- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX84B20-HE3-18 | 0.0341 |  | 7675 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B20 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | SS3P3HE3/84A | - | | 9500 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q100, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | Ss3p3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 580 MV @ 3 A | 200 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||
 | GP10-4006-M3/54 | - | | 7875 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | GP10 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZG03B82-HM3-18 | 0.2310 | | 2966 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG03B-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03B82 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 62 V | 82 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | 8ews08s | - | | 7828 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 8ews08 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 8 a | 50 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||||||||||
 | BZD27C4V7P-M-18 | - | | 2024 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZD27-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C4V7 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.7 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||
| MMBZ5226C-G3-08 | - | | 4525 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5226 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 25 µA @ 1 V | 3.3 V | 28 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | MUR160-E3/54 | - | | 2020 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | MUR160 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 v @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||
 | VS-20TQ040STRLPBF | - | | 4388 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 20TQ040 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS20TQ040STRLPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 570 MV @ 20 A | 2.7 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 1400pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||
 | FGP10DHM3/54 | - | | 5736 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | FGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 2 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
 | Ar4pkhm3/87a | - | | 4255 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ar4 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.9 v @ 4 a | 120 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.8a | 55pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
| V2fl45hm3/h | 0.4200 | | 55 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | V2FL45 | Schottky | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 560 MV @ 2 A | 570 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 2A | 270pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
 | 1N522222C-TR | 0.0373 | | 2868 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5222 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.5 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | 1N4148-A | - | | 9112 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4148 | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||
 | VS-25FR20 | 5.2100 | | 3285 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 25FR20 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 78 A | 12 Ma @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | |||||||||||||||||||
 | TZMC51-GS18 | 0.0303 | | 5624 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZMC51 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 39 V | 51 V | 125 ohmios | ||||||||||||||||||||
| GP10DHM3/73 | - | | 8310 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
| MMBZ5225B-G3-18 | - | | 7185 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5225 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 µA @ 1 V | 3 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||
| MBRB30H90CT-E3/81 | - | | 7305 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB30 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 90 V | 15A | 820 MV @ 15 A | 5 µA @ 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||
 | VS-VSKL41/06 | 38.3640 | | 3570 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKL41 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKL4106 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 600 V | 100 A | 2.5 V | 850a, 890a | 150 Ma | 45 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||
| BZX84C6V8-E3-08 | 0.2300 | | 65 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C6V8 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | SMBZ5929B-M3/5B | 0.1906 | | 3688 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBZ5929 | 550 MW | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9.9 V | 15 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||
| VS-VSKV71/12 | 45.0910 | | 7712 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKV71 | Ánodo Común: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKV7112 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 1.2 kV | 115 A | 2.5 V | 1300a, 1360a | 150 Ma | 75 A | 2 SCRS | |||||||||||||||||
| TZMC13-M-18 | 0.0324 | | 1734 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZMC13 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 10 V | 13 V | 26 ohmios | ||||||||||||||||||||
| SD233N36S50PSC | - | | 5954 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Chasis, Soporte de semento | B-8 | SD233 | Estándar | B-8 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *SD233N36S50PSC | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 3600 V | 3.2 V @ 1000 A | 5 µs | 50 Ma @ 3600 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 235a | - | |||||||||||||||||
| Gp10ye-e3/73 | - | | 4431 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.3 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA @ 1600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 5PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
| BZG03C36-M3-18 | 0.1815 | | 8137 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG03C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.56% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03C36 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 27 V | 36 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||
| V2pm6l-m3/i | 0.0820 | | 3117 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | V2PM6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-V2PM6L-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 630 MV @ 2 A | 200 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 2A | 250pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
| 1N4454-TAP | 0.0530 | | 6273 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4454 | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 50,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 150 Ma | - | ||||||||||||||||||
 | HFA30TA60C | - | | 4086 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | HFA30 | Estándar | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 15a (DC) | 1.7 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)