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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
1N4006-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4006-E3/53 -
RFQ
 ECAD 2212 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4006 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 800 V -50 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
1N4006GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4006GP-M3/73 -
RFQ
 ECAD 5017 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4006 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 800 V -50 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
1N4007GP-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GP-E3/53 -
RFQ
 ECAD 3639 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4007 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
1N4751A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4751A-TAP 0.3600
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta de Corte (CT) Activo ± 5% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4751 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 22.8 V 30 V 40 ohmios
1N4756A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4756A-TAP 0.3600
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta de Corte (CT) Activo ± 5% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4756 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 35.8 V 47 V 80 ohmios
1N4934GPEHE3/91 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4934GPEHE3/91 -
RFQ
 ECAD 5520 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4934 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
1N4947GPHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4947GPHM3/73 -
RFQ
 ECAD 1237 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4947 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 1 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
1N5224B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5224B-TAP 0.0288
RFQ
 ECAD 3012 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5224 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 Ma 75 µA @ 1 V 2.8 V 30 ohmios
1N5236B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5236B-TAP 0.2300
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta de Corte (CT) Activo ± 5% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5236 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 6 V 7.5 V 6 ohmios
1N5237C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5237C-TAP 0.0288
RFQ
 ECAD 6964 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5237 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 6.5 V 8.2 V 8 ohmios
1N5239C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5239C-TAP 0.0288
RFQ
 ECAD 1683 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5239 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 7 V 9.1 V 10 ohmios
1N5240B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5240B-TAP 0.2300
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta de Corte (CT) Activo ± 5% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5240 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 8 V 10 V 17 ohmios
1N5241B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5241B-TAP 0.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta de Corte (CT) Activo ± 5% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5241 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 8.4 V 11 V 22 ohmios
1N5241C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5241C-TAP 0.0288
RFQ
 ECAD 5545 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5241 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 8.4 V 11 V 22 ohmios
1N5242B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5242B-TAP 0.2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta de Corte (CT) Activo ± 5% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5242 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 9.1 V 12 V 30 ohmios
1N5244C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5244C-TAP 0.0288
RFQ
 ECAD 3800 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5244 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 10 V 14 V 15 ohmios
1N5248C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5248C-TAP 0.0288
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5248 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 14 V 18 V 21 ohmios
1N5252B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5252B-TAP 0.2300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta de Corte (CT) Activo ± 5% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5252 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 18 V 24 V 33 ohmios
1N5253B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5253B-TAP 0.2300
RFQ
 ECAD 4593 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta de Corte (CT) Activo ± 5% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5253 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 19 V 25 V 35 ohmios
1N5254C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5254C-TAP 0.0288
RFQ
 ECAD 3899 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5254 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 21 V 27 V 41 ohmios
1N5260C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5260C-TAP 0.0288
RFQ
 ECAD 7629 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5260 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 33 V 43 V 93 ohmios
BA159GPE-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA159GPE-E3/53 -
RFQ
 ECAD 6505 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BA159 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
VI20100SG-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI20100SG-M3/4W 0.5569
RFQ
 ECAD 7046 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA VI20100 Schottky Un 262AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.07 V @ 20 A 350 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
VI30120SG-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30120SG-M3/4W 0.7273
RFQ
 ECAD 7850 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA VI30120 Schottky Un 262AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 120 V 1.28 V @ 30 A 500 µA @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
TLZ30-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ30-GS08 0.0335
RFQ
 ECAD 6008 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ30 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 200 Ma 30 V 80 ohmios
TLZ5V1C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ5V1C-GS08 0.2500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ5V1 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 V 20 ohmios
TLZ9V1A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ9V1A-GS08 0.0335
RFQ
 ECAD 4463 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ9V1 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 200 Ma 40 na @ 7.88 V 9.1 V 8 ohmios
TLZ9V1-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ9V1-GS08 0.0335
RFQ
 ECAD 2488 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ9V1 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 200 Ma 9.1 V 8.5 ohmios
TZM5224B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5224B-GS08 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TZM5224 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.1 V @ 200 Ma 75 µA @ 1 V 2.8 V 30 ohmios
TZM5233B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5233B-GS08 0.2300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TZM5233 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 3.5 V 6 V 7 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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