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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | BZW03C68-TAP | - | ![]() | 1929 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZW03 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | BZW03 | 1.85 W | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 2 µA @ 51 V | 68 V | 45 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | Tzx5v1c-tap | 0.2300 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Cinta de Corte (CT) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | TZX5V1 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | SML4739HE3/61 | - | ![]() | 3919 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 10% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4739 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 10 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1PBHM3/84A | 0.1673 | ![]() | 6059 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | ES1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 920 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-8EWH06FNTRL-M3 | 0.4981 | ![]() | 3335 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 8ewh06 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS8EWH06FNTRLM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.4 v @ 8 a | 25 ns | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-MBR20100CT-1-M3 | 0.8677 | ![]() | 8695 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | MBR20100 | Schottky | Un 262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 800 MV @ 10 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
BZX84B30-G3-08 | 0.2900 | ![]() | 4639 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B30 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Irkt41/14a | - | ![]() | 9818 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | Irkt41 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1.4 kV | 100 A | 2.5 V | 850a, 890a | 150 Ma | 45 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||
![]() | SBLF10L25HE3_A/P | 0.9900 | ![]() | 6663 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | Schottky | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-SBLF10L25HE3_A/P | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 25 V | 460 MV @ 10 A | 800 µA @ 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B68-HE3-08 | 0.0436 | ![]() | 4017 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52B68 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 68 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UGB8DT-E3/45 | - | ![]() | 6009 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | UGB8 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 8 a | 30 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Byt52d-tap | 0.2673 | ![]() | 1621 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | Byt52 | Avalancha | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.4a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | BZG04-82-HM3-08 | 0.2079 | ![]() | 5325 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG04-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG04-82 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 5 µA @ 82 V | 100 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SE15PJHM3/85A | 0.1005 | ![]() | 6860 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | SE15 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.05 V @ 1.5 A | 900 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 9.5pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-1EMH02-M3/5AT | 0.4500 | ![]() | 9482 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1MH02 | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 900 MV @ 1 A | 15.2 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-402CNQ200PBF | 36.7100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Caja | Activo | Monte del Chasis | TO-244AB | Schottky | To-244 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 112-VS-402CNQ200PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 551A | 1.358 v @ 400 A | 132 ns | 200 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | VX20170CHM3/P | 1.1187 | ![]() | 5783 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Schottky | Un 220b | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-VX20170CHM3/P | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 170 V | 10A | 840 MV @ 10 A | 50 µA @ 170 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 80cnq040asl | - | ![]() | 7164 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | D-61-8-SL | 80cnq | Schottky | D-61-8-SL | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *80CNQ040Asl | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 40A | 520 MV @ 40 A | 5 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | 10ets08s | - | ![]() | 6053 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 10ets08 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 10 a | 50 µA @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||||
VS-HFA06TB120PBF | - | ![]() | 3424 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | HFA06 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3 V @ 6 A | 80 ns | 5 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | BAV19WS-E3-08 | 0.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BAV19 | Estándar | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | 250 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | BZD27B75P-HE3-18 | 0.1238 | ![]() | 7869 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZD27B | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27B75 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 56 V | 75 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-111CNQ045AmSPBF | - | ![]() | 5448 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | D-61-8-SM | 111CNQ045 | Schottky | D-61-8-SM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS111CNQ045AMSPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 110A | 1.5 Ma @ 45 V | 175 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST180C04C0 | 53.9150 | ![]() | 6481 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | A-200ab, A-PUK | ST180 | A-200ab, A-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 400 V | 660 A | 3 V | 5000A, 5230A | 150 Ma | 1.96 V | 350 A | 30 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||||
![]() | SSA33LHE3_A/H | 0.4400 | ![]() | 1333 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SSA33 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 450 MV @ 3 A | 500 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-20MQ100HM3/5AT | 0.0950 | ![]() | 3812 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 20MQ100 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 910 MV @ 2 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 38pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRB16H35HE3_B/I | 0.7920 | ![]() | 5344 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB16 | Schottky | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 660 MV @ 16 A | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 16A | - | ||||||||||||||||||||||
VS-10ETF12PBF | - | ![]() | 1467 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 10ETF12 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.33 v @ 10 a | 310 ns | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-5EWH06FNHM3 | 0.6468 | ![]() | 1377 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 5ewh06 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS5EWH06FNHM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.85 v @ 5 a | 25 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-5EWH06FN-M3 | 0.8800 | ![]() | 6922 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 5ewh06 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS5EWH06FNM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.85 v @ 5 a | 25 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 5A | - |
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