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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
MBRB1550CThe3/45	-	RFQ	9737	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB15	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	7.5a	750 MV @ 7.5 A		1 ma @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C
UF1005-M3/73	-	RFQ	7662	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UF1005	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.7 V @ 1 A	75 ns		-65 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
MMSZ5260B-HE3_A-18	-	RFQ	7868	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar				112-MMSZ5260B-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	1					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 33 V				43 V	93 ohmios
Es2bhe3_a/h	0.5300	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ES2B	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		900 MV @ 2 A	20 ns	10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	18pf @ 4V, 1 MHz
GDZ22B-G3-18	0.0445	RFQ	5504	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	GDZ-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ22		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							100 na @ 17 V				22 V	100 ohmios
VS-8eth03Strl-M3	0.4897	RFQ	2464	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8eth03	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.25 v @ 8 a	35 ns	20 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
GP10-4002E-E3/54	0.1840	RFQ	4331	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V					-	1A	-
BZD27B18P-E3-18	0.1155	RFQ	9562	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27b	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 13 V				18 V	15 ohmios
Bzg05b3v3-he3-tr	-	RFQ	8192	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05B	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2.12%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 v @ 200 ma		40 µA @ 1 V				3.3 V	20 ohmios
TLZ51-GS18	0.0335	RFQ	5563	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ51		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		40 na @ 45.6 V				51 V	100 ohmios
SE20DBHM3/I	0.6105	RFQ	8254	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	SE20	Estándar		TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.2 V @ 20 A	3 µs	25 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3.9a	150pf @ 4V, 1 MHz
VS-20L15T-M3	1.4500	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	20L15	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		15 V		520 MV @ 40 A		10 Ma @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C	20A	2000pf @ 5V, 1MHz
BZG05C82-M3-18	0.1089	RFQ	8503	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6.1%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05C82		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 62 V				82 V	200 ohmios
BAV99-HE3-18	0.2300	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAV99	Estándar		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	Conexión de la Serie de 1 par	70 V	150 Ma	1.25 V @ 150 Ma	6 ns	2.5 µA @ 70 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-20CTQ150PBF	-	RFQ	5758	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	20ctq150	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	10A	880 MV @ 10 A		25 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
1N4937GPEHE3/54	-	RFQ	7874	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4937	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
BZT03D10-TAP	-	RFQ	1892	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 6%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000					1.2 V @ 500 Ma		10 µA @ 7.5 V				10 V	4 ohmios
VS-E5PX7606L-N3	1.7418	RFQ	8925	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2		Estándar		Un 247ad	descascar			Alcanzar sin afectado	112-VS-E5PX7606L-N3	EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.3 V @ 75 A	96 ns	25 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	75a	-
BZG04-200-HM3-18	0.2079	RFQ	8204	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG04-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG04-200		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 200 V				240 V
S1J-M3/5AT	0.0508	RFQ	4914	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	S1J	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
VS-HFA16TB120-M3	2.3000	RFQ	578	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	HFA16	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		3.93 V @ 32 A	135 ns	20 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	-
VSS8D5M12HM3/I	0.4500	RFQ	41	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	S8d5	Schottky		Slimsmaw (DO-221AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		620 MV @ 2.5 A		350 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2.2a	460pf @ 4V, 1MHz
BZG04-10-HM3-18	0.2079	RFQ	6475	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG04-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG04		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 10 V				12 V
VS-8EWL06FNTRR-M3	0.4981	RFQ	7489	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	8EWL06	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS8EWL06FNTRRM3	EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.4 v @ 8 a	25 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
VS-T40HF10	24.4900	RFQ	5296	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	D-55 T-Módulo	T40	Estándar		D-55	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V				15 Ma @ 100 V		40A	-
EGL41GHE3/96	-	RFQ	4936	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	EGL41	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.25 v @ 1 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	14PF @ 4V, 1MHz
VS-12CWQ06FNTR-M3	0.9000	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	12CWQ06	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	6A	790 MV @ 12 A		3 Ma @ 60 V	150 ° C (Máximo)
MBR745	-	RFQ	4561	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	MBR7	Schottky		TO20AC	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		840 MV @ 15 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	7.5a	-
BAT54WS-E3-18	0.3800	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BAT54	Schottky		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		30 V		800 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55 ° C ~ 125 ° C	200 MMA	10pf @ 1v, 1 MHz
V3PL45-M3/H	0.3600	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V3PL45	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		540 MV @ 3 A		450 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	550pf @ 4V, 1MHz