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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
MMBZ5257B-G3-08	-	RFQ	5907	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5257		225 MW		Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																	100 na @ 25 V					33 V	58 ohmios
VS-VS5HD600CW60	41.0400	RFQ	20	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Caja	Activo			Monte del Chasis	TO-244AB	VS-VS5HD	Estándar			To-244	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-VS5HD600CW60	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	600 V	505A (DC)	1.7 V @ 300 A	78 ns	1 Ma @ 600 V	-40 ° C ~ 175 ° C
EGL41D-E3/96	0.5100	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	EGL41	Estándar			DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 4V, 1 MHz
SRP300A-E3/54	-	RFQ	7984	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	Srp300	Estándar			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		1.3 V @ 3 A	100 ns	10 µA @ 50 V	-50 ° C ~ 125 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
Smaz5929b-e3/61	0.4200	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaz5929		500 MW		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800															1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 11.4 V					15 V	9 ohmios
S1AFM-M3/6A	0.4300	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	S1a	Estándar			DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.1 v @ 1 a	1.47 µs	5 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	7.9pf @ 4V, 1MHz
V30DM45C-M3/I	1.6900	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	V30DM45	Schottky			TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	15A	600 MV @ 15 A		700 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 175 ° C
V12pm12hm3_a/i	0.4453	RFQ	6065	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V12pm12	Schottky			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												120 V		830 MV @ 12 A		500 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	4.1a	-
SMAZ5936B-M3/61	0.1073	RFQ	3153	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaz5936		500 MW		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800															900 MV @ 10 Ma		1 µA @ 22.8 V					30 V	28 ohmios
10MQ060NTR	-	RFQ	8690	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	10MQ060	Schottky			DO-214AC (SMA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		710 MV @ 1.5 A		500 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2.1a	-
P600K-E3/73	1.1800	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	P600, axial	P600	Estándar			P600	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	300	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		900 MV @ 6 A	2.5 µs	5 µA @ 800 V	-50 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1 MHz
V25PL60-M3/87A	0.4909	RFQ	6017	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V25PL60	Schottky			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		630 MV @ 25 A		4 Ma @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	5.5a	-
VS-15AWL06FNTRR-M3	0.6181	RFQ	4280	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	15awl06	Estándar			D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs15awl06fntrrm3	EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.05 v @ 15 a	120 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
VS-VSKDS203/100	46.3170	RFQ	8009	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKDS203	Schottky			Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKDS203100	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	100A	990 MV @ 100 A		3 Ma @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VLZ20-GS18	-	RFQ	3238	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ20		500 MW		Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 Ma							20 V	28 ohmios
GP10YHM3/73	-	RFQ	6585	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1600 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 1600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	5PF @ 4V, 1MHz
VS-ST230C12C1	68.9700	RFQ	8757	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Apretar	A-200ab, A-PUK	ST230				A-200ab, A-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST230C12C1	EAR99	8541.30.0080	12		600 mA	1.2 kV	780 A	3 V	4800A, 5000A	150 Ma	1.69 V	410 A	30 Ma	Recuperación
VS-8EWS16SPBF	-	RFQ	8730	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	8ews16	Estándar			TO-252, (D-Pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS8EWS16SPBF	EAR99	8541.10.0080	75	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1600 V		1.1 v @ 8 a		50 µA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
V10P45S-M3/86A	0.8100	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V10P45	Schottky			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V		570 MV @ 10 A		800 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	4.4a	-
SS23-E3/5BT	0.1647	RFQ	8870	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Ss23	Schottky			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												30 V		500 MV @ 2 A		400 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
VS-ST333S04PFM0	-	RFQ	2684	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AE, TO-118-4, Stud	ST333				TO-209AE (TO-118)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	6		600 mA	400 V	518 A	3 V	11000A, 11520A	200 MA	1.96 V	330 A	50 Ma	Recuperación
ESH3D-M3/9AT	0.2454	RFQ	8687	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	ESH3	Estándar			DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		900 MV @ 3 A	40 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	70pf @ 4V, 1MHz
1N5059GPHE3/54	-	RFQ	1073	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	1N5059	Estándar			DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.2 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
SML4760AHE3_A/I	0.2063	RFQ	8481	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4760		1 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500																	5 µA @ 51.7 V					68 V	150 ohmios
VS-MBRB2080CTLHM3	1.0190	RFQ	4893	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB2080	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	80 V	10A	800 MV @ 10 A		100 µA @ 80 V	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKL105/12	43.7610	RFQ	3531	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 4)	VSKL105			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKL10512	EAR99	8541.30.0080	10		250 Ma	1.2 kV	235 A	2.5 V	2000a, 2094a	150 Ma		105 A												1 scr, 1 diodo
VS-VSKT170-12PBF	176.2950	RFQ	8287	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Magnate	VSKT170			Conexión de la Serie: Todos los SCRS		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsvskt17012pbf	EAR99	8541.30.0080	2		500 mA	1.2 kV	377 A	3 V	5100a, 5350a	200 MA		170 A												2 SCRS
VS-80CPQ020-N3	5.5100	RFQ	234	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	80cpq020	Estándar			To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS80CPQ020N3	EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	20 V	40A	460 MV @ 40 A		5.5 Ma @ 20 V	-65 ° C ~ 175 ° C
V15km120chm3/i	0.4701	RFQ	7457	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky			Flatpak (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-V15KM120CHM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	6,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	120 V	4.2a	830 MV @ 7.5 A		600 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C
Nsb8athe3/81	-	RFQ	6322	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	NSB8	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												50 V		1.1 v @ 8 a		10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	55pf @ 4V, 1 MHz