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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
ZMY12-GS18	0.4200	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	ZMY12		1 W	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000																		500 na @ 9 V						12 V	7 ohmios
AZ23C3V3-HE3-08	0.0436	RFQ	7247	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C3V3		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común																							3.3 V	95 ohmios
SMAZ5938B-M3/61	0.1073	RFQ	3079	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaz5938		500 MW	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800																900 MV @ 10 Ma		1 µA @ 27.4 V						36 V	38 ohmios
SML4741A-E3/5A	0.1815	RFQ	6839	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4741		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500																		5 µA @ 8.4 V						11 V	8 ohmios
VS-30CPU04PBF	-	RFQ	9869	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	30CPU04	Estándar		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	400 V	15A	1.25 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C
MMSZ4707-HE3-08	0.2800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4707		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																		10 na @ 15.2 V						20 V
SE80PWJHM3/I	0.2805	RFQ	5847	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SE80	Estándar		Delgada	descascar			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.12 v @ 8 a	2.4 µs	15 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 175 ° C	8A	58pf @ 4V, 1 MHz
V60DM45CHM3/I	2.3300	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	V60DM45	Schottky		TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	30A	680 MV @ 30 A		1.1 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 175 ° C
2KBP10ML-7001E4/51	-	RFQ	2671	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 165 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBPM	2kbp10	Estándar		KBPM	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	600																1.1 V @ 3.14 A		5 µA @ 1000 V		2 A		Fase única	1 kV
Smzj3809bhm3/i	-	RFQ	7429	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ38		1.5 W	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200																		5 µA @ 51.7 V						68 V	120 ohmios
US1JHE3/5AT	-	RFQ	1665	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	US1	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.7 V @ 1 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
SML4745AHE3_A/I	0.5600	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4745		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500																		5 µA @ 12.2 V						16 V	16 ohmios
200HFR120PV	-	RFQ	5330	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje	DO-205AC, DO-30, Stud	200HFR120	Estándar		DO-205AC (DO-30)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*200HFR120PV	EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1200 V		1.45 V @ 628 A		15 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 180 ° C	200a	-
Rs1g-e3/61t	0.4700	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Rs1	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
GDZ3V6B-HG3-08	0.0509	RFQ	9599	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, GDZ-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ3V6		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		10 µA @ 1 V						3.6 V	100 ohmios
VS-VSKJ320-08PBF	201.0700	RFQ	9521	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKJ320	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKJ32008PBF	EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											1 par Ánodo Común	800 V	160A			50 Ma @ 800 V	-40 ° C ~ 150 ° C
DZ23C20-E3-18	0.0415	RFQ	2770	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Cátodo Común																	100 na @ 15 V						20 V	50 ohmios
MMSZ4687-HE3-18	0.0378	RFQ	7748	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4687		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		4 µA @ 2 V						4.3 V
VX40M100CHM3/P	0.9900	RFQ	3782	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3		Schottky		Un 220b	descascar			Alcanzar sin afectado	112-VX40M100CHM3/P	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	20A	760 MV @ 20 A		220 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C
BZX85B4V7-TAP	0.3800	RFQ	24	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85B4V7		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000																		3 µA @ 1 V						4.7 V	13 ohmios
SL13-M3/5AT	0.0860	RFQ	7394	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SL13	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												30 V		445 MV @ 1 A		200 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1.5a	-
GP10J-4005E-M3/73	-	RFQ	7148	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
TLZ6V2B-GS18	0.0335	RFQ	7343	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ6V2		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 Ma		3 µA @ 4 V						6.2 V	10 ohmios
GP10-4005E-E3/73	-	RFQ	6806	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V					-	1A	-
GLL4745-E3/97	0.2970	RFQ	1117	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	GLL4745		1 W	Melf do-213ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000																		5 µA @ 12.2 V						16 V	16 ohmios
VS-ST110S16M1	-	RFQ	8777	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AC, TO-94-4, Stud	ST110			TO-209AC (TO-94)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST110S16M1	EAR99	8541.30.0080	25			600 mA	1.6 kV	175 A	3 V	2270a, 2380a	150 Ma	1.52 V	110 A	20 Ma	Recuperación
VT4045C-M3/4W	1.5286	RFQ	8493	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	VT4045	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VT4045CM34W	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	20A	580 MV @ 20 A		3 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VSSAF515-M3/I	0.1073	RFQ	1578	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®, SLIMSMA ™	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SAF515	Schottky		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		1.1 v @ 5 a		200 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C	5A	280pf @ 4V, 1 MHz
SD101CW-G3-18	0.0577	RFQ	6670	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	SD101	Schottky		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												40 V		900 MV @ 15 Ma	1 ns	200 na @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	30mera	2.2pf @ 0V, 1MHz
S3jhe3_a/i	0.4800	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S3J	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.15 V @ 2.5 A	2.5 µs	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz