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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
SBYV27-100-E3/54	0.5200	RFQ	16	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	Sbyv27	Estándar			DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.07 v @ 3 a	15 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-25TTS16SLHM3	2.9200	RFQ	120	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	25TTS16				To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	800		150 Ma	1.6 kV	25 A	2 V	350A @ 50Hz	45 Ma	1.25 V	16 A	10 Ma	Recuperación
VSKTF200-12HK	-	RFQ	5133	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKTF200			Conexión de la Serie: Todos los SCRS		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	2		600 mA	1.2 kV	444 A	3 V	7600A, 8000A	200 MA		200 A												2 SCRS
VS-VSKJ71/12	35.7260	RFQ	7872	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKJ71	Estándar			Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKJ7112	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											1 par Ánodo Común	1200 V	40A			10 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-30CPQ090PBF	-	RFQ	5514	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	30CPQ09	Schottky			To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	90 V	15A	860 MV @ 15 A		550 µA @ 90 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-123NQ100PBF	23.6900	RFQ	5501	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	D-67 Half-Pak	123NQ100	Schottky			D-67 Half-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	20	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		910 MV @ 120 A		3 Ma @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	120a	2650pf @ 5V, 1MHz
LL43-GS08	0.5000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	LL43	Schottky			Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												30 V		450 MV @ 15 Ma	5 ns	500 na @ 25 V	-55 ° C ~ 125 ° C	200 MMA	7pf @ 1v, 1 MHz
GSD2004A-E3-08	0.2800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	GSD2004	Estándar			Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Ánodo Común	240 V	225 Ma	1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 240 V	150 ° C (Máximo)
BYD13JGP-E3/73	-	RFQ	4294	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BYD13	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V					-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
MBRB7H50HE3/45	-	RFQ	6261	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB7	Schottky			Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		730 MV @ 7.5 A		50 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	7.5a	-
VS-P421	38.6970	RFQ	1592	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	8 ritmo-pak	P421			Puente, solo Fase - SCR/Diodos (Diseño 3)		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSP421	EAR99	8541.30.0080	10		130 Ma	400 V	40 A	2 V	385a, 400a	60 Ma														2 scr, 2 diodos
Irkh26/14a	-	RFQ	4809	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 2)	Irkh26			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	10		200 MA	1.4 kV	60 A	2.5 V	400a, 420a	150 Ma		27 A												1 scr, 1 diodo
Byg22AHM3_A/i	0.2251	RFQ	1273	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg22	Avalancha			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		1.1 v @ 2 a	25 ns	1 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
Irkc71/06a	-	RFQ	6224	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	Irkc71	Estándar			Add-a-pak®	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	600 V	80A			10 Ma @ 600 V
VS-80CPQ020PBF	-	RFQ	4660	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	80cpq02	Schottky			To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	20 V	40A	460 MV @ 40 A		5.5 Ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-10MQ040NPBF	-	RFQ	8988	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	10MQ040	Schottky			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		540 MV @ 1 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
Bar63v-04-G3-08	-	RFQ	8593	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	*	Tape & Reel (TR)	Obsoleto					Bar63					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0070	3.000
FEPB16CT-E3/81	0.9817	RFQ	1663	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FEPB16	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	150 V	8A	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKU71/04	43.5910	RFQ	1716	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 4)	VSKU71			Cátodo Común: Todos SCRS		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKU7104	EAR99	8541.30.0080	10		250 Ma	400 V	115 A	2.5 V	1300a, 1360a	150 Ma		75 A												2 SCRS
SS1FH10HM3/H	0.3900	RFQ	143	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	SS1FH10	Schottky			DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		800 MV @ 1 A		5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	70pf @ 4V, 1MHz
SD103BW-HE3-08	0.0570	RFQ	6699	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	SD103	Schottky			SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	15,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												30 V		600 MV @ 200 Ma	10 ns	5 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C	350 mm	50pf @ 0v, 1 MHz
PLZ22D-G3/H	0.3200	RFQ	50	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Por favor	Tape & Reel (TR)	Activo	± 3%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ22		500 MW		DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500															900 MV @ 10 Ma		200 na @ 17 V							22 V	30 ohmios
Irkt41/06a	-	RFQ	9043	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 4)	Irkt41			Conexión de la Serie: Todos los SCRS		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	10		200 MA	600 V	100 A	2.5 V	850a, 890a	150 Ma		45 A												2 SCRS
VS-80RIA40	36.5572	RFQ	5629	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AC, TO-94-4, Stud	80ria40				TO-209AC (TO-94)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	25		200 MA	400 V	125 A	2.5 V	1900a, 1990a	120 Ma	1.6 V	80 A	15 Ma	Recuperación
30CPQ050	-	RFQ	5370	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	30cpq	Schottky			To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	50 V	15A	600 MV @ 15 A		800 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
B2S-E3/80	0.5900	RFQ	3593	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-269AA, 4-besop	B2s	Estándar			TO-269AA (MBS)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000															1 V @ 500 Ma		5 µA @ 200 V		500 mA			Fase única	200 V
BZX55C6V8-TR	0.2300	RFQ	28	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55C6V8		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 3 V							6.8 V	8 ohmios
VSKD600-08	-	RFQ	1044	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKD600	Estándar			Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											Conexión de la Serie de 1 par	800 V	600A	1.24 V @ 1800 A		50 Ma @ 800 V
V10P6HM3_A/H	0.9300	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V10P6	Schottky			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		590 MV @ 10 A		1.9 Ma @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
SE07PB-E3/85A	-	RFQ	9067	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	SE07	Estándar			DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.05 V @ 700 Ma		5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	700mA	5PF @ 4V, 1MHz