Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RGP10JHE3/54 | - | ![]() | 1405 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 10ets12strr | - | ![]() | 4305 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 10ets12 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.1 v @ 10 a | 50 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | Fepb6bthe3/81 | - | ![]() | 6504 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Fepb6 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 6A | 975 MV @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
DZ23C3V9-HE3-08 | 0.0436 | ![]() | 8099 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Cátodo Común | 3.9 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMM5265B-7 | - | ![]() | 4599 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 47 V | 62 V | 185 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-1ENH01HM3/85A | 0.0957 | ![]() | 2643 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | 1enh01 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 920 MV @ 1 A | 28 ns | 2 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||
VS-VSKH91/14 | 45.7300 | ![]() | 8831 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKH91 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKH9114 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 1.4 kV | 210 A | 2.5 V | 2000a, 2094a | 150 Ma | 95 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||
MMBZ5252B-G3-08 | - | ![]() | 9831 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5252 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 18 V | 24 V | 33 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
12TQ040 | - | ![]() | 5104 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 12TQ040 | Schottky | TO20AC | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *12TQ040 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 560 MV @ 15 A | 1.75 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | |||||||||||||||||||||||
BZX84B18-E3-08 | 0.2400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B18 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 12.6 V | 18 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-15ETL06StrlPBF | - | ![]() | 1887 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 15etl06 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vs15etl06strlpbf | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.2 v @ 15 a | 29 ns | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | BAS285-GS18 | 0.4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | BAS285 | Schottky | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 800 MV @ 100 Ma | 2.3 µA @ 25 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 10pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C7V5P-E3-18 | 0.1341 | ![]() | 1063 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27c | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C7V5 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 50 µA @ 3 V | 7.5 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GPP20J-E3/73 | 0.4300 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | GPP20 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 2 a | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | SS3P5LHM3/86A | - | ![]() | 5539 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS3P5 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 600 MV @ 3 A | 150 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BY134GP-E3/54 | - | ![]() | 9388 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | BY134 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 2 a | 2 µs | 5 µA @ 600 V | - | 1A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-209CNQ135PBF | 52.7500 | ![]() | 8079 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | TO-244AB | 209CNQ135 | Schottky | TO-244AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Q8187983 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 135 V | 100A | 1.06 v @ 100 a | 3 Ma @ 135 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | GPP60GL-6000HE3/2M | - | ![]() | 1762 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Obsoleto | - | - | GPP60 | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AS1PJHM3/85A | 0.3630 | ![]() | 6656 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | AS1 | Avalancha | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 V @ 1.5 A | 1.5 µs | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 10.4pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | UH3B-E3/57T | - | ![]() | 3669 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | UH3 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.05 v @ 3 a | 40 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST1230C14K0L | 416.6250 | ![]() | 6785 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | A 200ac, K-PUK, A-24 | ST1230 | A-24 (K-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST1230C14K0L | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 600 mA | 1.4 kV | 3200 A | 3 V | 28200A, 29500A | 200 MA | 1.62 V | 1745 A | 100 mA | Recuperación | |||||||||||||||||||
![]() | VS-5EAH02-M3/H | 0.5800 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | 2-vdfn | VS-5EAH02 | Estándar | DFN3820A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 970 MV @ 5 A | 25 ns | 4 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||
GSD2004C-E3-18 | 0.0378 | ![]() | 2510 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | GSD2004 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 240 V | 225 Ma | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 na @ 240 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-15CTQ045S-M3 | 1.3600 | ![]() | 690 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 15CTQ045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 7.5a | 550 MV @ 7.5 A | 800 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
MPG06KHE3_A/53 | 0.1487 | ![]() | 4106 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Mpg06, axial | Mpg06 | Estándar | Mpg06 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 1 a | 600 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-85HFLR10S02M | 22.8236 | ![]() | 8537 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 85HFLR10 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS85HFLR10S02M | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.75 V @ 267 A | 120 ns | -40 ° C ~ 125 ° C | 85a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384C10-G3-08 | 0.0389 | ![]() | 9119 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C10 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAZ5929B-M3/61 | 0.5000 | ![]() | 4213 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz5929 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 11.4 V | 15 V | 9 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5261B-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 1552 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5261 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 36 V | 47 V | 105 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5238B-HE3_A-08 | 0.0549 | ![]() | 4689 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | 112-MMSZ5238B-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.7 V | 8 ohmios |
Volumen de RFQ promedio diario
Unidad de producto estándar
Fabricantes mundiales
Almacén en stock