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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZG05C3V3-M3-08 | 0.3900 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.06% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05C3V3 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 40 µA @ 1 V | 3.3 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||
| BZG03C62-HM3-18 | 0.1898 | | 6491 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG03C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.45% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03C62 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 47 V | 62 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | VS-3EJH02HM3/6A | 0.5400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | 3EJH02 | Estándar | DO-221AC (SLIMSMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 930 MV @ 3 A | 18 ns | 2 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||
 | BZX84B9V1-HE3_A-18 | 0.0498 | | 3868 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-BZX84B9V1-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | UHF10JT-E3/45 | - | | 7779 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | UHF10 | Estándar | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 25 ns | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||
 | S5ghe3_a/i | 0.5400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S5G | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.15 v @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 40pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
 | V10D202C-M3/I | 0.9270 | | 2257 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V10D202 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 5A | 900 MV @ 5 A | 50 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||
 | Irkt91/04a | - | | 7479 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | Irkt91 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 400 V | 210 A | 2.5 V | 1785a, 1870a | 150 Ma | 95 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||
| BZX84B62-HE3-08 | 0.0341 | | 8795 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B62 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 43.4 V | 62 V | 215 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | SMPZ3930B-M3/84A | 0.1027 | | 7275 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | SMPZ3930 | 500 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 12.2 V | 16 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||
| VS-40HFR140M | 15.8598 | | 7678 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 40HFR140 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS40HFR140M | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 1.5 V @ 125 A | -65 ° C ~ 160 ° C | 40A | - | |||||||||||||||||||
| SS2PH9HE3/84A | - | | 1039 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q100, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | SS2PH9 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 800 MV @ 2 A | 1 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 65pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
 | V1f22-m3/i | 0.0792 | | 3524 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Schottky | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-V1F22-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 880 MV @ 1 A | 35 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 1A | 75pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
 | EGP50che3/73 | - | | 7722 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | EGP50 | Estándar | GP20 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 5 A | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 5A | 95pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
 | TZMC43-M-18 | 0.0324 | | 6453 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZMC43 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 33 V | 43 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | VS-8etu04pbf | - | | 1017 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 8etu04 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 8 A | 60 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | ||||||||||||||||||
| MMBZ5259B-HE3-18 | - | | 9572 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5259 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | GDZ3V3B-HE3-18 | 0.0378 | | 8708 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, GDZ | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ3V3 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 20 µA @ 1 V | 3.3 V | 120 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | BYM11-100HE3/97 | - | | 8065 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | Bym11 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Bym11-100he3_a/i | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||
 | SMBZ5920B-M3/5B | 0.1906 | | 8192 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBZ5920 | 550 MW | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 1.5 V @ 200 Ma | 200 µA @ 4 V | 6.2 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | MBRB1535CThe3_a/i | - | | 9546 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB15 | Schottky | Un 263ab | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 7.5a | 840 MV @ 15 A | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||
| VS-VSKD600-12PBF | 388.7300 | | 7637 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Super Magn-A-Pak | VSKD600 | Estándar | Super Magn-A-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKD60012PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 300A | 50 Ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||
 | VS-C4PH3006LHN3 | 1.7622 | | 5104 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | C4PH3006 | Estándar | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 V @ 15 A | 50 ns | 15 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||||||||||
| VS-VSKE166/12PBF | 53.1947 | | 4892 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Int-a-pak (3) | VSKE166 | Estándar | Int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsvske16612pbf | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 20 Ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 165a | - | |||||||||||||||||||
| MURS460-M3/H | 0.4387 | | 3501 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Murs460 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-MURS460-M3/HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 v @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2.4a | - | |||||||||||||||||
| BZX384B47-G3-08 | 0.0445 | | 9730 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384B47 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 32.9 V | 47 V | 170 ohmios | |||||||||||||||||||||
| VB30100CHM3/I | - | | 5163 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VB30100 | Schottky | Un 263ab | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 15A | 800 MV @ 15 A | 500 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
| Ss22she3_b/i | 0.0759 | | 8260 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS22 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 550 MV @ 2 A | 200 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 130pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
 | BYM07-400HE3/98 | - | | 1264 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | BYM07 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.35 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
 | VS-302U60A | 57.7200 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 302U60 | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.46 V @ 942 A | -65 ° C ~ 200 ° C | 300A | - |
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