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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
VS-VSKDS403/100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKDS403/100 50.9550
RFQ
 ECAD 6216 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Monte del Chasis Add-a-pak (3) VSKDS403 Schottky Add-a-pak® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 100 V 200a 990 MV @ 200 A 6 Ma @ 100 V
VS-MBRB20100CTHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB20100CTHM3 0.9063
RFQ
 ECAD 9317 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRB20100 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 800 MV @ 10 A 100 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C
BYV32-150-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV32-150-E3/45 0.8197
RFQ
 ECAD 6642 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 BYV32 Estándar Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 18A 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C
VS-18TQ035SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ035SPBF -
RFQ
 ECAD 2468 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 18TQ035 Schottky To-263ab (d²pak) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS18TQ035SPBF EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 600 MV @ 18 A 2.5 mA @ 35 V -55 ° C ~ 175 ° C 18A 1400pf @ 5V, 1MHz
VS-40HFL40S02M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFL40S02M 18.0734
RFQ
 ECAD 5237 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 40hfl40 Estándar DO-203AB (DO-5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS40HFL40S02M EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 125 A -40 ° C ~ 125 ° C 40A -
MBRF2550CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF2550CT-E3/45 -
RFQ
 ECAD 7507 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF25 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 15A 750 MV @ 15 A 1 ma @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C
VI40120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI40120C-E3/4W 2.7700
RFQ
 ECAD 708 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA VI40120 Schottky Un 262AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 20A 880 MV @ 20 A 500 µA @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C
BZG05B82-HE3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B82-HE3-TR -
RFQ
 ECAD 2208 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG05B Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG05 1.25 W DO-214AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 62 V 82 V 200 ohmios
BZD27B10P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B10P-HE3-18 0.1238
RFQ
 ECAD 3175 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZD27B Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-219AB BZD27 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 7 µA @ 7.5 V 10 V 4 ohmios
BZG05B18-E3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B18-E3-TR3 -
RFQ
 ECAD 3017 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Bzg05b Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG05 1.25 W DO-214AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 13 V 18 V 20 ohmios
150L40A Vishay General Semiconductor - Diodes Division 150L40A -
RFQ
 ECAD 7938 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto Montaje DO-205AC, DO-30, Stud 150L40 Estándar DO-205AC (DO-30) - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.33 v @ 471 a 35 Ma @ 400 V -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
BYT51K-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byt51k-tap 0.2871
RFQ
 ECAD 4163 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Sod-57, axial ByT51 Avalancha Sod-57 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 1 a 4 µs 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.5a -
S4PKHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4PKHM3/87A -
RFQ
 ECAD 4073 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN S4P Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 4 a 2.5 µs 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 30pf @ 4V, 1 MHz
1N4007GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GP-E3/54 0.4900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4007 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µA @ 1000 V -50 ° C ~ 150 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
VS-12TTS08-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TTS08-M3 3.2400
RFQ
 ECAD 771 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 12TTS08 Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS12TTS08M3 EAR99 8541.30.0080 50 30 Ma 800 V 12.5 A 1 V 95A @ 50Hz 15 Ma 1.2 V 8 A 50 µA Recuperación
VS-16FR10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16FR10 4.3800
RFQ
 ECAD 5233 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 16FR10 Polaridad Inversa Estándar DO-203AA (DO-4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.23 V @ 50 A 12 Ma @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
BZT52A15-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52A15-HE3_A-08 0.0533
RFQ
 ECAD 3181 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo descascar 112-BZT52A15-HE3_A-08TR EAR99 8541.10.0050 15,000
MBR20H60CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H60CT-E3/45 -
RFQ
 ECAD 4747 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBR20 Schottky Un 220-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 710 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -65 ° C ~ 175 ° C
VS-2EYH01-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2EYH01-M3/H 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads 2eyh01 Estándar Slimsmaw (DO-221AD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 930 MV @ 2 A 28 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 2A 12pf @ 200V
AU3PJHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Au3pjhm3/86a -
RFQ
 ECAD 2373 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Au3 Avalancha TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.9 v @ 3 a 75 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.7a 72pf @ 4V, 1 MHz
VS-30WQ10FNHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30WQ10FNHM3 1.6200
RFQ
 ECAD 380 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 30WQ10 Schottky D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 75 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 810 MV @ 3 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C 3.5a 92pf @ 5V, 1MHz
SMZJ3795B-M3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3795B-M3/5B 0.1304
RFQ
 ECAD 2462 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMZJ3795 1.5 W DO-214AA (SMBJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,200 5 µA @ 13.7 V 18 V 12 ohmios
EGF1D-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGF1D-E3/5CA 0.6800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214BA EGF1 Estándar DO-214BA (GF1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
MBR1545CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1545CT-E3/45 1.2000
RFQ
 ECAD 228 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR1545 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 7.5a 570 MV @ 7.5 A 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C
10TQ035STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10TQ035Strr -
RFQ
 ECAD 9040 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 10TQ035 Schottky To-263ab (d²pak) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 570 MV @ 10 A 2 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
GP10MHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10MHE3/54 -
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial GP10 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.2 v @ 1 a 3 µs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
MBRB25H45CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB25H45CThe3/45 -
RFQ
 ECAD 7149 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRB25 Schottky Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 640 MV @ 15 A 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C
FESF16HTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Fesf16hthe3_a/p 1.1055
RFQ
 ECAD 8667 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada FESF16 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.5 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 500 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
UH4PDCHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Uh4pdchm3_a/i -
RFQ
 ECAD 3727 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN UH4 Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 2A 1.05 v @ 2 a 24 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
VS-MURB1520-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MUrB1520-1-M3 1.0400
RFQ
 ECAD 9443 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Murb1520 Estándar Un 262AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.05 v @ 15 a 35 ns 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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