SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZG03B220-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B220-M3-08 0.2228
RFQ
ECAD 1989 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZG03B-M Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG03B220 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 160 V 220 V 750 ohmios
SS10P2CL-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P2CL-M3/86A 0.9100
RFQ
ECAD 636 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN SS10P2 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 5A 520 MV @ 5 A 850 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
VS-8TQ080STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ080STRL-M3 0.6777
RFQ
ECAD 7800 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 8TQ080 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 720 MV @ 8 A 550 µA @ 80 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 500pf @ 5V, 1MHz
SS2H9HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2H9HE3_A/H 0.1739
RFQ
ECAD 5853 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB SS2H9 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 750 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 790 MV @ 2 A 10 µA @ 90 V -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
GDZ15B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ15B-HE3-08 0.2800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, GDZ Tape & Reel (TR) Activo ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 GDZ15 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 11 V 15 V 42 ohmios
FES16FTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES16FTHE3/45 -
RFQ
ECAD 4886 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Fes16 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 300 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
BAW56-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAW56-G3-08 0.2500
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Baw56 Estándar Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 15,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 70 V 250 Ma 1.25 V @ 150 Ma 6 ns 2.5 Ma @ 70 V 150 ° C (Máximo)
BZT03D12-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D12-TAP -
RFQ
ECAD 2219 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZT03 Cinta y Caja (TB) Obsoleto ± 5.42% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Sod-57, axial BZT03 1.3 W Sod-57 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 Ma 3 µA @ 9.1 V 12 V 7 ohmios
VS-15ETH03STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15eth03Strrhm3 1.1846
RFQ
ECAD 3712 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred PT® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 15eth03 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-VS-15eth03StrrHM3TR EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.25 V @ 15 A 40 ns 40 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A -
SSA23LHE3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ssa23lhe3/5at -
RFQ
ECAD 8483 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA SSA23 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 450 MV @ 2 A 500 µA @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZX384C5V1-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C5V1-G3-08 0.2900
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZX384-G Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZX384C5V1 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
SL22HE3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL22HE3/52T -
RFQ
ECAD 8237 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB SL22 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 750 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 440 MV @ 2 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
VS-10TQ035-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10TQ035-N3 -
RFQ
ECAD 6328 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 10TQ035 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS10TQ035N3 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 570 MV @ 10 A 2 Ma @ 40 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 900pf @ 5V, 1 MHz
VS-HFA04TB60-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA04TB60-M3 0.8100
RFQ
ECAD 235 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Hexfred® Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 HFA04 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.2 v @ 8 a 42 ns 3 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A -
1N4746A-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4746A-T -
RFQ
ECAD 5072 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4746 1.3 W Do-41 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2266-1N4746A-T EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 13.7 V 18 V 750 ohmios
MMBZ5257B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5257B-G3-08 -
RFQ
ECAD 5907 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5257 225 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 25 V 33 V 58 ohmios
VS-VS5HD600CW60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS5HD600CW60 41.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Caja Activo Monte del Chasis TO-244AB VS-VS5HD Estándar To-244 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-VS-VS5HD600CW60 EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 505A (DC) 1.7 V @ 300 A 78 ns 1 Ma @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C
EGL41D-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL41D-E3/96 0.5100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) EGL41 Estándar DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
SRP300A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SRP300A-E3/54 -
RFQ
ECAD 7984 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial Srp300 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.400 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 3 A 100 ns 10 µA @ 50 V -50 ° C ~ 125 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
SMAZ5929B-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smaz5929b-e3/61 0.4200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaz5929 500 MW DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 11.4 V 15 V 9 ohmios
S1AFM-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1AFM-M3/6A 0.4300
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads S1a Estándar DO-221AC (SLIMSMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 1.47 µs 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7.9pf @ 4V, 1MHz
V30DM45C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30DM45C-M3/I 1.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete V30DM45 Schottky TO-263AC (SMPD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 600 MV @ 15 A 700 µA @ 45 V -40 ° C ~ 175 ° C
V12PM12HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12pm12hm3_a/i 0.4453
RFQ
ECAD 6065 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN V12pm12 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 120 V 830 MV @ 12 A 500 µA @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C 4.1a -
SMAZ5936B-M3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5936B-M3/61 0.1073
RFQ
ECAD 3153 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaz5936 500 MW DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 22.8 V 30 V 28 ohmios
10MQ060NTR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10MQ060NTR -
RFQ
ECAD 8690 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA 10MQ060 Schottky DO-214AC (SMA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 710 MV @ 1.5 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2.1a -
P600K-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P600K-E3/73 1.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero P600, axial P600 Estándar P600 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 300 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 900 MV @ 6 A 2.5 µs 5 µA @ 800 V -50 ° C ~ 150 ° C 6A 150pf @ 4V, 1 MHz
V25PL60-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V25PL60-M3/87A 0.4909
RFQ
ECAD 6017 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN V25PL60 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 630 MV @ 25 A 4 Ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 5.5a -
VS-15AWL06FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15AWL06FNTRR-M3 0.6181
RFQ
ECAD 4280 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 15awl06 Estándar D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Vs15awl06fntrrm3 EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.05 v @ 15 a 120 ns 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
VS-VSKDS203/100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKDS203/100 46.3170
RFQ
ECAD 8009 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Monte del Chasis Add-a-pak (3) VSKDS203 Schottky Add-a-pak® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSVSKDS203100 EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 100A 990 MV @ 100 A 3 Ma @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C
VLZ20-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ20-GS18 -
RFQ
ECAD 3238 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ20 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 20 V 28 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock