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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMSZ5254C-HE3-08 | 0.0454 |  | 5707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5254 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | |||||||||||||
 | Irkd91/10a | - | | 4081 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Add-a-pak (3) | Irkd91 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1000 V | 100A | 10 Ma @ 1000 V | |||||||||||||
 | 1N4937-E3/73 | 0.3000 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4937 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 600 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | VLZ39C-GS08 | - | | 4819 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ39 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 34.2 V | 36.93 V | 85 ohmios | ||||||||||||
 | VS-8TQ100PBF | - | | 6698 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 8TQ100 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 720 MV @ 8 A | 550 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | 500pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
 | VS-HFA16TB120STRLP | - | | 8584 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | HFA16 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3 V @ 16 A | 135 ns | 20 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||
 | Ss2fl4-m3/i | 0.1069 | | 4482 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS2FL4 | Schottky | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 580 MV @ 2 A | 220 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 125pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| VS-95-9928PBF | - | | 3040 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | * | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
 | Smzj3796bhm3_b/i | 0.1500 | | 9066 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3796 | 1.5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-SMZJ3796BHM3_B/ITR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 14 ohmios | |||||||||||||
 | AZ23B43-G3-08 | 0.0594 | | 8280 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B43 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 32 V | 43 V | 100 ohmios | ||||||||||||
 | VS-E7MH0112-M3/I | 0.4800 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | VS-E7 | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.8 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||
 | SMBZ5932B-M3/5B | 0.1906 | | 6641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBZ5932 | 550 MW | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 15.2 V | 20 V | 14 ohmios | ||||||||||||
| BZX55F5V1-TAP | - | | 2417 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 1% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 5.1 V | 35 ohmios | ||||||||||||
| Bzg03b16tr3 | - | | 1608 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG03B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1.25 W | DO-214AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 12 V | 16 V | 15 ohmios | |||||||||||||
 | BY500-400-E3/73 | - | | 5629 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | BY500 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.35 v @ 5 a | 200 ns | 10 µA @ 400 V | -50 ° C ~ 125 ° C | 5A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| AZ23B7V5-HE3_A-18 | - | | 4328 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-AZ23B7V5-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios | |||||||||||||||
 | BZX384C4V3-E3-08 | 0.2400 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C4V3 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | |||||||||||||
 | MBRF1535CThe3/45 | - | | 4098 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | MBRF15 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 7.5a | 570 MV @ 7.5 A | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
| BZX84B33-HE3_A-08 | 0.0498 | | 5851 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-BZX84B33-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||
 | Ss10ph9hm3_a/i | 0.3925 | | 7640 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS10PH9 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 880 MV @ 10 A | 10 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 270pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
| VSSB310-M3/52T | 0.4600 | | 28 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SB310 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 700 MV @ 3 A | 250 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1.9a | 230pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
 | Smaz5943b-m3/5a | 0.1063 | | 4542 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz5943 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 42.6 V | 56 V | 86 ohmios | ||||||||||||
| SMZJ3789A-E3/52 | - | | 5485 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ37 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µA @ 7.6 V | 10 V | 5 ohmios | |||||||||||||
 | SL42HE3/9AT | - | | 8217 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | SL42 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 420 MV @ 4 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 4A | - | |||||||||||
| VLZ12A-GS08 | - | | 1251 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ12 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 10.6 V | 11.42 V | 12 ohmios | ||||||||||||
 | VS-32CTQ030-M3 | 1.6900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 32CTQ030 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 30A | 580 MV @ 30 A | 1.75 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
 | 30CPQ080 | - | | 4637 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 30cpq | Schottky | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 80 V | 15A | 860 MV @ 15 A | 550 µA @ 80 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
 | V20PW22CHM3/I | 2.1600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 930 MV @ 10 A | 100 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
| VS-95-9969PBF | - | | 4139 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | * | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| VS-HFA08TB120-N3 | - | | 5503 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | HFA08 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSHFA08TB120N3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.3 V @ 8 A | 95 ns | 10 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - |
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