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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
TLZ33-GS08	0.0335	RFQ	9579	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ33		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 Ma						33 V	65 ohmios
BZX55A22-TAP	-	RFQ	1928	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 1%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 16 V				22 V	55 ohmios
BZT55C6V8-GS08	0.2100	RFQ	379	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BZT55C6V8		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 3 V				6.8 V	8 ohmios
MMBZ4705-E3-18	-	RFQ	3881	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4705		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							50 na @ 13.6 V				18 V
MMBZ4711-G3-18	-	RFQ	8084	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4711		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							10 na @ 20.4 V				27 V
MMBD7000-HE3-18	0.2700	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Mmbd7000	Estándar		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	Conexión de la Serie de 1 par	100 V	200MA (DC)	1.1 V @ 100 Ma	4 ns	3 µA @ 100 V	150 ° C (Máximo)
V6P22CHM3/I	0.3358	RFQ	3815	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN		Schottky		TO77A (SMPC)	descascar			Alcanzar sin afectado	112-V6P22CHM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	3A	890 MV @ 3 A		60 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 175 ° C
MMBZ4690-HE3-18	-	RFQ	8007	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4690		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							10 µA @ 4 V				5.6 V
MBRF10H90CT-E3/45	-	RFQ	6771	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	MBRF10	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	90 V	5A	760 MV @ 5 A		3.5 µA @ 90 V	-65 ° C ~ 175 ° C
Ns8gthe3/45	-	RFQ	1447	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-2	NS8	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 8 a		10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
GSD2004WS-G3-08	0.0577	RFQ	8765	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GSD2004	Estándar		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	15,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		240 V		1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 240 V	150 ° C (Máximo)	225 Ma	5PF @ 0V, 1MHz
BZG05C3V6-HE3-TR	-	RFQ	7278	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 v @ 200 ma		20 µA @ 1 V				3.6 V	20 ohmios
BZD27B56P-E3-08	0.1155	RFQ	2519	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27b	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27B56		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 43 V				56 V	60 ohmios
1N4761A-T	-	RFQ	7555	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4761		1.3 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 56 V				75 V	2000 ohmios
BZX85B43-TAP	0.0561	RFQ	9113	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85B43		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	25,000							500 na @ 33 V				43 V	50 ohmios
VS-68-5537	-	RFQ	1452	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					68-5537				-				112-VS-68-5537			1
MMSZ5237B-HE3_A-08	0.0549	RFQ	8646	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar				112-MMSZ5237B-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000					900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 6.5 V				8.2 V	8 ohmios
VS-150U120DM12	36.8068	RFQ	3670	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-205AA, DO-8, Semento	150U120	Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS150U120DM12	EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.47 V @ 600 A			-40 ° C ~ 180 ° C	150a	-
VS-E5TH0812THN3	0.8910	RFQ	6289	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2		Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-VS-E5TH0812THN3	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		2.5 V @ 8 A	60 ns	50 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-
BZX84B9V1-G3-08	0.0389	RFQ	9480	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B9V1		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							500 na @ 6 V				9.1 V	15 ohmios
GP10M-5400M3/54	-	RFQ	2683	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.2 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	7pf @ 4V, 1 MHz
VS-VSKJ320-16PBF	201.0700	RFQ	2206	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKJ320	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKJ32016PBF	EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Ánodo Común	1600 V	160A			50 mA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
AS4PJHM3/87A	-	RFQ	6446	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	AS4	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		962 MV @ 2 A	1.8 µs	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.4a	60pf @ 4V, 1MHz
VS-25CTQ045StrlPBF	-	RFQ	4022	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	25CTQ045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	30A	710 MV @ 30 A		1.75 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-8ETX06STRR-M3	0.5080	RFQ	3625	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8etx06	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		3 V @ 8 A	24 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
BZX384B5V1-E3-08	0.2700	RFQ	60	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B5V1		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000							2 µA @ 2 V				5.1 V	60 ohmios
10BQ015TR	-	RFQ	3171	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	10BQ015	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		15 V		350 MV @ 1 A		500 µA @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
V2P6XHM3/H	0.4400	RFQ	20	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V2P6	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		640 MV @ 2 A		100 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2A	240pf @ 4V, 1MHz
SS2P4-M3/85A	0.1363	RFQ	8956	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	Ss2p4	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		550 MV @ 2 A		150 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	110pf @ 4V, 1MHz
BZD27C22P-HE3-18	0.1536	RFQ	4467	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27C	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C22		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 16 V				22 V	15 ohmios