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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-43CTQ100SPBF | - |  | 3623 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 43ctq100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 810 MV @ 20 A | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||
 | Irkt41/06a | - | | 9043 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | Irkt41 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 600 V | 100 A | 2.5 V | 850a, 890a | 150 Ma | 45 A | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||||||
| 16TTS08Strr | - | | 1442 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 16TTS08 | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 800 | 100 mA | 800 V | 16 A | 2 V | 200a @ 50Hz | 60 Ma | 1.4 V | 10 A | 500 µA | Recuperación | ||||||||||||||||||||||
| Irkl56/08a | - | | 9680 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 2) | Irkl56 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 800 V | 135 A | 2.5 V | 1310a, 1370a | 150 Ma | 60 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||||
 | SS5P3-M3/86A | 0.6200 | | 840 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ss5p3 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 520 MV @ 5 A | 250 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 280pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | SMZG3801B-E3/5B | 0.2407 | | 8517 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMZG3801 | 1.5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 25.1 V | 33 V | 33 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | VS-ST303C10CFJ0 | 118.7600 | | 2361 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | TO-200AB, E-PUK | ST303 | TO-200AB (E-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 1 kV | 1180 A | 3 V | 7950a, 8320a | 200 MA | 2.16 V | 620 A | 50 Ma | Recuperación | ||||||||||||||||||||||
| VS-ST330S04P1 | 180.0317 | | 7943 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-209AE, TO-118-4, Stud | ST330 | TO-209AE (TO-118) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST330S04P1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 6 | 600 mA | 400 V | 520 A | 3 V | 7570a, 7920a | 200 MA | 1.52 V | 330 A | 50 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||||||
| Irkl91/06a | - | | 1721 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 2) | Irkl91 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 600 V | 210 A | 2.5 V | 1785a, 1870a | 150 Ma | 95 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||||
 | VS-ST1200C20K0LP | 281.2250 | | 1497 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | A 200ac, K-PUK, A-24 | ST1200 | A-24 (K-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST1200C20K0LP | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 600 mA | 2 kV | 3080 A | 3 V | 25700A, 26900A | 200 MA | 1.73 V | 1650 A | 100 mA | Recuperación | |||||||||||||||||||||
 | BZG05C16-HE3-TR | - | | 2566 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 12 V | 16 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
 | Rs3a-m3/57t | 0.1850 | | 3860 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Rs3a | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 2.5 A | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 44pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | VS-VSKH71/06 | 42.2390 | | 7374 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKH71 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKH7106 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 600 V | 165 A | 2.5 V | 1300a, 1360a | 150 Ma | 75 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||
| Irkt56/12a | - | | 1911 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | Irkt56 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1.2 kV | 135 A | 2.5 V | 1310a, 1370a | 150 Ma | 60 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||||
 | AZ23B3V0-E3-08 | 0.0509 | | 9467 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B3V0 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Ánodo Común | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | 25TTS12 | - | | 4638 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 25TTS12 | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 100 mA | 1.2 kV | 25 A | 2 V | 350A @ 50Hz | 45 Ma | 1.25 V | 16 A | 500 µA | Recuperación | ||||||||||||||||||||||
| VS-ST1000C20K0 | 283.9200 | | 4531 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | A 200ac, K-PUK, A-24 | ST1000 | A-24 (K-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 600 mA | 2 kV | 2913 A | 3 V | 20a, 21.2a | 200 MA | 1.8 V | 1473 A | 100 mA | Recuperación | ||||||||||||||||||||||
 | VS-60MT160KPBF | 69.1800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo mt-k | 60mt160 | Estándar | MT-K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 60 A | Fase triple | 1.6 kV | ||||||||||||||||||||||||||||
| Irkt71/12a | - | | 6055 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | Irkt71 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1.2 kV | 165 A | 2.5 V | 1665a, 1740a | 150 Ma | 75 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||||
 | 1N4004GP-M3/73 | - | | 8701 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4004 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 400 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | VS ST330C04L0 | 118.2833 | | 9340 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | TO-200AB, E-PUK | ST330 | TO-200AB (E-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 600 mA | 400 V | 1230 A | 3 V | 9000A, 9420A | 200 MA | 1.9 V | 650 A | 50 Ma | Recuperación | ||||||||||||||||||||||
 | VSKL230-16D25 | - | | 2057 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | Monte del Chasis | 3-MAGN-A-PAK ™ | VSKL230 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 mA | 1.6 kV | 510 A | 3 V | 7500a, 7850a | 200 MA | 230 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||||
| Irkl105/16a | - | | 4865 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 2) | Irkl105 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1.6 kV | 235 A | 2.5 V | 1785a, 1870a | 150 Ma | 105 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||||
| VS-ST333C08CFL0 | 111.0383 | | 8944 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C | Apretar | TO-200AB, E-PUK | ST333 | TO-200AB (E-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 800 V | 1435 A | 3 V | 11000A, 11500A | 200 MA | 1.96 V | 720 A | 50 Ma | Recuperación | ||||||||||||||||||||||
 | VS-SD1100C04L | 101.0033 | | 5962 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-200AA, A-PUK | SD1100 | Estándar | B-43, hockey puk | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.31 V @ 1500 A | 15 Ma @ 400 V | 1170A | - | ||||||||||||||||||||||||||
| VS-ST380CH04C1 | 120.6433 | | 3077 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | TO-200AB, E-PUK | ST380 | TO-200AB (E-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST380CH04C1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 400 V | 2220 A | 3 V | 10500A, 11000A | 200 MA | 1.58 V | 960 A | 100 mA | Recuperación | |||||||||||||||||||||
 | 10ets08 | - | | 5556 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 10ets08 | Estándar | TO20AC | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 10 a | 50 µA @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||
 | BZW03D30-TR | - | | 2440 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZW03 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | BZW03 | 1.85 W | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 2 µA @ 21.5 V | 30 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
| US1M/1 | - | | 6276 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | US1 | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 10 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||
| VS ST330C16L0 | 158.0700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | TO-200AB, E-PUK | ST330 | TO-200AB (E-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 600 mA | 1.6 kV | 1230 A | 3 V | 9000A, 9420A | 200 MA | 1.9 V | 650 A | 50 Ma | Recuperación |
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