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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMSZ4707-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4707 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 na @ 15.2 V | 20 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | Ss3p6lhm3_a/i | 0.5600 | ![]() | 1669 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS3P6 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 600 MV @ 3 A | 150 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-15ETX06-1PBF | - | ![]() | 9217 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | 15etx06 | Estándar | Un 262AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vs15etx061pbf | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 3.2 V @ 15 A | 18 ns | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||||||||||
![]() | UGF15JTHTHTHE3/45 | - | ![]() | 3723 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | UGF15 | Estándar | ITO-220AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.75 V @ 15 A | 50 ns | 30 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | |||||||||||||||||||
![]() | GP10D-4003-M3/54 | - | ![]() | 7612 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | SB320S-E3/73 | - | ![]() | 8625 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | SB320 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | LS4148-GS18 | 0.1700 | ![]() | 136 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | LS4148 | Estándar | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 50 Ma | 8 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C (Máximo) | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | VS-ST180C12C0L | 71.4783 | ![]() | 9969 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | A-200ab, A-PUK | ST180 | A-200ab, A-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST180C12C0L | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 1.2 kV | 660 A | 3 V | 4200A, 4400A | 150 Ma | 1.96 V | 350 A | 30 Ma | Recuperación | ||||||||||||||||
![]() | SMZG3803BHE3/52 | 0.1980 | ![]() | 9371 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMZG3803 | 1.5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 29.7 V | 39 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | GLL4755-E3/97 | 0.2970 | ![]() | 3332 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | GLL4755 | 1 W | Melf do-213ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZG05C16-M3-08 | 0.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.63% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05C16 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 12 V | 16 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | UH1PB-M3/84A | 0.0986 | ![]() | 5940 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | UH1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.05 v @ 3 a | 40 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2.5a | 16PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BZG03C39-HM3-08 | 0.5200 | ![]() | 3617 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG03C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.13% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03C39 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 30 V | 39 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | SMBZ5930B-M3/52 | 0.1308 | ![]() | 2529 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBZ5930 | 500 MW | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | V10150C-M3/4W | 0.6125 | ![]() | 6065 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | V10150 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 5A | 1.41 v @ 5 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||
![]() | SBLB1640CT-E3/45 | - | ![]() | 1083 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SBLB1640 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 8A | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 40 V | -40 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||||||||||||
![]() | S1MHE3/5AT | - | ![]() | 8680 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | S1M | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||
![]() | SD101B-TAP | 0.0446 | ![]() | 6641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | SD101 | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 50,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 15 Ma | 200 na @ 40 V | 125 ° C (Máximo) | 30mera | 2.1pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-30WQ10FN-M3 | 0.6700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 30WQ10 | Schottky | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS30WQ10FNM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 810 MV @ 3 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3.5a | 92pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | SS8P2LHM3/87A | - | ![]() | 5397 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS8P2 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 570 MV @ 8 A | 200 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 330pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX55F3V6-TR | - | ![]() | 2673 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 1% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.6 V | 85 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | EGL34B-E3/83 | 0.1513 | ![]() | 5249 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | EGL34 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.25 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4757A-TR | 0.3600 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4757 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 38.8 V | 51 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | TZMB12-GS08 | 0.3100 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZMB12 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 9.1 V | 12 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | SBLB10L30HE3/81 | - | ![]() | 3921 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SBLB10L30 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 520 MV @ 10 A | 1 ma @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | Esh2pbhe3/84a | - | ![]() | 6228 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | ESH2 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 980 MV @ 2 A | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 25pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | SS5P9HM3_A/H | 0.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS5P9 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 880 MV @ 5 A | 15 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 130pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | SD103AW-HE3-08 | 0.3700 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | SD103 | Schottky | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 350 mm | 50pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BZD27C110P-M3-18 | 0.4700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZD27-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C110 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 82 V | 110 V | 250 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | BZG05C33-E3-TR | - | ![]() | 8653 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 24 V | 33 V | 35 ohmios |
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