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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
SBLB1030-E3/81	-	RFQ	9943	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SBLB1030	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												30 V		600 MV @ 10 A		1 ma @ 30 V	-40 ° C ~ 125 ° C	10A	-
Rs1pbhe3/85a	-	RFQ	8181	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	Rs1	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	9PF @ 4V, 1MHz
VS-47CTQ020-N3	-	RFQ	5531	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	47CTQ020	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-47CTQ020-N3GI	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	20 V	20A	450 MV @ 20 A		3 Ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GLL4756-E3/96	0.3053	RFQ	2386	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	GLL4756		1 W	Melf do-213ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500																		5 µA @ 35.8 V				47 V	80 ohmios
BZX84B18-E3-18	0.0324	RFQ	3588	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B18		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		50 na @ 12.6 V				18 V	45 ohmios
AZ23C47-E3-08	0.0415	RFQ	4237	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C47		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común																	100 na @ 35 V				47 V	100 ohmios
MMSZ5243C-G3-18	0.0483	RFQ	7882	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5243		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		500 na @ 9.9 V				13 V	13 ohmios
V30100SGHM3/4W	-	RFQ	6481	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	V30100	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		1 V @ 30 A		350 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	30A	-
BZX84B56-HE3-18	0.0341	RFQ	8886	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B56		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		50 na @ 39.2 V				56 V	200 ohmios
BZT55B3V0-GS08	0.0433	RFQ	7971	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BZT55B3V0		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500																1.5 V @ 200 Ma		4 µA @ 1 V				3 V	90 ohmios
VS-400U80D	68.6900	RFQ	16	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	400u80	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.62 v @ 1500 A		15 Ma @ 800 V	-40 ° C ~ 200 ° C	400A	-
VS-50SQ060G	-	RFQ	4186	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204ar, axial	50sq060	Schottky		Do-204ar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VS50SQ060G	EAR99	8541.10.0080	300		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		660 MV @ 5 A		150 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5A	500pf @ 5V, 1MHz
BZX84C3V9-E3-18	0.0306	RFQ	5854	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C3V9		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		3 µA @ 1 V				3.9 V	90 ohmios
TLZ5V6A-GS18	0.0335	RFQ	5033	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ5V6		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 2 V				5.6 V	13 ohmios
TZMB62-GS08	0.3100	RFQ	20	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMB62		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500																1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 47 V				62 V	150 ohmios
VS-25ria20m	17.1757	RFQ	3703	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-208AA, TO-48-3, Stud	25ria20			TO-208AA (TO-48)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs25ria20m	EAR99	8541.30.0080	100			130 Ma	200 V	40 A	2 V	350a, 370a	60 Ma	1.7 V	25 A	10 Ma	Recuperación
MBRF20H50CThe3/45	-	RFQ	1541	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	MBRF20	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	50 V	10A	710 MV @ 10 A		100 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C
Tzx4v3a-tap	0.0290	RFQ	2778	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Cinta y Caja (TB)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Tzx4v3		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000																1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 1.5 V				4.3 V	100 ohmios
VS-30CTQ035-1HM3	1.2877	RFQ	6514	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	30CTQ035	Schottky		Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	35 V	15A	620 MV @ 15 A		2 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-10CWH02FN-M3	0.9700	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	10CWH02	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS10CWH02FNM3	EAR99	8541.10.0080	75		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	10A	1.15 V @ 10 A	23 ns	40 µA @ 200 V	175 ° C (Máximo)
Rs1dhe3_a/i	0.4800	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	RS1D	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
Smzj3797bhm3_a/i	0.1815	RFQ	4370	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3797		1.5 W	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200																		5 µA @ 16.7 V				22 V	17.5 ohmios
MBR25H45CThe3/45	-	RFQ	2211	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR25	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	15A	640 MV @ 15 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C
MURS340S-E3/52T	0.5200	RFQ	540	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Murs340	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.45 v @ 3 a	75 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	-
MMBZ4623-E3-08	-	RFQ	4686	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4623		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		4 µA @ 2 V				4.3 V	1600 ohmios
BZX384B3V3-HE3-08	0.2800	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B3V3		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																		5 µA @ 1 V				3.3 V	95 ohmios
BZX84B20-HE3-08	0.0341	RFQ	6271	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B20		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		50 na @ 14 V				20 V	55 ohmios
BZD27C30P-M-08	-	RFQ	8253	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZD27-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C30		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 22 V				30 V	15 ohmios
LS101A-GS08	0.4000	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Variatura Sod-80	LS101	Schottky		Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												60 V		1 V @ 15 Ma		200 na @ 50 V	125 ° C (Máximo)	30mera	2pf @ 0V, 1 MHz
VS-12TQ035S-M3	0.6706	RFQ	4297	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	12TQ035	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												35 V		560 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C	15A	900pf @ 5V, 1 MHz