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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
60CPF12	-	RFQ	5286	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	60CPF12	Estándar		To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1200 V		1.4 V @ 60 A	480 ns	100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	60A	-
SS1F4-M3/I	0.0781	RFQ	7217	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	SS1F4	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		520 MV @ 1 A		150 µA @ 40 V	175 ° C (Máximo)	1A	85pf @ 4V, 1 MHz
SMPZ3935B-E3/84A	-	RFQ	3317	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	SMPZ39		500 MW	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 20.6 V				27 V	23 ohmios
VS-S1039	-	RFQ	9108	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					S1039				-				112-VS-S1039			1
BYV98-200-TR	1.2600	RFQ	11	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BYV98	Avalancha		Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.1 v @ 5 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	4A	-
GL41Y-E3/96	0.4500	RFQ	23	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	GL41	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1600 V		1.2 v @ 1 a		10 µA @ 1600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
V20PWM60CHM3/I	1.0900	RFQ	87	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V20PWM60	Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	60 V	10A	660 MV @ 10 A		600 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-HFA06TB120SLHMH	-	RFQ	5858	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	*	Tubo	Activo					HFA06				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-HFA06TB120SLHMH			800
V30dm120hm3/i	0.7301	RFQ	4936	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	V30DM120	Schottky		TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												120 V		1.06 v @ 30 a		1 ma @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C	30A	-
Byw72-tap	1.0900	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BYW72	Avalancha		Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.1 v @ 3 a	200 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
EGL41CHE3/96	-	RFQ	6539	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	EGL41	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 4V, 1 MHz
BZD27B8V2P-E3-18	0.1155	RFQ	9573	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27b	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	Bzd27b8v2		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000																1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 3 V				8.2 V	2 ohmios
SE15FGHM3/I	0.0936	RFQ	6469	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	SE15	Estándar		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.05 V @ 1.5 A	900 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5a	10.5pf @ 4V, 1 MHz
FEPB6AT-E3/45	-	RFQ	8560	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Fepb6	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	50 V	6A	975 MV @ 3 A	35 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VX80M45PWHM3/P	2.4634	RFQ	9111	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3		Schottky		Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-VX80M45PWHM3/P	EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	40A	610 MV @ 40 A		550 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 175 ° C
GP10D-4003-M3/54	-	RFQ	7612	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
VS-8ETH03STRR-M3	0.4897	RFQ	2498	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8eth03	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												300 V		1.25 v @ 8 a	35 ns	20 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
VS-S1643	-	RFQ	4311	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					S1643				-				112-VS-S1643			1
GF1A/67A	-	RFQ	4044	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214BA	GF1	Estándar		DO-214BA (GF1)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												50 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
BZT52B39-E3-08	0.3100	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52B39		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																		100 na @ 29 V				39 V	50 ohmios
VS-20L15T-M3	1.4500	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	20L15	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												15 V		520 MV @ 40 A		10 Ma @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C	20A	2000pf @ 5V, 1MHz
VS-16F120M	11.4300	RFQ	9884	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	16F120	Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1200 V		1.23 V @ 50 A	29 ns		-65 ° C ~ 175 ° C	16A	-
VS-MUrB2020CT-1PBF	-	RFQ	8310	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Murb2020	Estándar		Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	10A	850 MV @ 8 A	35 ns	15 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-25TTS12FP-M3	5.3900	RFQ	8045	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	25TTS12			Un entero de 220ab-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS25TTS12FPM3	EAR99	8541.30.0080	50			150 Ma	1.2 kV	25 A	2 V	270a @ 50Hz	45 Ma	1.25 V	16 A	500 µA	Recuperación
BA159-E3/73	0.3300	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BA159	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
VSKE320-08	-	RFQ	4425	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKE320	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V				50 Ma @ 800 V		320A	-
AZ23C6V2-HE3-08	0.0436	RFQ	6123	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C6V2		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común																	100 na @ 2 V				6.2 V	10 ohmios
GL34G-E3/98	0.4100	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	GL34	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.2 V @ 500 Ma	1.5 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	4PF @ 4V, 1MHz
BZX84C3V0-HE3-18	0.0323	RFQ	6177	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C3V0		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		10 µA @ 1 V				3 V	95 ohmios
VS-12TQ045-N3	-	RFQ	8068	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	12TQ045	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-12TQ045-N3GI	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V		710 MV @ 30 A		1.75 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	15A	900pf @ 5V, 1 MHz