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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irkh91/04a | - |  | 5511 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 2) | Irkh91 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 400 V | 210 A | 2.5 V | 1785a, 1870a | 150 Ma | 95 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||
 | BZD27B56P-HE3-08 | 0.1238 | | 4219 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZD27B | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27B56 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 43 V | 56 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
 | SML4758HE3_A/I | 0.1434 | | 5364 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4758 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 42.6 V | 56 V | 110 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
 | VS-25CTQ040S-M3 | 0.8933 | | 6684 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 25CTQ040 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 15A | 560 MV @ 15 A | 1.75 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
 | GP10AHM3/73 | - | | 7923 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
 | VS-E5PH3006L-N3 | 2.8200 | | 401 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | E5PH3006 | Estándar | Un 247ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VS-E5PH3006L-N3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.6 V @ 30 A | 46 ns | 20 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||||||||||||||
 | GBU8J-E3/51 | 2.0600 | | 58 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU8 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 8 a | 5 µA @ 600 V | 3.9 A | Fase única | 600 V | |||||||||||||||||||||||||
| BZD27B160P-HE3-18 | 0.1238 | | 7810 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZD27B | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27B160 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 130 V | 160 V | 350 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
 | MMSZ4710-G3-08 | 0.0409 | | 9102 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4710 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10 na @ 19 V | 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | BZX584C5V1-VG-08 | - | | 9977 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzx584c-vg | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Bzx584c | 200 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
| AS1FDHM3/H | 0.3800 | | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Avalancha | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 V @ 1.5 A | 1.3 µs | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 8.8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | BU1010-E3/45 | 1.4649 | | 3707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | Bu1010 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 v @ 5 a | 5 µA @ 1000 V | 3.2 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||
 | GBPC110-E4/51 | - | | 9061 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-1 | GBPC110 | Estándar | GBPC1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 1000 V | 2 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||
| BZD27B180P-E3-18 | 0.1050 | | 3595 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27b | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27B180 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 130 V | 180 V | 400 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
| BZG05C8V2-M3-18 | 0.1089 | | 2045 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.1% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05C8V2 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
 | S4pmhm3_a/i | 0.1980 | | 2361 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | S4P | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 4 a | 2.5 µs | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
| VS-S1254 | - | | 5886 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | S1254 | - | 112-VS-S1254 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-18TQ035SPBF | - | | 2468 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 18TQ035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS18TQ035SPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 600 MV @ 18 A | 2.5 mA @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 18A | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
| SSA34HE3/61T | - | | 5517 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SSA34 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 490 MV @ 3 A | 200 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||
 | V10170C-M3/4W | 0.9691 | | 5071 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | V10170 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 170 V | 5A | 1.03 v @ 5 a | 90 µA @ 170 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||
 | ZMY15-GS18 | 0.4200 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZMY15 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 11 V | 15 V | 9 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
 | V40PWL63C-M3/I | 0.5747 | | 1074 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-V40PWL63C-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 20A | 680 MV @ 20 A | 400 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
 | VSSAF3L63HM3/H | 0.4900 | | 7008 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Cinta de Corte (CT) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | VSSAF3L63 | Schottky | DO-221AC (SLIMSMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 540 MV @ 3 A | 70 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 2.5a | 680pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| VS-62CTQ030-N3 | - | | 4198 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 62CTQ030 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS-62CTQ030-N3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 60A | 600 MV @ 60 A | 2.5 Ma @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
| VS-111RKI80 | 50.4696 | | 1323 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-209AC, TO-94-4, Stud | 111RKI80 | TO-209AC (TO-94) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS111RKI80 | EAR99 | 8541.30.0080 | 25 | 200 MA | 800 V | 172 A | 2 V | 1750a, 1830a | 120 Ma | 1.57 V | 110 A | 20 Ma | Recuperación | ||||||||||||||||||||
 | MMBZ4706-G3-18 | - | | 7866 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4706 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 14.4 V | 19 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | VI40100GHM3/4W | - | | 8970 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | VI40100 | Schottky | Un 262AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 810 MV @ 20 A | 500 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||
| BZD27B62P-M3-08 | 0.4200 | | 7893 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27b-m | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27B62 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 47 V | 62 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
| BZD27C51P-M3-18 | 0.1733 | | 2934 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZD27-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C51 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 39 V | 51 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
 | 1N5265B-T | - | | 4567 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5265 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1N5265B-TGI | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 47 V | 62 V | 1400 ohmios |
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