	12 ohmios
RGP10D-E3/54	0.3800	RFQ	99	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-95-9971PBF	-	RFQ	6782	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	*	Tubo	Obsoleto										-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	50
VS-VSKJS409/150	87.7100	RFQ	9753	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKJS409	Schottky			Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKJS409150	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Ánodo Común	150 V	200a	1.03 v @ 200 a		6 Ma @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
IRKD166/12	-	RFQ	7172	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Int-a-pak (3)	Irkd166	Estándar			Módulo	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											Conexión de la Serie de 1 par	1200 V	165a			20 Ma @ 1200 V
B350B-E3/52T	0.4100	RFQ	6014	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	B350	Schottky			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		660 MV @ 3 A		100 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
20CJQ100TR	-	RFQ	6940	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	20CJQ	Schottky			SOT-223	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	1A	790 MV @ 1 A		100 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C
SE10DTG-M3/I	1.1300	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete		Estándar			SMPD	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.15 V @ 10 A	3 µs	15 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.9a	67pf @ 4V, 1MHz
BZT55A5V6-GS18	-	RFQ	1659	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 1%	175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BZT55		500 MW		Césped-80 cuádromal	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 1 V					5.6 V	40 ohmios
1N5407-E3/51	-	RFQ	6406	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	1N5407	Estándar			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.2 v @ 3 a		5 µA @ 800 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1 MHz
MBRB3045CThe3/81	-	RFQ	8290	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB30	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	15A	600 MV @ 20 A		1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
BA159GPE-E3/54	0.1754	RFQ	9729	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BA159	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-50PFR160W	4.9245	RFQ	5699	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	50pFr160	Polaridad Inversa Estándar			DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS50PFR160W	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1600 V		1.5 V @ 125 A			-55 ° C ~ 160 ° C	50A	-
75HQ045	-	RFQ	7518	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	75HQ045	Schottky			DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V		710 MV @ 75 A		5 Ma @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C	75a	-
SS1P4-M3/85A	0.0677	RFQ	1722	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	SS1P4	Schottky			DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		530 MV @ 1 A		150 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	70pf @ 4V, 1MHz
VS-SD600N04PC	118.8483	RFQ	7261	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	B-8	SD600	Estándar			B-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.31 V @ 1500 A		35 Ma @ 400 V	-40 ° C ~ 180 ° C	600A	-
VS-20ETF10StrlPBF	-	RFQ	3522	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20etf10	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs20etf10Strlpbf	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.31 v @ 20 a	95 ns	100 µA @ 1000 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
MMSZ5247C-G3-18	0.0483	RFQ	6732	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5247		500 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																	100 na @ 13 V					17 V	19 ohmios
TZM5233B-GS08	0.2300	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5233		500 MW		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500															1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 3.5 V					6 V	7 ohmios
BYWE29-50-E3/45	-	RFQ	2700	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	Bywe29	Estándar			TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		1.3 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	8A	45pf @ 4V, 1MHz
V30M120M-E3/4W	0.5978	RFQ	8640	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	V30M120	Schottky			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	120 V	15A	1.07 v @ 15 a		1 ma @ 120 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-ST300C20C0L	175.8733	RFQ	9330	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	TO-200AB, E-PUK	ST300				TO-200AB (E-PUK)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST300C20C0L	EAR99	8541.30.0080	12		600 mA	2 kV	1290 A	3 V	6730a, 7040a	200 MA	2.18 V	650 A	50 Ma	Recuperación
VBT30L60C-E3/4W	2.1400	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT30L60	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	60 V	15A	600 MV @ 15 A		4 Ma @ 60 V	150 ° C (Máximo)
MBRB25H35CThe3/81	-	RFQ	4678	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB25	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	35 V	15A	640 MV @ 15 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C