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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | VSKY10301406-G4-08 | 0.0798 | ![]() | 2772 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 0502 (1406 Métrica) | VSKY10301406 | Schottky | CLP1406-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 470 MV @ 1 A | 100 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | 230pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C2V4-TR | 0.2400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55C2V4 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 85 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Tzx6v2a-tr | 0.2300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Tzx6v2 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GLL4753A-E3/96 | 0.7400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | GLL4753 | 1 W | Melf do-213ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-40CPQ050PBF | - | ![]() | 2019 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 40cpq050 | Schottky | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 20A | 530 MV @ 20 A | 1.7 Ma @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
VS-VSKT500-16PBF | 594.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Super Magn-A-Pak | VSKT500 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsvskt50016pbf | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 500 mA | 1.6 kV | 785 A | 3 V | 17800A, 18700A | 200 MA | 500 A | 2 SCRS | |||||||||||||||||||||||
Ug8athe3/45 | - | ![]() | 5499 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | UG8 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 v @ 8 a | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85B7V5-TR | 0.3800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85B7V5 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 µA @ 4.5 V | 7.5 V | 3 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-130MT100KPBF | 92.5073 | ![]() | 5886 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo mt-k | 130MT100 | Estándar | MT-K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS130MT100KPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 130 A | Fase triple | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VSKV56/06 | 38.9710 | ![]() | 7541 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKV56 | Cátodo Común: Todos SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKV5606 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 600 V | 95 A | 2.5 V | 1200A, 1256A | 150 Ma | 60 A | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||||
![]() | BYVB32-200-E3/45 | 1.6900 | ![]() | 990 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | BYVB32 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 18A | 1.15 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
1N5407-E3/51 | - | ![]() | 6406 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | 1N5407 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.2 v @ 3 a | 5 µA @ 800 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GDZ7V5B-G3-18 | 0.0445 | ![]() | 1105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ7V5 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 500 na @ 4 V | 7.5 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
VS-100BGQ015HF4 | 4.6476 | ![]() | 3265 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | Monte del Chasis | POWERTAB® | 100BGQ015 | Schottky | POWERTAB® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS100BGQ015HF4 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 15 V | 520 MV @ 100 A | 18 mA @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 100A | 3800pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BA604-GS08 | - | ![]() | 7549 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BA604 | Estándar | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 50 Ma | 20 ns | 50 na @ 20 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BYW35-TR | 0.2871 | ![]() | 9506 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | Byw35 | Avalancha | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.1 v @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-20CWT10FNTRR | - | ![]() | 7276 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 20CWT10 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS20CWT10FNTRR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 890 MV @ 20 A | 50 µA @ 100 V | 175 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||
![]() | S5bhe3/9at | - | ![]() | 4793 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S5B | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.15 v @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 40pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
MMBZ5262C-HE3-08 | - | ![]() | 9563 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5262 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 39 V | 51 V | 125 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP10AHM3/73 | - | ![]() | 7923 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZT03D75-TR | - | ![]() | 1972 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT03 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 6% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | BZT03 | 1.3 W | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 56 V | 75 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-12CWQ06FNTRPBF | - | ![]() | 7750 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 12CWQ06 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 6A | 610 MV @ 6 A | 3 Ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VLZ33A-GS08 | - | ![]() | 9653 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ33 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 28.2 V | 30.45 V | 65 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VSHPS1473 | - | ![]() | 1674 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | 112-VS-VSHPS1473 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55B75-TAP | 0.2200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Cinta de Corte (CT) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55B75 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 56 V | 75 V | 250 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VSKH230-20D32 | - | ![]() | 5104 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | Monte del Chasis | 3-MAGN-A-PAK ™ | VSKH230 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 mA | 2 kV | 510 A | 3 V | 7500a, 7850a | 200 MA | 230 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||
ZMY8V2-GS18 | 0.4200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZMY8V2 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 6 V | 8.2 V | 2 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-16TTS12FP-M3 | 3.1680 | ![]() | 4147 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 16TTS12 | Un entero de 220ab-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS16TTS12FPM3 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 150 Ma | 1.2 kV | 16 A | 2 V | 170A @ 50Hz | 60 Ma | 1.4 V | 10 A | 10 Ma | Recuperación | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRB20H100CTGHE3/4 | - | ![]() | 3278 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 770 MV @ 10 A | 4.5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR15H35CT-E3/45 | - | ![]() | 8733 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR15 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 7.5a | 630 MV @ 7.5 A | 50 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C |
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