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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-11DQ09	-	RFQ	3052	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	11DQ09	Schottky		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		90 V		850 MV @ 1 A		500 µA @ 90 V	-40 ° C ~ 150 ° C	1.1a	-
BZT03D43-TR	-	RFQ	8794	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 6.98%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	25,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 33 V				43 V	45 ohmios
VS-VSKD600-16PBF	388.7300	RFQ	1794	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Super Magn-A-Pak	VSKD600	Estándar		Super Magn-A-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsvskd60016pbf	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	1600 V	300A			50 mA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BZX55C6V8-TAP	0.2300	RFQ	86	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55C6V8		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 3 V				6.8 V	8 ohmios
FGP50D-E3/54	-	RFQ	7442	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL	FGP50	Estándar		GP20	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		950 MV @ 5 A	35 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	100pf @ 4V, 1 MHz
VS-16CTU04-N3	-	RFQ	3791	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	16ctu04	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-16CTU04-N3GI	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	8A	1.3 V @ 8 A	43 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C
CS3J-E3/I	0.3600	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	CS3	Estándar		DO-214AB (SMC)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.15 v @ 3 a	2.8 µs	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	26pf @ 4V, 1MHz
BZX384B51-G3-18	0.0445	RFQ	3813	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B51		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							50 na @ 35.7 V				51 V	180 ohmios
VSSAF512HM3/I	0.1320	RFQ	9512	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®, SLIMSMA ™	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SAF512	Schottky		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		880 MV @ 5 A		400 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	5A	360pf @ 4V, 1MHz
UGB18ACThe3/45	-	RFQ	6293	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UGB18	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Ugb18acthe3_a/p	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	18A	1.1 v @ 9 a	30 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C
Vb60100che3/i	-	RFQ	7401	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB60100	Schottky		Un 263ab	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	30A	790 MV @ 30 A		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
RGP10BHE3/73	-	RFQ	9582	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-HFA06TB120S-M3	1.6400	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	HFA06	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		3.9 V @ 12 A	80 ns	5 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	-
MMSZ5233C-HE3_A-08	0.0566	RFQ	9607	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar				112-MMSZ5233C-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000					900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 3.5 V				6 V	7 ohmios
BZT52C68-E3-08	0.0360	RFQ	6671	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C68		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000											68 V	200 ohmios
V15pm6hm3/h	0.9200	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V15pm6	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		640 MV @ 15 A		1.2 Ma @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	15A	2300pf @ 4V, 1MHz
S2J/54	-	RFQ	2260	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	S2J	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.15 V @ 1.5 A	2 µs	1 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	16PF @ 4V, 1MHz
Irke56/14a	-	RFQ	2614	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Add-a-pak (2)	Irke56	Estándar		Add-a-pak®	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1400 V				10 Ma @ 1400 V		60A	-
SML4751-E3/5A	0.1733	RFQ	8241	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4751		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500							5 µA @ 22.8 V				30 V	40 ohmios
SMZG3799AHE3/52	-	RFQ	7935	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMZG37		1.5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	750							5 µA @ 20.6 V				27 V	23 ohmios
SMZJ3802B-M3/5B	0.1304	RFQ	5010	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3802		1.5 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200							5 µA @ 27.4 V				36 V	38 ohmios
S2A-M3/52T	0.0888	RFQ	6777	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	S2A	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.15 V @ 1.5 A	1.8 µs	1 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	16PF @ 4V, 1MHz
VS-8EWS16STRPBF	-	RFQ	6030	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	8ews16	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs8ews16strpbf	EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1600 V		1.1 v @ 8 a		50 µA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
VS-SD1053C22S30L	147.5100	RFQ	2146	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Apretar	Do-200ab, B-PUK	SD1053	Estándar		Do-200ab, B-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSSD1053C22S30L	EAR99	8541.10.0080	3	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		3000 V		2.26 V @ 1500 A	3 µs		-40 ° C ~ 150 ° C	920a	-
10TQ035	-	RFQ	5168	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	10TQ035	Schottky		TO20AC	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		760 MV @ 10 A		6 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	-
1N4247GPHE3/54	-	RFQ	4095	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4247	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 1 a		1 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 160 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
BY29B-400-E3/45	-	RFQ	2793	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	BY229	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.85 V @ 20 A	145 ns	10 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
SD500N30PSC	-	RFQ	9433	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	B-8	SD500	Estándar		B-8	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*SD500N30PSC	EAR99	8541.10.0080	6	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		3000 V		1.66 V @ 1000 A		50 mA @ 3000 V	-40 ° C ~ 150 ° C	475a	-
VS-18TQ045StrrPBF	-	RFQ	4772	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	18TQ045	Schottky		To-263ab (d²pak)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		600 MV @ 18 A		2.5 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C	18A	1400pf @ 5V, 1MHz
VS-16FL40S05	5.2510	RFQ	9940	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	16fl40	Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.4 v @ 16 a	500 ns	50 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-