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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-95PFR160 | 6.7132 | ![]() | 1830 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 95PFR160 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS95PFR160 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.4 V @ 267 A | -55 ° C ~ 180 ° C | 95a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | TLZ2V7A-GS08 | 0.0422 | ![]() | 4739 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ2V7 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | TLZ6V2B-GS18 | 0.0335 | ![]() | 7343 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ6V2 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||
VS-150KR60A | 37.3500 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Chasis, Soporte de semento | DO-205AA, DO-8, Semento | 150kr60 | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.33 v @ 471 a | 35 Ma @ 600 V | -40 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | SMPZ3926B-M3/85A | 0.0888 | ![]() | 3370 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | SMPZ3926 | 500 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 8.4 V | 11 V | 5.5 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N444448WS-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 6901 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 1N4448 | Estándar | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 720 MV @ 5 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | - | |||||||||||||||||||
![]() | VLZ24B-GS08 | - | ![]() | 8747 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ24 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 21.5 V | 23.19 V | 35 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | TLZ9V1C-GS08 | 0.2500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ9V1 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 na @ 8.39 V | 9.1 V | 8 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | S3B-E3/9AT | 0.1539 | ![]() | 5103 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S3B | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.15 V @ 2.5 A | 2.5 µs | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | VS-VSKDS408/060 | 51.8890 | ![]() | 3879 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Add-a-pak (3) | VSKDS408 | Schottky | Add-a-pak® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKDS408060 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 100A | 740 MV @ 200 A | 2.2 Ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||
![]() | ZMY43-GS18 | 0.4200 | ![]() | 5991 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZMY43 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 500 na @ 32 V | 43 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZG04-9V1-M3-18 | 0.1980 | ![]() | 5711 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG04-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG04-9V1 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 5 µA @ 9.1 V | 11 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | UH4PDC-M3/87A | - | ![]() | 1211 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | UH4 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 2A | 1.05 v @ 2 a | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||
BZX84B3V0-E3-18 | 0.0324 | ![]() | 9970 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B3V0 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | FEPB16FT-E3/81 | 1.0574 | ![]() | 7687 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | FEPB16 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 300 V | 8A | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||
![]() | BYS10-45HE3_A/H | 0.3800 | ![]() | 942 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Bys10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | TZQ5221B-GS08 | 0.0411 | ![]() | 6728 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | TZQ5221 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | EGP30D-E3/54 | - | ![]() | 7014 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | EGP30 | Estándar | GP20 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||
![]() | VLZ24B-GS18 | - | ![]() | 3723 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ24 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 21.5 V | 23.19 V | 35 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | Bzg03b62tr | - | ![]() | 3204 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG03B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1.25 W | DO-214AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 47 V | 62 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | SMZJ3808BHE3/5B | - | ![]() | 8616 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ38 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 47.1 V | 62 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | Murb1020ct | - | ![]() | 8062 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Murb1020 | Estándar | To-263ab (d²pak) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 5A | 990 MV @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | - | |||||||||||||||||||
AZ23B8V2-E3-18 | 0.0509 | ![]() | 8803 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B8V2 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 6 V | 8.2 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | V6WM100C-M3/I | - | ![]() | 8446 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | V6WM100 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 3A | 740 MV @ 3 A | 150 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||
![]() | BZG05C12-E3-TR | - | ![]() | 4738 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 9.1 V | 12 V | 9 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | ZM4763A-GS08 | - | ![]() | 3587 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZM4763 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | ZM4763AGS08 | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 5 µA @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | GP15MHE3/73 | - | ![]() | 2281 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | GP15 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 1.5 A | 3.5 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | - | |||||||||||||||||||
![]() | Irkh26/10a | - | ![]() | 2367 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 2) | Irkh26 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1 kV | 60 A | 2.5 V | 400a, 420a | 150 Ma | 27 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||
![]() | VS-SD3000C08K | 217.8200 | ![]() | 8191 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Apretar | DO-200AC, K-PUK | Sd3000 | Estándar | DO-200AC, K-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.22 V @ 6000 A | 75 Ma @ 800 V | 3800A | - | |||||||||||||||||||||
BZX84C2V7-HE3_A-18 | - | ![]() | 1635 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-BZX84C2V7-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios |
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