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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-30CPU04-N3	6.5200	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	30CPU04	Estándar		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	400 V	15A	1.25 V @ 15 A	46 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-43CTQ100-011HN3	-	RFQ	2461	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	43ctq100	Schottky		Un 220-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	900		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	20A	810 MV @ 20 A		1 ma @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
MBR1545CT-E3/45	1.2000	RFQ	228	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR1545	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	7.5a	570 MV @ 7.5 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C
1N4936-E3/53	-	RFQ	4820	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4936	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
BZX384C16-HE3-18	0.2600	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C16		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		50 na @ 11.2 V						16 V	40 ohmios
VS-SD303C25S20C	116.8133	RFQ	7634	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Apretar	DO-200AA, A-PUK	SD303	Estándar		DO-200AA, A-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												2500 V		2.26 V @ 1100 A	2 µs	35 Ma @ 2500 V		350A	-
RGL34A-E3/98	0.4500	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	RGL34	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		1.3 V @ 500 Ma	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	4PF @ 4V, 1MHz
DZ23C8V2-HE3_A-08	-	RFQ	8533	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, DZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-DZ23C8V2-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Cátodo Común																	100 na @ 6 V						8.2 V	4.5 ohmios
V8P12HM3_A/H	0.3003	RFQ	6848	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V8P12	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												120 V		840 MV @ 8 A		300 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
BAS70-05-G3-18	0.0629	RFQ	8908	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAS70	Schottky		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad											1 par Cátodo Común	70 V	200 MMA	1 V @ 15 Ma	5 ns	100 na @ 50 V	125 ° C (Máximo)
BZD27B15P-E3-08	0.1155	RFQ	6080	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27b	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000																1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 11 V						15 V	10 ohmios
PB5006-E3/45	4.4200	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	isocink+™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, PB	PB5006	Estándar		isocink+™ pb	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	20																1.1 V @ 22.5 A		10 µA @ 600 V		45 A		Fase única	600 V
VS-15CTQ035StrrPBF	-	RFQ	8720	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	15CTQ035	Schottky		To-263ab (d²pak)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	35 V	15A	700 MV @ 15 A		800 µA @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SBL8L40-E3/45	-	RFQ	7096	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	SBL8L40	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		500 MV @ 8 A		1 ma @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	8A	-
10MQ040N	-	RFQ	9317	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	10MQ040	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		540 MV @ 1 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2.1a	-
VS-SD853C45S50K	341.1850	RFQ	8284	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Apretar	DO-200AC, K-PUK	SD853	Estándar		DO-200AC, K-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												4500 V		2.9 V @ 2000 A	5 µs	100 mA @ 4500 V		990a	-
BA157GPHE3/54	-	RFQ	8420	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BA157	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
SE10FG-M3/H	0.0736	RFQ	5435	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	SE10	Estándar		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2266-SE10FG-M3/HTR	EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.05 v @ 1 a	780 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	7.5pf @ 4V, 1 MHz
VI30100C-E3/4W	1.8900	RFQ	915	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	VI30100	Schottky		Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	15A	800 MV @ 15 A		500 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-32CTQ025SHM3	1.2553	RFQ	6222	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	32CTQ025	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	25 V	15A	490 MV @ 15 A		1.75 ma @ 25 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR10100CT-E3/45	-	RFQ	8688	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR1010	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	5A	850 MV @ 5 A		100 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C
SS10P3CLHM3_A/I	0.4084	RFQ	6654	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS10P3	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	30 V	5A	530 MV @ 5 A		550 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
UB10CCT-E3/8W	-	RFQ	3748	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UB10	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	150 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BAV99-HE3-08	0.2300	RFQ	1037	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAV99	Estándar		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad											Conexión de la Serie de 1 par	70 V	150 Ma	1.25 V @ 150 Ma	6 ns	2.5 µA @ 70 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-10ETS12FP-M3	2.3200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	10ets12	Estándar		To20-2 paqueto entero	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-10ETS12FP-M3GI	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1200 V		1.1 v @ 10 a		50 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
VS-88HF80	12.0800	RFQ	80	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	88HF80	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.2 V @ 267 A			-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-
BZX85C16-TR	0.3800	RFQ	17	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85C16		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000																		500 na @ 12 V						16 V	15 ohmios
US1Ghe3/5at	-	RFQ	4717	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	US1	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
MBR7H60-E3/45	-	RFQ	9983	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	MBR7	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		730 MV @ 7.5 A		50 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C	7.5a	-
VS-ST300S20P0PBF	200.0100	RFQ	7359	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AE, TO-118-4, Stud	ST300			TO-209AE (TO-118)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	6			600 mA	2 kV	470 A	3 V	8000A, 8380A	200 MA	1.66 V	300 A	30 Ma	Recuperación