SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
VSKY10301406-G4-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKY10301406-G4-08 0.0798
RFQ
ECAD 2772 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0502 (1406 Métrica) VSKY10301406 Schottky CLP1406-2L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 470 MV @ 1 A 100 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 1A 230pf @ 0V, 1MHz
BZX55C2V4-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C2V4-TR 0.2400
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX55 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55C2V4 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 V 85 ohmios
TZX6V2A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Tzx6v2a-tr 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Tzx6v2 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 3 V 6.2 V 15 ohmios
GLL4753A-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4753A-E3/96 0.7400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf GLL4753 1 W Melf do-213ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 27.4 V 36 V 50 ohmios
VS-40CPQ050PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CPQ050PBF -
RFQ
ECAD 2019 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-247-3 40cpq050 Schottky To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 20A 530 MV @ 20 A 1.7 Ma @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKT500-16PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKT500-16PBF 594.9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) Monte del Chasis Super Magn-A-Pak VSKT500 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Vsvskt50016pbf EAR99 8541.30.0080 1 500 mA 1.6 kV 785 A 3 V 17800A, 18700A 200 MA 500 A 2 SCRS
UG8ATHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ug8athe3/45 -
RFQ
ECAD 5499 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 UG8 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 8 a 30 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
BZX85B7V5-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B7V5-TR 0.3800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX85 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85B7V5 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1 µA @ 4.5 V 7.5 V 3 ohmios
VS-130MT100KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-130MT100KPBF 92.5073
RFQ
ECAD 5886 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo mt-k 130MT100 Estándar MT-K descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS130MT100KPBF EAR99 8541.10.0080 15 130 A Fase triple 1 kV
VS-VSKV56/06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKV56/06 38.9710
RFQ
ECAD 7541 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Add-a-pak (3 + 4) VSKV56 Cátodo Común: Todos SCRS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSVSKV5606 EAR99 8541.30.0080 10 200 MA 600 V 95 A 2.5 V 1200A, 1256A 150 Ma 60 A 2 SCRS
BYVB32-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVB32-200-E3/45 1.6900
RFQ
ECAD 990 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab BYVB32 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 18A 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C
1N5407-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5407-E3/51 -
RFQ
ECAD 6406 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5407 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.2 v @ 3 a 5 µA @ 800 V -50 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
GDZ7V5B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ7V5B-G3-18 0.0445
RFQ
ECAD 1105 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos GDZ-G Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 GDZ7V5 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 500 na @ 4 V 7.5 V 30 ohmios
VS-100BGQ015HF4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-100BGQ015HF4 4.6476
RFQ
ECAD 3265 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo Monte del Chasis POWERTAB® 100BGQ015 Schottky POWERTAB® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS100BGQ015HF4 EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 15 V 520 MV @ 100 A 18 mA @ 15 V -55 ° C ~ 125 ° C 100A 3800pf @ 5V, 1MHz
BA604-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA604-GS08 -
RFQ
ECAD 7549 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BA604 Estándar Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 V @ 50 Ma 20 ns 50 na @ 20 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
BYW35-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW35-TR 0.2871
RFQ
ECAD 9506 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Sod-57, axial Byw35 Avalancha Sod-57 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.1 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 500 V -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
VS-20CWT10FNTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CWT10FNTRR -
RFQ
ECAD 7276 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 20CWT10 Schottky D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS20CWT10FNTRR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 890 MV @ 20 A 50 µA @ 100 V 175 ° C (Máximo)
S5BHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5bhe3/9at -
RFQ
ECAD 4793 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AB, SMC S5B Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.15 v @ 5 a 2.5 µs 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 40pf @ 4V, 1 MHz
MMBZ5262C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5262C-HE3-08 -
RFQ
ECAD 9563 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5262 225 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 39 V 51 V 125 ohmios
GP10AHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10AHM3/73 -
RFQ
ECAD 7923 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial GP10 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
BZT03D75-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D75-TR -
RFQ
ECAD 1972 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZT03 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Sod-57, axial BZT03 1.3 W Sod-57 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 56 V 75 V 100 ohmios
VS-12CWQ06FNTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CWQ06FNTRPBF -
RFQ
ECAD 7750 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 12CWQ06 Schottky D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 6A 610 MV @ 6 A 3 Ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
VLZ33A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ33A-GS08 -
RFQ
ECAD 9653 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ33 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 40 µA @ 28.2 V 30.45 V 65 ohmios
VS-VSHPS1473 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSHPS1473 -
RFQ
ECAD 1674 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto - 112-VS-VSHPS1473 Obsoleto 1
BZX55B75-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B75-TAP 0.2200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX55 Cinta de Corte (CT) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55B75 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 56 V 75 V 250 ohmios
VSKH230-20D32 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKH230-20D32 -
RFQ
ECAD 5104 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis 3-MAGN-A-PAK ™ VSKH230 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2 500 mA 2 kV 510 A 3 V 7500a, 7850a 200 MA 230 A 1 scr, 1 diodo
ZMY8V2-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY8V2-GS18 0.4200
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) ZMY8V2 1 W DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 6 V 8.2 V 2 ohmios
VS-16TTS12FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16TTS12FP-M3 3.1680
RFQ
ECAD 4147 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 16TTS12 Un entero de 220ab-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS16TTS12FPM3 EAR99 8541.30.0080 1,000 150 Ma 1.2 kV 16 A 2 V 170A @ 50Hz 60 Ma 1.4 V 10 A 10 Ma Recuperación
MBRB20H100CTGHE3/4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB20H100CTGHE3/4 -
RFQ
ECAD 3278 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRB20 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 770 MV @ 10 A 4.5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C
MBR15H35CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR15H35CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 8733 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBR15 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 7.5a 630 MV @ 7.5 A 50 µA @ 35 V -65 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock